- •_____________
- •© Национальный исследовательский университет мэи, 2013
- •Лабораторная работа № 1. Исследование статических вольт-амперных характеристик полупроводниковых диодов
- •Германий (Ge)
- •Предварительное расчетное задание
- •Данные к расчету
- •Рабочее задание
- •Анализ результатов измерений
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 2. Исследование температурной зависимости статических вольт-амперных характеристик полупроводниковых диодов
- •Предварительное расчетное задание
- •Предварительное расчетное задание
- •Данные к расчету
- •Рабочее задание
- •Анализ результатов измерений
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 4. Исследование статических характеристик биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером
- •Предварительное расчетное задание
- •Рабочее задание
- •Анализ результатов измерений
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 5. Исследование статических характеристик полевого транзистора с управляющим pn-переходом
- •Предварительное расчетное задание
- •Данные к расчету
- •Рабочее задание
- •Анализ результатов измерений
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 6. Исследование статических характеристик полевого транзистора с мдп - структурой
- •Предварительное расчетное задание
- •Данные к расчету
- •Рабочее задание
- •Анализ результатов измерений
- •Контрольные вопросы
- •Основные принципы работы и техническая эксплуатация лабораторного комплекса
- •Литература
- •Содержание
Предварительное расчетное задание
Провести расчет φk, Is и rб диодов.
Рассчитать и построить ВАХ идеального диода и ВАХ реального диода при температуре 300 K в одной системе координат.
Данные к расчету
Взять из задания к типовому расчету согласно номеру в журнале
Рабочее задание
Получить у преподавателя диод, отметить в протоколе материал, из которого сделан диод.
Измерить прямую и обратную ветви ВАХ диодов при масштабах ±5 В по напряжению и ±5 или ±15 мА, результаты занести в таблицы.
Отдельно промерить обратную ВАХ диода при масштабе ±100 В.
Построить графики ВАХ диодов в линейных масштабах по осям.
По усмотрению преподавателя, получить второй диод и повторить п. 1-4.
Анализ результатов измерений
1. Перестроив график прямой ветви ВАХ в полулогарифмическом масштабе, установить, есть ли на ней участок, соответствующий идеализированной теории p-n-перехода. Если такой участок есть, найти значение тока насыщения Is. Если наклон в области малых напряжений соответствует коэффициенту m = 2, найти значение тока I +RG0.
2. По наклону прямолинейного участка прямой ветви ВАХ, построенной в линейном масштабе, приближенно найти значение сопротивления базы rб.
3. Графически оценить значение φk. При больших значениях прямого тока падение напряжения на ОПЗ приближается к значению контактной разности потенциалов, т.е. U ≈ φk. Напряжение на диоде Uд=I rб+U, и, следовательно, при I = 0 на оси напряжений отсекается величина, приблизительно равная контактной разности потенциалов φk.
3. Сравнить экспериментально полученные ВАХ диодов с рассчитанными, объяснить различия.
Контрольные вопросы
Какие заряды образуют ОПЗ?
От каких параметров полупроводникового диода зависит величина контактной разности потенциалов?
Что происходит с величиной потенциального барьера при подаче на р-n-переход прямого и обратного напряжений?
Нарисуйте и объясните зависимости распределения концентрации носителей от координаты при прямом и обратном смещении.
Нарисуйте и объясните ВАХ диодов.
Лабораторная работа № 2. Исследование температурной зависимости статических вольт-амперных характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: приобретение навыков экспериментального исследования температурной зависимости ВАХ полупроводниковых диодов.
Повышение температуры приводит к росту собственной концентрации носителей:
, (2.1)
где Eg – ширина запрещенной зоны (Eg=Eс –Ev). Она зависит от температуры:
. (2.2)
Для Si Eg0 = 1,17 эВ, a = -3,9∙10-4 эВ/К, для Ge Eg0 = 0,785 эВ, a = -3,7∙10-4 эВ/К, для GaAs Eg0 = 1,52 эВ, a = -4,3∙10-4 эВ/К.
Это приводит к росту тока насыщения (рисунок 2.1),
(2.3)
|
Таким образом, для расчета ВАХ при температуре Т необходимо рассчитать значение тока насыщения и сопротивления базы диода. Для этого необходимо рассчитать значения концентраций неосновных носителей заряда и подвижности носителей при заданной температуре. Температурная зависимость концентрации свободных носителей заряда n в полупроводнике легированном донорной примесью с концентрацией Nd показана на рисунке 2.2. |
Рис. 2.1. Изменение ВАХ при повышении температуры |
|
Рис. 2.2. Температурная зависимость концентрации свободных носителей заряда |
При низкой температуре (область 1) концентрация носителей повышается с ростом температуры за счет ионизации атомов примеси.
Концентрацию свободных носителей заряда в области 1, называемой областью слабой ионизации примеси, можно оценить по формуле (2.4), если полупроводник легирован донорной примесью (n-тип проводимости), или по формуле (2.5), если полупроводник легирован акцепторной примесью (p-тип проводимости).
, (2.4)
, (2.5)
где Nd, Na – концентрация легирующей примеси; Nc, Nv – эффективная плотность квантовых состояний (количество разрешенных уровней в единице объема материала) в зоне проводимости и в валентной зоне, соответственно.
Для Si Nc = 2,7∙1019 (T/300) 3/2, Nv = 1,05∙1019 (T/300) 3/2,
для Ge Nc = 1,04∙1019 (T/300) 3/2, Nv = 6,1∙1019 (T/300) 3/2.
Значение подвижности рассчитывается по формуле (1.2), а затем по формулам (1.8) и (1.9) рассчитать необходимые величины.
При домашней подготовке необходимо ознакомиться с температурными зависимостями в диодах.