- •2.3. Методы анализа линейных усилительных каскадов
- •7. Вольт-амперные характеристики полевых транзисторов
- •8. Схемы замещения.
- •9. Составной транзистор – это комбинация двух (или нескольких) транзисторов, которую можно рассматривать как единое целое.
- •14. Операционный усилитель (оу) как аэ аналоговой схемотехники. Модели оу. Представление ачх и фчх и двух- и трехкаскадной моделей оу
- •15. Обеспечение устойчивости оу с цепью оос.
- •16. Реальные параметры и идеализированные свойства оу. Эквивалентная схема оу по постоянному току. Основные операционные схемы (ос): инвертирующая, неинвертирующая и дифференциальная.
- •18. Особенности проектирования и расчета пн и птн
- •19. Статические и динамические нагрузочные характеристики аэ и их использование в аналоговой схемотехнике. Режимы а, в, с, d. Основные энергетические показатели и диаграммы мощности режимов.
- •21.Стабилизация рт с помощью оос. Параметрическая стабилизация. Цепи питания бт. Использование гст для задания режимов работы аэ
- •23. Каскады с повышенным входным сопротивлением на бт и пт. Применение составных транзисторов. Пересчет параметров транзисторов при различных включениях
- •24. Особенности работы каскадов в режиме большого сигнала. Требования, предъявляемые к выходным каскадам. Виды каскадов. Однотактные выходные каскады.
- •25. Построение нагрузочных характеристик. Двухтактные выходные каскады. Классификация, особенности работы и свойства.
- •26. Особенности оценки энергетических показателей двухтактного каскада в режиме в. Методы стабилизации режима по постоянному току при работе с отсечкой тока. Выходные каскады с повышенным кпд
- •27.Бестрансформаторный усилитель мощности.
- •28.Определение параметров транзистора по его входным и выходным вольтамперным характеристикам.
- •29.Широкополосные усилители (шу) с коррекцией ачх и пх. Методы коррекции характеристик (нч и вч).
- •30.Усилители постоянного тока (упт). Принципы построения, обеспечение минимального дрейфа параметров. Упт с преобразованием.
- •31.Усилительные каскады с динамической нагрузкой. Каскадный усилитель. Многокаскадные усилители с оос. Методы увеличения глубины оос. Паразитные обратные связи и методы борьбы с ними.
- •32. Построение нагрузочных прямых по постоянному и переменному току.
- •33. Расчет параметров усилителей с обратными связями
- •34. Основные определения (терминология) в интегральной схемотехнике. Интегральные микросхемы, элементы, компоненты. Элементы конструкции.
- •35. Простые и сложные ис. Степень интеграции ис. Классификация ис
- •36. Система условных обозначений в ис. Методы изготовления (виды технологий) ис
- •37. Оу как активный элемент мэу. Типы оу и их отличительные особенности. Меры предосторожности и полезные советы при использовании оу
- •38.Корректирующие усилители на оу
- •39. Гст на основе оу. Гст с изолированной нагрузкой. Оценка параметров и точности формирования тока с реальным оу. Гст с заземленной нагрузкой.
- •42.Стабилизаторы напряжения сн на основе оу. Сн как элемент схемотехники. Однополярные сн с опорными стабилитронами.
- •43. Сн с повышенной нагрузочной способностью и ограничениям по току. Следящий сн разнополярных напряжений.
- •44. Экстрематоры сигналов на основе оу (однополярные и двухполярные). Оценка точности формирования экстремума.
- •45. Линейные преобразователи переменного напряжения в постоянное. Сущность линеаризации амплитудной характеристики. Критерий малости преобразуемого напряжения. Пн амплитудных значений.
- •46. Электронно-управляемые масштабные пн на основе оу. Пн с линейным и экспоненциальным управлением и электронным переключением полярности коэффициента передачи.
- •47. Мостовой усилитель как преобразователь приращений проводимостей (сопротивлений) в напряжение. Циркулятор сигналов. Линейные преобразователи полных проводимостей (сопротивлений) в напряжение.
- •48. Устройства регулирования сигналов и регулируемые усилители
- •49. Основные свойства и параметры перемножителей сигналов (пс). Реализация математических операций (умножения, деления, возведения в квадрат, извлечения квадратного корня) на основе пс.
- •1.2.7 Синхронный (линейный) амплитудный демодулятор
- •51. Методы реализации пс на основе операций логарифмирования и антилогарифмирования сигналов, на основе изменения проводимости канала пт, на основе использования время амплитудного преобразования
- •1.2.11Времяамплитудный перемножитель сигналов
- •52. Расчет упт и функциональных преобразователей на основе оу.
- •53. Системы сбора и распределения данных. Интегральные компараторы сигналов. Аналоговые коммутаторы ак. Многоканальные коммутаторы: мультиплексоры, демультиплексоры
- •58. Задачи, основные этапы и особенности схемотехнического проектирования. Основные принципы интегральной схемотехники. Теоретические основы интегральной схемотехники. Анализ структур активных
- •59. Транзисторные структуры тс. Диодно-транзисторные структуры дтс как отражатели тока. Токовое зеркало Уилсона. Биполярно-униполярные структуры. Отражатели тока на пт.
