БАЗЫ - АГНИ / БАЗА - ФОМ
.docxФизические основы микроэлектроники ДМ_1 |
||||||||
1. |
1 |
Что такое электроника? |
Это область науки, техники и производства, занимающимся изучением химических основ, протекающих в металлах, полупроводниках и диэлектриках. |
Это отрасль производство, охватывающее исследование электрических цепей, разработку методов и принципов их использования. |
Это область науки, техники и производства, занимающимся изучением физических основ функционирования и применение приборов, работа которых основана на протекание электрического тока. |
Это область науки, занимающимся изучением химико-физических основ функционирования и применение приборов. |
Это область производства, занимающимся изучением и исследованием химических реакций, протекающих в химических элементах. |
3 |
2. |
1 |
Какая зона характеризуется тем, что электроны, находящейся в ней, обладают энергиями? |
разрешенная |
запрещенная |
валентная |
проводимости |
ковалентная |
4 |
3. |
1 |
Совокупность уровней, на каждом из которых могут находиться электроны?
|
разрешенная |
запрещенная |
валентная |
проводимости |
ковалентная |
1 |
4. |
1 |
Промежутки между разрешенными зонами носит название… |
запрещенных зон |
разрешенных зон |
зоны проводимости |
ковалентной связи |
валентной зоны |
1 |
5. |
1 |
Как называют верхнюю заполненную зону? |
ковалентную |
проводимую |
валентную |
нековалентную |
запрещенную |
3 |
6. |
1 |
Электропроводность, обусловленную движением свободных электронов называют? |
дырочной |
электронно-дырочной |
дырочно-электронной |
электронной |
гетеропереходом |
4 |
7. |
1 |
Электропроводность, обусловленную движением дырок называют? |
электронной |
дырочной |
гетеропереходом |
дырочно-электронной |
электронно-дырочной |
2 |
8. |
1 |
Генерация – это … |
процесс восстановления разорванных валентных связей. |
процесс образования пары электрон-дырка. |
переходы между полупроводниковым материалами, имеющими различную ширину запрещенной зоны. |
процесс образования перехода. |
процесс восстановления разорванных ковалентных связей. |
2 |
9. |
1 |
Процесс восстановления разорванных валентных связей называют… |
генерацией |
временем жизни |
ковалентной связью |
электропроводимостью |
рекомбинацией |
5 |
10. |
1 |
Время жизни – это промежуток времени прошедший с момента генерации частицы ….
|
после ее рекомбинации |
от начала и до конца рекомбинации |
до процесса образования пары |
до конца генерации |
до ее рекомбинации |
5 |
11. |
1 |
Как определяется подвижность носителей заряда? |
|
|
|
|
|
1 |
12 |
1 |
Движением, под влиянием градиента концентрации называется: |
дрейфом |
рекомбинацией
|
инжекцией |
диффузией |
экстракцией |
4 |
13. |
1 |
Движение, вызванное наличием электрического поля и градиента потенциала называется: |
дрейфом |
рекомбинацией
|
инжекцией |
диффузией |
экстракцией |
1 |
14. |
1 |
Удельная проводимость полупроводника определяется как (3 варианта ответа): |
|
|
|
|
|
245 |
15. |
1 |
Электропроводность полупроводника, обусловленная парными носителями теплового происхождения называются |
основной |
неосновной |
собственной |
генерируемой |
рекомбинированной |
3 |
16. |
1 |
Диффузионная длина для дырок определяется: |
|
|
|
|
|
3 |
17. |
1 |
Полупроводник, в котором p>n называется: |
полупроводником n-типа |
основным носителем |
вырожденным полупроводником |
неосновным |
полупроводником p -типа |
5 |
18. |
1 |
