РАЗДАТОЧНЫЙ МАТЕРИАЛ
ПО КУРСУ
«ПРОЕКТИРОВАНИЕ ПОЛУЗАКАЗНЫХ БИС»
(группы ЭКТ 54-55, 56м)
40 экз.
подготовила доц. каф. ИЭМС
ШИШИНА Л.Ю.
01.2000.
ПРЕОБРАЗОВАНИЕ СТРУКТУРНОЙ СХЕМЫ ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ TY
ИСХОДНАЯ СХЕМА АСИНХРОННОГО СЧЕТЧИКА-ДЕЛИТЕЛЯ НА 10
3 3 3 3
x 4 15 x 4 x 4 x 4
Clk 15 15 15 DIV 10
x 1 U1 1 U2 1 U3 1 U4
16 16 16 16
2 2 2 2
VCC
1
12 U5 2
13
МОДИФИЦИРОВАННАЯ СХЕМА
U20
3 3 3 3
x 4 15 x 4 x 4 x 4
Clk 15 15 15 DIV 10
x 1 U1 1 U2 1 U3 1 U4
16 16 16 16
2 2 2 2
VCC
A
1
B 12 U5 2
13
СКАНИРУЕМЫЙ ПУТЬ
y Пвых y Пвых
о о х
У1 о У1
х
о о
х У2 о х У2
х х
Уn-1 о о Уn-1
х 0 х
х
х Уn 0 0 х Уn
Пвх Пвх 0
М21
управление
сканированием
системный тактовый
импульс вход сканируемых
данных
системный тактовый импульс
Примечание: соединения в схемах только в местах со значком (х), М21 - обозначение схемы мультиплексора «2 в 1»
РЕАЛИЗАЦИЯ СХЕМ ПАМЯТИ НА БМК
ОЗУ
ДШ D C D C АШ1
D C D C АШ2
РШ1 РШ2
UD
РШ p
C1 p
CДШ n
СДШ(АШ)
СРШ Q n
РШ(Q)
Q
D C
ПЗУ
D D
BO
x
BO x
B1 x
B1 x
p O p
UDD
o
n n
B2 x
B2 x
B3 x
B3 x
x - программируемые контакты
1 ЭП ПЗУ занимает 3 БЯ БМК 1537,
СХЕМА ДЖИАКОЛЕТТО. УЧЕТ РАСПРЕДЕЛЕННОГО ХАРАКТЕРА ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРА.
К
rБ1 СК1 rБj CKj rБm CKm
Б
СЭ1 rЭ1 ... Сэj rЭj .... Cэm rЭm NU1’gЭ1 Nuj’gЭj Num’gЭm
-------- ------- -------
U1’ 1-N Uj’ 1-N Um’ 1-N
Э
Б, Э, К - внешние узлы, 1,.. j,...m - внутренние узлы
МАТРИЦА ПРОВОДИМОСТЕЙ ТРАНЗИСТОРА
|
Э |
Б |
К |
1 |
2 |
|
j |
|
m |
Э |
j(CЭ1+CЭ2+. .СЭm)+NgЭ |
|
|
-jCЭ1 -NgЭ1 |
-jСЭ2 -NgЭ2 |
|
-jCэj -NgЭj |
|
-jCэm -NgЭm |
Б |
|
gБ1 |
|
-gБ1 |
|
|
|
|
|
К |
-NgЭ |
|
j(СК1+ СК2+..СКm) |
-jCK1 +NgЭ1 |
-jCK2 +NgЭ2 |
|
-jCKj +NgЭj |
|
-jCKm +Ngm |
1 |
-jCЭ1 |
-gБ1 |
-jCK1 |
gБ1+gБ2+j(CK1+CЭ1) |
-gБ2 |
|
|
|
|
2 |
-jСЭ2 |
|
-jCK2 |
-gБ2 |
gБ2+gБ3 +j(CК2+CЭ2) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
j |
-jCэj |
|
-jCKj |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
-gБm |
m |
-jCЭm |
|
-jCKm |
|
|
|
|
|
gБm+j(CKm+CЭm) |
Удельная емкость коллекторного перехода - это барьерная емкость, а для эмиттерного перехода необходимо учитывать барьерную и диффузионную емкость для определенной величины тока эмиттера.
БИПОЛЯРНЫЙ ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР.
Частный случай распределенной схемы.
RБ С.к К П
Б
СП
СЭ
U’
Э
Любую проводимость можно записать следующим образом:
где i, j - Э, Б, К, П. Можно рассчитать все коэффициенты и свести в матрицы:
[]
|
Э |
Б |
К |
П |
Э |
gЭ* |
-gЭ* |
0 |
0 |
Б |
-(1-N)gЭ* |
(1-N)gЭ* |
0 |
0 |
К |
-NgЭ* |
NgЭ* |
0 |
0 |
П |
0 |
0 |
0 |
0 |
[]
|
Э |
Б |
К |
П |
Э |
CЭ*(1-) |
-СЭ(1-)+СК |
-СК |
0 |
Б |
-CK-CЭ* |
СЭ*+СК(1+) |
-СК |
0 |
К |
СК-СЭ*+СП |
-СК(1+)-СП-СК+СЭ* |
СК(1+)+СП |
СП |
П |
-СП |
СП |
-СП |
СП |
T3 T4 T7
T5 T6 T8
вх1 -U U01 T9 iвых
вх2
+U
R1 I0 T11 Rн Uвых
T10
T12 T13 T14
R2 R2
-U
Пример схемы ОУ
Принципиальная схема ОУ типа 741 (Fairchild).
R1=1 K, R2=1 K, R3=50 K, R4=5 K, R5=40 K, R6=27 K, R7=22 K, R8=100 Ом, R9=50 K, R10=50 K, R11=50 K
+U
T14
T8 T9 T12 T13 T15
неинв.вход R6
T16 выход
T1 T2 инв.вход R5 T19 R7
T3 T4 T21
C=30пФ R10 T20
T7 300 Ом T16 T22
T5 T6 T16
T10 T11 T23
R1 R3 R2 R4 R9 R8 T24 R11
установка нуля -U
Программируемые матрицы логики (пмл)
8-разр. секция
1 2 3 4
Xi
Обр. Связи
1 1 1 1
a b
D Y1
C
D Y2
C
Z1
Z2
Clоск
PAL 4X8 , N = 10,8, M = 8, P = 0, секций 4.
Внешние входы Xi, внешние выходы -Y1.2, шины Z1.2 могут быть входными или выходными в зависимости от значений управляющих сигналов a и b на управляющем элементе .
Программируемый мультиплексор
M21 M22 M2t
1
2
S
C01 C11 Cq-11 C02 Cq-12 C0t Cq-1t
1
W1 W2 Wt
n
1 2 t
Программируемый мультиплексор
M21 M22 M2t
1
2
S
C01 C11 Cq-11 C02 Cq-12 C0t Cq-1t
1
W1 W2 Wt
n
1 2 t