- •60. Проблемы непосредственной связи в полупроводниковых ис. Согласование импедансов и уровней постоянного тока. Стабилизация уровней напряжения и тока.
- •61. Источники опорного напряжения ион на бт и пт. Ион с умножением напряжения база-эмиттер бт. Повышение коэффициента фильтрации питающего напряжения. Ион с термокомпенсацией.
- •63. Основные типы каскадов и ососбенности их реализации в полупроводниковых ис: однотактные, двухтактные, дифференциальные. Ду на бт и пт как активные элементы интегральной схемотехники.
- •64. Разновидности схемотехники интегральных ду. Ду на моп-транзисторах с активной нагрузкой.
- •70. Схемотехническое проектирование реальной модели оу. Схемотехника модели. Формирование малосигнальных параметров. Определение параметров статических ошибок оу
- •75. Формирование синусоидальных сигналов с повышенной стабильностью амплитуды и линейностью характеристик управления по частоте.
- •76. Теоретические основы управляемых высокочастотных и низкочастотных автогенераторов. Схемотехническая реализация микроэлектронных автогенераторов на высоких и низких частотах.
- •77. Широкополосный амплитудный демодулятор. Преобразователь частоты импульсов в напряжение. Формирователи импульсных сигналов из синусоидальных.
- •78. Прецизионный амплитудный демодулятор. Линейный частотный модулятор и цифровой частотно-фазовый демодулятор в его составе.
- •79. Сущность проблемы индуктивности в микроэлектронике. Реализация индуктивности с помощью аэ. Реализация активных фильтров (аф).
- •80. Методы синтеза аф и их сравнительная оценка. Аппроксимация нормированной ачх фнч. Преобразование ачх фнч в ачх фвч и в ачх полосовых фильтров пф.
- •81. Усилители с ограниченным коэффициентом передачи в аф. Типовые структуры аф на оу. Режекторно-полосовые фильтры и их свойства, ограничительные свойства аф.
60. Проблемы непосредственной связи в полупроводниковых ис. Согласование импедансов и уровней постоянного тока. Стабилизация уровней напряжения и тока.
61. Источники опорного напряжения ион на бт и пт. Ион с умножением напряжения база-эмиттер бт. Повышение коэффициента фильтрации питающего напряжения. Ион с термокомпенсацией.
Источники опорного напряжения (ИОН) широко применяются также в качестве эталонной меры в аналого-цифровых и цифро-аналоговых преобразователях, а также в разного рода пороговых устройствах.В любой схеме стабилизатора требуется наличие опорного напряжения, с которым сравнивается величина выходного напряжения. Стабильность выходного напряжения стабилизатора не может быть выше стабильности его источника опорного напряжения.
ИОН на полевых транзисторах
Сравнительно недавно на рынке электронных компонентов появилось новое поколение источников опорного напряжения - XFET-источники (eXtra Field Effect Transistor). Новая схемотехника обеспечивает источнику опорного напряжения низкий шум, малый ток потребления, низкий ТКН и очень высокую долговременную стабильность.
Ядро XFET-источника состоит из двух полевых транзисторов с управляющим pn-переходом (рис. 1), один из которых (VT2) имеет дополнительный встроенный канал, за счет чего его напряжение отсечки увеличено по сравнению с напряжением отсечки транзистора VT1.
Рис. 1. ИОН на полевых транзисторах
Токи стоков транзисторов одинаковы (J1=J2); за счет действия операционного усилителя разность потенциалов истоков транзисторов равна нулю. Поэтому образуется разность потенциалов между затворами транзисторов Uоп, которая может быть усилена и использована для формирования весьма стабильного опорного напряжения.
Для этих источников опорного напряжения характерна величина Uоп примерно 0,5 В с отрицательным ТКН около -60 мкВ/К, что примерно в 30 раз меньше, чем у ИОН на ширине запрещенной зоны. Такая малая температурная нестабильность может быть легко скомпенсирована практически таким же способом, что и у источника опорного напряжения на ширине запрещенной зоны. В схеме на рис. 1 эта компенсация осуществляется источником тока JТК с положительным ТКН.
Меньшая величина ТКН опорного элемента на полевых транзисторах и, как следствие, меньший компенсационный ток JТК, обуславливают значительно меньший, чем у источников опорного напряжения на ширине запрещенной зоны, шум выходного напряжения, так как большая часть шума ИОН на ширине запрещенной зоны приходит из схемы температурной компенсации. Уравнение электрического равновесия схемы на рис. 1 имеет вид
Характерными представителями источников опорного напряжения на полевых транзисторах является семейство ADR29х, из которого, например, ИОН ADR291Е на 2,5 В имеет типичное значение ТКН=3·10-6 1/К, уровень шума 8 мкВ от пика к пику в полосе 0,1...10 Гц, типовой ток потребления 9 мкА и прекрасную долговременную стабильность.
62. Масштабный преобразователь опорного напряжения. Температурный коэффициент (ТК) напряжения база-эмиттер БТ. Источник с зонным опорным напряжением. ПТ как источник термостабильного тока и опорного напряжения. Прецизионные ИОН на ПТ и ОУ.