Какие примеси имеют валентные электроны слабосвязанные со своим ядром: |
донорные |
акцепторные |
n-типа |
атомные |
вырожденные |
1 |
19. |
1 |
Какая вероятность нахождения заряженной частицы на уровни Ферми: |
0,9 |
0,5 |
0,65 |
1 |
0,4 |
2 |
20. |
1 |
Что характеризует уровень Ферми: |
энергию, вырабатываемую на перенос заряженных частиц. |
работу, затраченную на вырабатывание тепла. |
работу, затраченную на перенос заряженных частиц. |
работу, затраченную на перенос энергии из одной зоны в другую. |
температуру собственной электропроводности |
3 |
21. |
1 |
Условие электронейтральности: |
|
|
|
|
|
5 |
22. |
1 |
Концентрация носителей заряда в равновесном состоянии при : |
|
|
|
|
|
2 |
23. |
1 |
Плотность диффузионных токов для одномерного случая определяется: |
,
|
,
|
,
|
,
|
,
|
5 |
24. |
1 |
Инжекция - это |
возврат носителей заряда |
разрушения носителей заряда |
введение носителей заряда |
захват неосновных носителей заряда |
Равновесное состояние носителей заряда |
4 |
25. |
1 |
Экстракция - это |
нагнетание носителей заряда |
захват и перенос неосновных носителей заряда |
разрушения носителей заряда |
Равновесное состояние носителей заряда |
введение носителей заряда |
2 |
26. |
1 |
Симметричный переход – это электронно-дырочный переход, у которого: |
|
|
|
|
|
4 |
27. |
1 |
Рекомбинация перемещений образуется вследствие… |
дрейфа |
диффузии |
дрейфа и диффузии |
инжекции |
симметрии |
3 |
28. |
1 |
Что такое в формуле |
градиент концентрации |
коэффициент диффузии для электронов |
коэффициент диффузии для дырок |
концентрация дырок |
концентрация электронов |
3 |
29. |
1 |
Если к p-n переходу приложено обратное напряжение, полярность которого совпадает с напряжением контактной разности потенциалов, то общий потенциальный барьер …. |
уменьшится |
не изменится |
станет равным 0 |
уменьшится в 2 раза |
повыситься |
5 |
30. |
1 |
Ширина перехода зависит от …. |
концентрации примеси |
формы полупроводника |
концентрации носителей заряда |
материала полупроводника |
площади полупроводника |
3 |
31. |
1 |
Что влияет на ВАХ диода? |
температура |
влажность |
частота |
напряжение |
ток |
1 |
32. |
1 |
Прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом и двумя выводами, в котором используется то или иное свойство выпрямляющего электрического перехода? |
Светодиод |
Фотодиод |
Диод Шотки |
Туннельный диод |
Полупроводниковый диод |
5 |
33. |
1 |
Полупроводниковый диод это прибор: |
с одним переходом и тремя выводами |
с двумя переходами и двумя выводами |
с одним переходом и 2мя выводами |
с одним переходом и одним выводом |
с 3мя переходами и 3мя выводами |
3 |
34. |
1 |
Условное обозначение выпрямительного диода: |
|
|
|
|
|
1 |
Физические основы микроэлектроники ДМ_2 |
||||||
1. |
1 |
Биполярный транзистор - это |
полупроводниковый прибор с 2-мя взаимодействующими электрическими переходами и 3-мя выводами |
полупроводниковый прибор с одним взаимодействующим электрическим переходом и 2-мя выводами |
полупроводниковый прибор с 3-мя взаимодействующими электрическими переходами и 2-мя выводами |
1 |
2. |
1 |
Как называется крайняя область транзистора, которая используется в режиме инжекции? |
коллектор |
эмиттер |
база |
2 |
3. |
1 |
Как называется область, которая осуществляет экстракцию носителей заряда? |
коллектор |
эмиттер |
база |
1 |
4. |
1 |
Средняя область транзистора- |
коллектор |
эмиттер |
база |
3 |
5. |
1 |
