![](/user_photo/2706_HbeT2.jpg)
- •Изучение температурной зависимости электропроводности металлов и сплавов Уфа 2010
- •Теория Классическая теория электропроводности металлов
- •Контрольные вопросы
- •Понятие о квантовой теории электропроводности металлов
- •Сверхпроводимость
- •Контрольные вопросы
- •Основы зонной теории твердых тел
- •Диэлектрики
- •Металлы
- •Полупроводники
- •Примесные полупроводники
- •Электронный полупроводник
- •Дырочный полупроводник
- •Контрольные вопросы
- •Выполнение работы
- •Порядок выполнения работы:
Диэлектрики
Если валентная
зона заполнена полностью, а расстояние
до следующей свободной зоны велико, то
такие твердые тела называются диэлектриками
(рис.3). Не выходя
за пределы валентной зоны, электроны
не могут участвовать в электрическом
токе, так как в этой зоне нет свободных
мест для движения. Электроны могут
передвигаться, переходя свободную зону
(зону
проводимости). Ширина запрещенной зоны
для диэлектриков составляет величину
порядка ΔЕ~1-2 эВ. Энергия теплового
движения при комнатной температуре
(Ет~0.03
эВ) мала для того, чтобы перебросить
электрон с валентной зоны в зону
проводимости. Поэтому диэлектрики при
обычных температурах не проводят
электрический ток.
Металлы
Если валентная зона заполнена частично, либо перекрывается со следующей свободной зоной, то такие твердые тела называются металлами. У щелочных металлов внешней является s-подоболочка, в которой имеется 2 разрешенных подуровня. s-подоболочка щелочных металлов содержит всего 1 электрон. Поэтому s-зона у них заполнена наполовину (рис.4а). В отсутствии внешнего электрического и других полей электроны заполняют нижнюю половину валентной зоны. При наложении внешнего электрического поля часть электронов в верхней части заполненной зоны переходят в вышележащие уровни и участвуют в электрическом токе.
У щелочно-земельных металлов на s-уровне находятся 2 электрона и поэтому s-зона заполнена полностью. Однако в этих металлах s-зона перекрывается со следующей за ней свободной p-зоной (рис.4б). Электроны из верхней части s-зоны переходят в р-зону таким образом, что обе зоны оказываются заполненными до
одного
и того же уровня. При этом вs-зоне
образуются дырки, а в р-зоне появляется
некоторое количество свободных
электронов. Вследствие этого кристалл
становится проводником.
Самый верхний уровень, до которого происходит заполнение зоны электронами при Т=0 К, называется уровнем Ферми. Энергия электрона на уровне Ферми называется энергией Ферми ЕF. В металлах энергия Ферми составляет величину порядка ЕF~104 К. Поэтому вплоть до температур плавления влияние температуры на состояние электронов мало.
Полупроводники
Если валентная зона заполнена полностью, а расстояние до следующей свободной зоны мало, то такие твердые тела называются полупроводниками. При температуре Т=0 К валентная зона полупроводника заполнена целиком, а свободная зона пуста. Поэтому электропроводность полупроводника равна нулю. С повышением температуры часть электронов из валентной зоны переходит в свободную зону. При этом в валентной зоне появляются дырки. Количество тепловых забросов в зону проводимости пропорционально числу электронов вблизи верхнего края валентной зоны Nv , числу вакантных мест вблизи нижнего края свободной зоны Nc и вероятности того, что какой-либо электрон приобретет энергия ΔЕ, достаточную для перехода через запрещенную зону
,
где α-коэффициент пропорциональности. Чем больше ширина запрещенной зоны, тем меньше число забросов и тем меньше проводимость.
Одновременно с забросом электронов в зону проводимости происходит процесс рекомбинации – часть электронов падает из зоны проводимости в пустые места в валентной зоне. Число рекомбинаций в секунду пропорционально вероятности встречи электрона и дырки, т.е. числу электронов n и числу дырок р:
,
где γ-постоянный коэффициент.
Так как в рассматриваемом случае количество дырок равно количеству электронов, то n=p. Если кристалл находится при данной температуре достаточно долго, то устанавливается равновесие, при котором количество забросов в зону проводимости равно числу актов рекомбинаций:
.
Отсюда
.
Согласно формуле (1) температурная зависимость электропроводности определяется температурными зависимостями концентрации носителей тока n(T) и их подвижности u(T):
.
В полупроводниках с повышением температуры концентрация носителей экспоненциально растет, а подвижность меняется по степенному закону:
,
где
Поэтому температурная зависимость проводимости полупроводника в основном определяется температурной зависимостью концентрации носителей тока. Напротив, в металлах концентрация носителей от температуры не зависит. Поэтому температурная зависимость проводимости металлов обусловлена зависимостью подвижности от температуры.
Тогда для проводимости полупроводников можем записать:
,
(5)
где А –постоянный коэффициент. Далее, логарифмируя обе части выражения, имеем:
(6)
Из выражения (6)
видно, что зависимость lnσ
= f(1/T)
имеет линейный характер с тангенсом
угла наклон
(рис.5).
Из этого графика можно определить ширину
запрещенной зоны полупроводника ΔЕ.