5. Контрольные вопросы

1. Физическая сущность электропроводности полупроводников.

2. Как зависит удельная проводимость полупроводников от температуры и почему?

3. Что называется собственным полупроводником? Выражение для расчета концентраций носителей заряда такого полупроводника.

4. Что называется примесным полупроводником? Выражение для расчета концентраций носителей заряда такого полупроводника.

5. Что такое подвижность? Ее зависимость от температуры. Размерность и диапазон величин в полупроводниках.

6. Что называется неравновесными носителями заряда? Какими основными параметрами описывается их поведение?

7. Что такое время жизни носителей заряда? Причины, определяющие ее величину. Размерность и диапазон величин в полупроводниках.

8. Что такое диффузионная длина носителей заряда? Параметры, определяющие ее величину. Размерность и диапазон величин в полупроводниках.

9. Оценить тепловую и дрейфовую скорости электронов при 300 К в германии n- типа с концентрацией доноровN_Д= 10²²м^-3, если плотность тока через образецj= 10⁴А/м, а эффективная масса электронов проводимостиm_n= 0.12m₀.

10. Определить число атомов галлия и мышьяка в единице объема кристалла GaAs, если известно, что плотность материала при 300 К равна 5.32 Мг/м³.

11. Определить ток через образец кремния прямоугольной формы размерами lхbхh= 5х2х1 мм, если вдоль образца приложено напряжение 10 В. Известно, что концентрация электронов в полупроводникеn= 10²¹м^-3, их подвижность μ_n= 0.14 м²/(В∙с).

48