Как называется электронно-дырочный переход, расположенный между эмиттером и базой? |
коллекторный |
эмиттерный |
базовый |
2 |
6. |
1 |
Выбрать структуру биполярного транзистора: |
|
|
|
1 |
7. |
1 |
В каком случае ток одного из переходов может управлять током другого перехода? |
При малом потенциальном напряжении между переходами. |
При большой толщине области между переходами. |
При малой толщине области между переходами. |
3 |
8. |
1 |
Различают 2 типа биполярных транзисторов: |
-Р-n |
P-n-P |
n-p-n |
23 |
9. |
1 |
Принцип действия P-n-P транзистора: |
Эмиттер инжектирует в базу дырки |
Эмиттер инжектирует в базу электроны |
Коллектор инжектирует в базу дырки |
2 |
10. |
1 |
Принцип действия n-p-n транзистора: |
Эмиттер инжектирует в базу дырки |
Эмиттер инжектирует в базу электроны |
Коллектор инжектирует в базу дырки |
1 |
11. |
1 |
Перечислить режимы транзистора: |
активный |
двойной |
суммирующий |
1 (12) |
12 |
1 |
Если на эмиттерный переход подается прямое напряжение, на коллекторный – обратное: |
Инверсное включение |
Нормальное включение |
Двойной режим |
2 |
13. |
1 |
Если на эмиттерный переход подается обратно напряжение, на коллекторный – прямое: |
Инверсное включение |
Нормальное включение |
Двойной режим |
1 |
14. |
1 |
Если оба p-n перехода смещены в обратное направление, при этом через транзистор проходят сравнительно небольшие токи - |
Режим отсечки |
Режим насыщения |
Активный режим |
1 |
15. |
1 |
Если оба p-n перехода смещены в прямом направление, при этом через транзистор проходят сравнительно большие токи- |
Режим отсечки |
Режим насыщения |
Активный режим |
2 |
16. |
1 |
Если один из p-n переходов смещен в прямом направление, а другой в обратном- |
Режим отсечки |
Режим насыщения |
Активный режим |
3 |
17. |
1 |
При каком режиме транзистор может выполнять функции активного элемента электрической схемы? |
Режим отсечки |
Режим насыщения |
Активный режим |
3 |
18. |
1 |
При каком режиме , а ток базы значительно меньше как тока эмиттера, так и тока коллектора? |
Режим отсечки |
Режим насыщения |
Активный режим |
3 |
19. |
1 |
При каком режиме не выполняется, ток базы может оказаться сравнимым с током эмиттера? |
Режим отсечки |
Режим насыщения |
Активный режим |
2 |
20. |
1 |
При каком режиме через переходы проходят незначительные обратные токи, обусловленные процессами тепловой генерации носителей заряда? |
Режим отсечки |
Режим насыщения |
Активный режим |
1 |
21. |
1 |
Для какой схемы усилительные свойства проявляются, если в качестве входной цепи использовать эмиттерные, а в качестве выходной – коллекторные цепи? |
ОЭ |
ОБ |
ОК |
2 |
22. |
1 |
Для какой схемы входной является цепь базы, а выходной – цепь коллектора? |
ОЭ |
ОБ |
ОК |
1 |
23. |
1 |
Для какой схемы входной является цепь базы, а выходной – цепь эмиттера? |
ОЭ |
ОБ |
ОК |
3 |
24. |
1 |
Выбрать схему включения транзистора с общей базой? |
|
|
|
1 |
25. |
1 |
Выбрать схему включения транзистора с общим эмиттером? |
|
|
|
2 |
26. |
1 |
Выбрать схему включения транзистора с общим коллектором? |
|
|
|
3 |
27. |
1 |
Для чего для каждой схемы включения вводятся свои семейства характеристик? |
Позволяют правильно выбрать рабочий режим транзистора. |
Обеспечить наиболее эффективное использование возможности транзистора. |
Позволяют правильно выбрать схему включения. |
1 (12) |
28. |
1 |
К основным статическим характеристикам относят? |
Характеристики передачи |
Обратной связи |
Входные и выходные |
