Лаба 2 Исследование биполярного транзистора / лаба2
.docГосударственный комитет РФ по высшему образованию
Санкт-петербургский Государственный Электротехнический Университет “Лэти”
ИССЛЕДОВАНИЕ
БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Отчет по лабораторной работе №2
Студент группы 2211
Санкт-Петербург
2005 год
Цель работы: изучение свойств биполярного транзистора в режиме постоянного тока и при переменном сигнале в зависимости от схемы его включения.
Схема включения транзистора с общей базой.
Входные характеристики:
Uкб = - 5 В
|
U,B |
-0,05 |
0,08 |
0,1 |
0,11 |
0,12 |
0,13 |
0,14 |
0,15 |
0,16 |
0,18 |
0,2 |
0,22 |
0,23 |
0,24 |
|
I,mA |
0 |
0,04 |
0,08 |
0,12 |
0,16 |
0,24 |
0,36 |
0,5 |
1 |
2 |
4 |
6 |
8 |
10 |
Uкб = 0 В
|
U,B |
0,27 |
0,24 |
0,23 |
0,21 |
0,18 |
0,16 |
0,15 |
0,14 |
0,13 |
0,12 |
0,11 |
0,1 |
0,08 |
0 |
|
I,mA |
10 |
8 |
6 |
4 |
2 |
1 |
0,5 |
0,36 |
0,24 |
0,16 |
0,12 |
0,08 |
0,04 |
0 |
Выходные характеристики:
Iэmax=10 мА
|
U,B |
6 |
4 |
3 |
2 |
0,5 |
0 |
-0,08 |
-0,16 |
-0,22 |
|
I,mA |
9,8 |
9,8 |
9,8 |
9,8 |
9,8 |
9,4 |
9,2 |
7,8 |
6 |
Iэx=7 мА
|
U,B |
7,2 |
6 |
4 |
0 |
-0,12 |
-0,19 |
-0,24 |
-0,26 |
-0,3 |
-0,32 |
-0,36 |
|
I,mA |
6,4 |
6,4 |
6,4 |
6,3 |
6 |
5 |
4 |
3 |
2 |
1 |
0 |
Iэx=5 мА
|
U,B |
8 |
6 |
4 |
0 |
-0,1 |
-0,16 |
-0,24 |
-0,28 |
-0,29 |
-0,38 |
|
I,mA |
4,8 |
4,8 |
4,8 |
4,7 |
4 |
3 |
2 |
1 |
0,2 |
0 |
Схема включения транзистора с общим эмиттером.
Входные характеристики:
|
Uкэ=0 |
||
|
Iб, мА |
Uб, B |
Iк, мА |
|
0,5 |
0,48 |
0 |
|
1 |
0,52 |
0 |
|
2 |
0,56 |
0 |
|
3 |
0,6 |
0 |
|
4 |
0,62 |
0 |
|
5 |
0,63 |
0 |
|
6 |
0,64 |
0 |
|
8 |
0,65 |
0 |
|
10 |
0,65 |
0 |
|
Uкэ=10 |
||
|
Iб, мА |
Uб, B |
Iк, мА |
|
0,5 |
0,55 |
3,9 |
|
1 |
0,6 |
10 |
|
2 |
0,68 |
19 |
|
3 |
0,76 |
32 |
|
4 |
0,88 |
56 |
|
5 |
0,98 |
68 |
|
6 |
1,05 |
70 |
|
8 |
1,1 |
72 |
|
10 |
1,1 |
75 |
|
Uкэ=20 B |
||
|
Iб, мА |
Uб, B |
Iк, мА |
|
0,5 |
0,62 |
12 |
|
1 |
0,66 |
21 |
|
2 |
0,72 |
35 |
|
4 |
0,88 |
60 |
|
5 |
0,97 |
68 |
|
6 |
1,071 |
76 |
|
8 |
1,2 |
88 |
|
10 |
1,2 |
98 |
|
Uкэ=40 B |
||
|
Iб, мА |
Uб, B |
Iк, мА |
|
0,5 |
0,6 |
14 |
|
1 |
0,64 |
25 |
|
2 |
0,72 |
42 |
|
4 |
0,88 |
70 |
|
5 |
1,01 |
80 |
|
6 |
1,1 |
93 |
|
8 |
1,2 |
100 |
|
10 |
1,3 |
100 |
Выходные характеристики:
|
Uкэ,В |
Iк,мА |
|
0 |
0 |
|
0,2 |
24 |
|
0,3 |
30 |
|
0,4 |
44 |
|
0,5 |
58 |
|
0,6 |
74 |
|
0,7 |
88 |
|
0,8 |
98 |
|
0,9 |
100 |
|
2 |
100 |
|
Uкэ,В |
Iк,мА |
|
0 |
0 |
|
0,2 |
20 |
|
0,3 |
30 |
|
0,4 |
43 |
|
0,5 |
62 |
|
0,7 |
80 |
|
0,8 |
84 |
|
1 |
84 |
|
2 |
84 |
|
2,2 |
90 |
|
2,5 |
92 |
|
3 |
92 |
|
Uкэ,В |
Iк,мА |
|
0 |
0 |
|
0,2 |
18 |
|
0,3 |
30 |
|
0,4 |
44 |
|
0,5 |
60 |
|
0,6 |
66 |
|
0,8 |
69 |
|
1 |
69 |
|
2 |
70 |
|
3 |
70 |
Вывод: в ходе лабораторной работы были исследованы биполярные транзисторы; построены входные и выходные статические характеристики для схем с ОБ и ОЭ, которые демонстрируют работу транзистора в режиме постоянного тока.