- •З дисципліни «Енергетична електроніка»
- •1 Розрахун ок однофазного випрямляча малої потужності
- •Вихідні дані для розрахунку
- •Рекомендовані значення максимальної індукції та к.К.Д. Трасформатора д ля марок сталей э340, э350, э360
- •Основн і параметрі деяких випрямних діодів
- •Конден сатори постійної ємності
- •Результати розрахунку навантажувальної характеристики випрямляча
- •2 Розрахунок компенсаційного транзисторного стабі лізатора напруги
- •Основні параметри деяких транзисторів
- •Ряди номінальних значень
- •Пост ійні резистори
- •Пара метри стабілітронів для 100 в... 150 в
2 Розрахунок компенсаційного транзисторного стабі лізатора напруги
Виконання розрахунку транзисторного компенсаційного стабілізатора постійної напруги. Даними для розрахунку є вихідні дані, котрі були одержані в ході розрахунку випрямляча (Uвих = Ud; Iн = Id). Допустиме відносне змінювання вхідної напруги , а вихідної напруги змінюється не більше .
Необхідно визначити:
тип і параметри транзисторів і стабілітрона;
режим роботи схеми (значення струмів та напруг в елементах);
ємність та тип конденсаторів;
к.к.д (коефіцієнт корисної дії) стабілізатора;
накреслити електричну схему транзисторного компенсаційного стабілізатора постійної напруги.
Схема компенсаційного стабілізатора напруги зображена на рисунку 2.1.
Рис. 2.1. Схема компенсаційного стабілізатора напруги [6]
2.1 Вибір типу регулюючого транзистора і його режиму (VT1)
|
(2.1) |
де
Визначаємо номінальне і максимальне значення вхідної напруги:
|
(2.2) |
|
(2.3) |
Визначаємо максимальну потужність, яка розсіюється на регулюючому транзисторі:
|
(2.4) |
|
(2.5) |
Таблиця 2.1
Основні параметри деяких транзисторів
Тип транзистора |
Структура |
РК max, мВт |
h21E (β) |
fh2IE, МГц |
Граничний режим |
Клас за потужністю |
|
UК max, В |
IК max, мА |
||||||
КТ 361 Г |
p-n-p |
150 |
50-350 |
250 |
35 |
50 |
Малої потужності |
КТ 3107 Е |
p-n-p |
300 |
120-220 |
200 |
20 |
100 |
|
КТ 315 Г |
n-p-n |
150 |
50-350 |
250 |
35 |
100 |
|
КТ 502 В |
р-п-р |
500 |
40-120 |
5 |
60 |
300 |
Середньої потужності |
КТ 503 В |
n-p-n |
500 |
40-120 |
5 |
60 |
300 |
|
КТ 814 А |
р-п-р |
1000 (10000) |
>40 |
3 |
40 |
1500 |
Великої потужності |
КТ 816 А |
р-п-р |
1000 (25000) |
>20 |
3 |
40 |
3000 |
|
КТ 815 А |
п-р-п |
1000 (10000) |
>40 |
3 |
40 |
1500 |
|
КТ 817 А |
п-р-п |
1000 (25000) |
>20 |
3 |
40 |
3000 |
З таблиці 2.1 вибираємо транзистор великої потужності, p-n-p типу КТ 814 А з додаткови м охолодженням (тепловідводом) для якого:
|
(2.6) |
2.2 Вибір типу транзистора VT2 і його режиму
Знайдемо колекторний струм транзистора
|
(2.7) |
де – додатковий струм, який протікає через резистор R4. Для малопотужних транзисторів вибирають в межах 1-2 мА. Приймаємо =2 мА.
|
(2.8) |
|
(2.9) |
|
(2.10) |
Вибираємо транзистор середньої потужності, p-n-p типу КТ 502 В для якого:
Опір резистора R4
|
(2.11) |
Із стандартного ряду (таблиці 2.2 та 2.3) вибираємо резистор МЛТ з опором 75 кОм.
Таблиця 2.2