- •Вычислительные машины (конспект лекций) однопроцессорные эвм
- •Часть 2
- •4.1. Структура памяти эвм 7
- •4.1. Структура памяти эвм
- •4.2. Способы организации памяти
- •4.2.1. Адресная память
- •4.2.2. Ассоциативная память
- •4.2.3. Стековая память (магазинная)
- •4.3. Структуры адресных зу
- •4.3.1. Зу типа 2d
- •4.3.2. Зу типа 3d
- •4.3.3. Зу типа 2d-м
- •4.4. Элементы зу с произвольным обращением
- •4.4.1. Зэ на ферритовых кольцах
- •4.4.2. Зэ на полупроводниковых элементах
- •4.5. Постоянные зу (пзу, ппзу)
- •4.6. Флэш-память
- •Вопросы для самопроверки
- •Контрольные задания
- •5. Структура и форматы машинных команд, способы адресации
- •5.1. Общие замечания
- •5.2. Возможные структуры машинных команд
- •5.3. Способы адресации
- •5.4. Команды передачи управления
- •5.4.1. Команды безусловного перехода (бп)
- •5.4.2. Команды условного перехода (уп)
- •5.4.3. Команды перехода на подпрограмму
- •5.5. Индексация
- •Вопросы для самопроверки
- •Контрольные задания
- •6. Принципы организации систем прерывания программ
- •6.1. Характеристики систем прерывания
- •6.2. Возможные структуры систем прерывания
- •6.3. Организация перехода к прерывающей программе
- •6.3.1. Реализация фиксированных приоритетов
- •6.3.2. Реализация программно-управляемых приоритетов
- •Вопросы для самопроверки
- •Контрольные задания
- •7. Простейшая микроэвм
- •7.1. Системный интерфейс микроэвм. Цикл шины
- •7.2. Промежуточный интерфейс
- •7.3. Мп с фиксированной системой команд
- •7.3.1. Регистры данных
- •7.3.2. Арифметико-логическое устройство
- •7.3.3. Регистр признаков
- •7.3.4. Блок управления
- •7.3.5. Буферы
- •7.3.6. Мп с точки зрения программиста
- •7.4. Мп-устройство на основе мп кр580вм80а
- •7.5. Форматы данных мп кр580
- •7.6.Форматы команд мп 580вм80
- •7.7. Способы адресации
- •7.8. Система команд мп 580
- •7.8.1. Пересылки однобайтовые
- •7.8.2. Пересылки двухбайтовые
- •7.8.3. Операции в аккумуляторе
- •7.8.4. Операции в рон и памяти
- •7.8.5. Команды управления
- •Вопросы для самопроверки
- •Контрольные задания
4.6. Флэш-память
Флэш-память (flash-memory) по типу запоминающих элементов и основным принципам работы подобна памяти типа EEPROM (ППЗУ) с электрическим перепрограммированием. Однако ряд архитектурных и структурных особенностей позволяют выделить ее в отдельный класс. Разработка флэш-памяти считается кульминацией развития схемотехники памяти с электрическим стиранием информации, и стала возможной только после создания технологий сверхтонких пленок. Время электрического перепрограммирования флэш-памяти в отличие от существующих ППЗУ очень мало и составляет сотни наносекунд. Это позволяет использовать их в качестве оперативных внешних запоминающих устройств типа жесткого диска. Однако число циклов перезаписи флэш-памяти ограничено.
В схемах флэш-памяти не предусмотрено стирание отдельных слов, стирание информации осуществляется либо для всей памяти одновременно, либо для достаточно больших блоков. Это позволяет упростить схемы ЗУ, т. е. способствует достижению высокого уровня интеграции и быстродействия при снижении стоимости. Технологически схемы флэш-памяти выполняются с высоким качеством и обладают очень хорошими параметрами.
Термин flash, по одной из версий, связан с характерной особенностью этого вида памяти – возможностью одновременного стирания всего ее объема. Согласно этой версии еще до появления флэш-памяти при хранении секретных данных использовались устройства, которые при попытках несанкционированного доступа к ним автоматически стирали хранимую информацию и назывались устройствами типа flash (вспышка, мгновение). Это название перешло и к памяти, обладавшей свойством быстрого стирания всего массива данных одним сигналом.
Одновременное стирание всей информации ЗУ реализуется наиболее просто, но имеет тот недостаток, что даже замена одного слова в ЗУ требует стирания и новой записи для всего ЗУ в целом. Для многих применений это неудобно, поэтому наряду со схемами с одновременным стиранием всего содержимого имеются схемы с блочной структурой, в которых весь массив памяти делится на блоки, стираемые независимо друг от друга. Объем таких блоков сильно разнится: от 256 байт до 128 Кбайт.
Число циклов перепрограммирования для флэш-памяти хотя и велико, но ограничено, т.е. ячейки при перезаписи "изнашиваются". Для того, чтобы увеличить долговечность памяти, в ее работе используются специальные алгоритмы, способствующие "разравниванию" числа перезаписей по всем блокам микросхемы.
Соответственно областям применения флэш-память имеет архитектурные и схемотехнические разновидности. Двумя основными направлениями эффективного использования флэш-памяти являются хранение не очень часто изменяемых данных (обновляемых программ, в частности) и замена памяти на магнитных дисках.
Для первого направления, в связи с редким обновлением содержимого, параметры циклов стирания и записи не столь существенны, как информационная емкость и скорость считывания информации. Стирание в этих схемах может быть как одновременным для всей памяти, так и блочным. Среди устройств с блочным стиранием выделяют схемы со специализированными блоками – несимметричные блочные структуры – по имени так называемых boot-блоков, в которых информация надежно защищена аппаратными средствами от случайного стирания. Эти ЗУ называют boot block flash memory. Boot-блоки хранят программы инициализации системы, позволяющие ввести ее в рабочее состояние после включения питания.
Микросхемы для замены жестких магнитных дисков (flash-file memory) содержат более развитые средства перезаписи информации и имеют идентичные блоки (симметричные блочные структуры). Накопители подобного типа широко используются фирмой Intel. Имеются мнения о конкурентоспособности этих накопителей в применениях, связанных с заменой жестких магнитных дисков для ЭВМ различных типов.
В заключение следует отметить, что в настоящем разделе рассмотрены только основные типы ЗУ и ЗЭ, которые далеко не исчерпывают все разнообразие современной элементной базы устройств памяти ЭВМ.