Санкт-Петербургский Государственный

Электротехнический Университет «ЛЭТИ»

Кафедра МИТ

Отсчёт к лабораторной работе №4

по дисциплине

«Электрические Цепи и Микросхемотехника»

Тема:

«Статические характеристики

биполярного транзистора»

Выполнил: Студент: Проверил:

Серков Ф. Б. гр. 1202 Холуянов К. К.

Санкт-Петербург

2004

Цель работы: проведение моделирования вольтамперных характеристик биполярного транзистора КТ815б при включении его по схеме с общей базой и по схеме с общим эмиттером.

1. Введение.

Статические характеристики биполярного транзистора представляют собой зависимости между токами и напряжениями на входе и выходе транзистора: , , , . Эти величины могут быть связаны между собой различными вариантами систем уравнений, так как при составлении этих уравнений возможны различные задания независимых переменных.

Как известно, на входе транзистора располагается (при его работе в активном режиме) прямо смещённый p-n переход, а на выходе – обратно смещённый, поэтому удобно рассматривать зависимости напряжения на входе и тока на выходе транзистора. Ведь напряжение на входе – плавная функция тока на входе, а ток на выходе – плавная функция напряжения на выходе.

Исходя из вышесказанного, можно записать следующую систему уравнений:

(С)

На практике наиболее часто используются схема включения транзистора с общим эмиттером (рис. 1) и общей базой, поэтому в этой лабораторной работе будут рассмотрены характеристики транзистора этих схем включения.

Н

а рис. 1а-б) изображены названные выше схемы включения транзистора:

T1 T1
а) Схема с общим эмиттером (СОЭ)	Б) Схема с общей базой (СОБ)

Рис. 1. Схемы включения npn-транзистора.

Исходя их рис. 1 и системы (С) можно заполнить следующую ниже талблицу:

Вид характеристики:	Для СОЭ:	Для СОБ:
Выходная характеристика
Входная характеристика
Характеристика обратной связи по напряжению
Передаточная характеристика по току

2. Формулировка задания.

Построить характеристики отечественного биполярного npn-транзистора марки КТ815б, перечисленные в таблице (см. выше). Получить графики, характеризующие влияние температурного режима работы транзистора. Объяснить ход основных кривых характеристик. Для выходных характеристик построить кривую равной мощности ().

3