Лабораторные работы по курсу ТТЭл / эпу

Санкт-Петербургский Государственный

Электротехнический Университет

Кафедра РТЭ

Отчет по лабораторной работе N 1

“Исследование диодов, стабилитронов, туннельных диодов”

Студентка: Смирнова Т.А.

Преподаватель: Тупицын А.Д.

2002

Цель работы: изучение наиболее характерных свойств электронно – дырочного перехода при его работе в режиме выпрямления, при электрическом пробое и при возникновении туннельного эффекта.

Схемы измерений:

Справочные данные основных параметров диодов:

	ДВ145	КС191С			Д9Б	КД103А
Uст,В	9	9,1		Iпр ср,мА	90	30
Iст min,мА	3	3		Uпр,В	1	1
Iст max,мА	36	20		Uобр max,В	10	30
Rдиф	10	18		Iобр,мкА	250	30
ТКН,(%/С)	0,08	0,005		при Uобmax
Рпред,Вт	0,34	0,2		Пред ч-та	100кГц	200МГц

Таблицы измерений:

Прямая ветвь Д9Б

I, мА	0,08	0,16	0,24	0,32	0,44	0,6	0,8	1,2	1,3
U, В	0,11	0,13	0,15	0,16	0,17	0,19	0,2	,23	0,23

Обратная ветвь Д9Б

I, мА	2	2,5	3	4,1	6	8,1	9,2
U , В	0,25	0,26	0,28	0,29	0,33	0,34	0,38

Прямая ветвь КД103А

I, мА	0,01	0,02	0,03	0,04	0,05	0,06	0,08	0,1
U, В	0,38	0,45	0,49	0,52	0,53	0,54	0,55	0,55

Обратная ветвь КД103А

I, мА	0,2	0,4	0,6	0,8	1,1	1,5	2	4,8	8	9
U, В	0,57	0,6	0,61	0,62	0,64	0,65	0,67	0,71	0,72	0,73

Прямая ветвь КС191С

I, мА	0,01	0,02	0,03
U, В	4,8	6,8	9,2

Обратная ветвь КС191С

I, мА	2,3	9,6	При I = 0,3 мА, Uc = 8,6 В, dU = 0 мВ
d U, мВ	0,01	0,015

Прямая ветвь Д814Б

I, мА	0,01	0,02	0,03	0,06	0,1	0,14	0,18
U, В	4,4	5,4	6,5	7,4	8	8,2	8,2

Обратная ветвь Д814Б

I, мА	3,7	5,8	9,6	При I = 0,3мА, Uc = 8,8 В, dU = 0,1 мВ
d U, мВ	0,11	0,12	0,13

Прямая ветвь АИ301

I, мА	1,55	2,5	2,6	3,9	3,9	9,6	2,2	1,4	0,9	0,7
U, В	0,01	0,02	0,03	0,04	1	1,1	0,9	0,8	0,7	0,008

Обратная ветвь АИ301

I, мА	3,05	5	6,8	9,4
U , В	0,02	0,03	0,04	0,05

Расчет статического и динамического сопротивлений

Д814Б: динамическое – r = dU / dI = ( 9 - 8,8 )/( 0,036 – 0,003 ) = 6,06 Ом

cтатическое – R = Uст / I = 8,8 /0,0003 = 29,333 кОм

КС191С: динамическое – r = dU / dI = ( 9,1-8,6 )/( 0,02-0,003 ) = 29,41 Ом

cтатическое – R = Uст / I = 8,6 / 0,0003 = 28,666 кОм

Вывод: в ходе лабораторной работы был исследован процесс p-n перехода в стабилитронах, выпрямительных и туннельных диодах. Построены ВАХ для исследуемых материалов, которые иллюстрируют работу соответствующих элементов. Из графиков ВАХ стабилитрона видно, что его можно использовать для получения постоянного напряжения, а туннельный диод на определенном интервале можно использовать, как источник электро – магнитных колебаний. Рассчитанные значения динамических и статических сопротивлений стабилитрона говорят о том, что качество стабилизации у Д814Б лучше, чем у КС191С.