3 |
29. |
1 |
К дополнительным характеристикам относят? |
Характеристики передачи |
Обратной связи |
Входные и выходные |
1 (12) |
30. |
1 |
Для схемы с ОБ входными и выходными статическими характеристиками являются зависимости: |
при ; при |
при ; при |
при ; при |
1 |
31. |
1 |
Для схемы с ОЭ входными и выходными статическими характеристиками являются зависимости: |
при ; при |
при ; при |
при ; при |
2 |
32. |
1 |
Входная статическая характеристика транзистора, включенного в схеме с ОБ: |
|
|
|
1 |
33. |
1 |
Выходная статическая характеристика транзистора, включенного в схеме с ОБ: |
|
|
|
1 |
34. |
1 |
Входная статическая характеристика транзистора, включенного в схеме с ОЭ: |
|
|
|
2 |
35. |
1 |
Выходная статическая характеристика транзистора, включенного в схеме с ОЭ: |
|
|
|
2 |
36. |
1 |
Зависимость между коллекторным и эмиттерным токами определяется соотношением: |
|
|
|
2 |
37. |
1 |
Зависимость между коллекторным и базовыми токами определяется соотношением: |
|
|
|
1 |
38. |
1 |
Что такое I КБО-? |
Обратный ток коллектора в схеме ОБ при токе эмиттера, равным 0. |
Обратный ток коллектора, определяемый при токе базы, равным 0. |
Обратный ток коллектора, определяемый при токе коллектора, равным 0. |
1 |
39. |
1 |
Что такое I КЭО-? |
Обратный ток коллектора в схеме ОБ при токе эмиттера, равным 0. |
Обратный ток коллектора, определяемый при токе базы, равным 0. |
Обратный ток коллектора, определяемый при токе коллектора, равным 0. |
2 |
40. |
1 |
Тиристор - это |
полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, который имеет три выпрямляющих перехода. |
полупроводниковый прибор с 2-мя взаимодействующими электрическими переходами и 3-мя выводами |
полупроводниковый прибор, который может переключаться из закрытого состояния в открытое и наоборот. |
1 (13) |
41. |
1 |
Динистор имеет … |
2 вывода, через который проходит как основной ток, так и ток управления. |
4 вывода, с чередующим типом электропроводности. |
3 вывода, через который проходит как основной ток, так и 2 омических перехода. |
1 |
42. |
1 |
Сколько областей составляет структура динистора: |
3 |
4 |
6 |
2 |
43. |
1 |
Структура диодного тиристора имеет … |
3 выпрямляющих p-n перехода и два омических перехода. |
4 перехода, с чередующим типом электропроводности. |
2 перехода, через который проходит как основной ток, так и ток управления. |
3 |
44. |
1 |
Электрод, примыкающий к n1-области, называется … |
катодом |
анодом |
управляющим |
1 |
45. |
1 |
Электрод, примыкающий к p2-области, называется … |
катодом |
анодом |
управляющим |
2 |
46. |
1 |
В тиристоре имеются следующие области: |
эмиттерные |
базовые |
коллекторные |
12 |
47. |
1 |
Ток через структуру тиристора определяется: |
управляющим переходом |
обратносмещенным эмиттерным переходом |
обратносмещенным коллекторным переходом |
3 |
48. |
1 |
С ростом приложенного напряжения у тиристора: |
увеличивается инжекция электронов из n1-области в p1-базу. |
увеличивается экстракция электронов из n1-области в p1-базу. |
уменьшается инжекция электронов из n1-области в p1-базу. |
1 |
49. |
1 |
Триодный тиристор имеет … |
2 основных и 1 управляющий электрод из базовых областей. |
2 выпрямляющих p-n перехода и 3 омических перехода. |
2 управляющих электрода и 1 основной. |
1 |
50. |
1 |
В радиоэлектронной аппаратуре широко используются: |
симисторы |
Симметричные диодные тиристоры. |
Симметричные полярные тиристоры |
2 (12) |