25. Построение нагрузочных характеристик. Двухтактные выходные каскады. Классификация, особенности работы и свойства.

26. Особенности оценки энергетических показателей двухтактного каскада в режиме в. Методы стабилизации режима по постоянному току при работе с отсечкой тока. Выходные каскады с повышенным кпд

27.Бестрансформаторный усилитель мощности.

Теперь, пользуясь схемой на (рис. 7), разберемся в принципе работы бестрансформаторного двухтактного усилителя мощности. Здесь также два транзистора, но они разной структуры: транзистор Vl - p - n - p, транзистор V2 - n - p - n. По постоянному току транзисторы включены последовательно, образуя как бы делитель напряжения питающего их источника постоянного тока. При этом на коллекторе транзистора V1 относительно средней точки между ними, называемой точкой симметрии, создается отрицательное напряжение, равное половине напряжения источника питания, а на коллекторе транзистора V2 - положительное, и также равное половине напряжения источника питания Uн.п. Динамическая головка В включена в эмиттерные цепи транзисторов: для транзистора V1 - через конденсатор С2, для транзистора V2 - через конденсатор С1. Таким образом, транзисторы по переменному току включены по схеме ОК (эмиттерными повторителями) и работают на одну общую нагрузку - головку В.

Рис. 7 Двухтактный бестрансформаторный усилитель мощности.

На базах обоих транзисторов усилителя действует одинаковое по значению и частоте переменное напряжение, поступающее от предоконечного каскада. А так как транзисторы разной структуры, то и работают они поочередно, на два такта: при отрицательной полуволне напряжения открывается только транзистор V1 и в цепи головка В - конденсатор С2 появляется импульс коллекторного тока (на рис. 6 - график б), а при положительной полуволне открывается только транзистор V2 и в цепи головка - конденсатор С1 появляется импульс коллекторного тока этого транзистора (на рис. 6 - график в). Таким образом, через головку течет суммарный ток транзисторов (график г на рис. 6), представляющий собой усиленные по мощности колебания звуковой частоты, которые она преобразует в звуковые колебания. Практически получается тот же эффект, что и в усилителе с трансформаторами, но, благодаря использованию транзисторов разной структуры, отпадает надобность в устройстве для подачи на базы транзисторов сигнала в противофазе.

28.Определение параметров транзистора по его входным и выходным вольтамперным характеристикам.

Основными вольтамперными характеристиками транзистора являются входная и выходная характеристики.

Зависимость Uвх =¦1(Iвх)|Uвых =const – называют входной статической вольт–амперной характеристикой (ВАХ), а зависимость Iвых=¦2(Uвых) |Iвх =const выходной статической ВАХ. ВАХ снимают в режиме по постоянному току и представляют собой зависимости постоянных токов и напряжений. Характеристики транзистора зависят от схемы его включения.

Для транзистора включенного по схеме с ОБ это будут соответственно зависимости:

Uэб =¦1(Iэ), при Uкб=const

Iк =¦2(Uкб), при Iэ=const (5)

Характеристики обычно снимаются при нескольких различных постоянных значениях Iэ и Uкб. При этом получаются семейства статических входных и выходных характеристик, которые представлены на рис. 1.4 а, б.

Входной характеристикой для схемы с ОБ является зависимость напряжения Uэб от входного тока Iэ при фиксированном Uкб (рис.1.4а). Эта характеристика подобна обычной характеристике полупроводникового диода смещенного в прямом направлении. При подаче положительного коллекторного напряжения Uкб>0 характеристика смещается влево. Это свидетельствует о наличии в транзисторе внутренней обратной связи, возникающей по ряду причин. Например, увеличение коллекторного напряжения вызывает уменьшение толщины базы, из-за чего увеличивается градиент концентрации основных носителей, что вызывает увеличение тока эмиттера и веерообразное смещение входных характеристик влево.

Выходная характеристика для схемы с ОБ (рис.1.4б) выражает зависимость тока коллектора Iк =f2(Uкб) при заданных входных токах Iэ. Как видно из рис.1.4б при Uкб=0 ток коллектора Iк ¹ 0, т.к. основные носители области эмиттера, инжектированные в базу, дрейфуют через коллекторный p-n-переход в область коллектора. Ток коллектора Iк (ток неосновных носителей) исчезает (обращается в ноль) только при некотором напряжение обратной полярности (при прямом смещении коллекторного перехода).