Лабораторные работы по курсу ТТЭл / эпу2
.docЦель работы: изучение свойств биполярного транзистора в режиме постоянного тока и при переменном сигнале в зависимости от схемы его включения.
Схемы измерений:
В ходе работы были изучены транзисторы: МП40А, МП14. Для МП40А:
|
Iк |
Uкб |
в |
Uэб mаx |
P |
fпр |
|
30 мА |
15 В |
20 - 40 |
10 В |
150 мВт |
1 мГц |
Входные характеристики Uэб( Iб ) для СОБ:
Uкб = 0
|
Iэ, мА |
0,07 |
0,13 |
0,2 |
0,3 |
0,5 |
0,8 |
1 |
2 |
3 |
4,5 |
6 |
8 |
11 |
|
Uэб, В |
0,08 |
0,09 |
0,1 |
0,12 |
0,13 |
0,14 |
0,15 |
0,18 |
0,19 |
0,2 |
0,22 |
0,23 |
0,24 |
Uкб = -5 В
|
Iэ, мА |
0,04 |
0,5 |
1 |
2 |
3 |
4 |
6 |
8 |
9,3 |
|
U |
0,06 |
0,1 |
0,13 |
0,16 |
0,18 |
0,2 |
0,22 |
0,24 |
0,26 |
эб,
В
Выходные херактеристики Iк( Uкб ) для СОБ:
Iэ = 10 мА
|
Iк, мА |
8,3 |
8,3 |
8,1 |
7,8 |
7,5 |
7 |
6 |
2,5 |
0,3 |
0 |
|
|
Uкб, В |
-5 |
-2,5 |
-1 |
0 |
0,1 |
0,15 |
0,2 |
0,3 |
0,37 |
0,4 |
Iэ = 5 мА
|
Iк, мА |
4,1 |
4,1 |
3,9 |
3,6 |
2,3 |
1,5 |
0,2 |
0 |
|
|
Uкб, В |
-5 |
-2 |
0 |
0,1 |
0,2 |
0,24 |
0,3 |
0,35 |
Iэ = 2,5 мА
|
Iк, мА |
2 |
2 |
1,9 |
1,8 |
1,4 |
0,45 |
0,13 |
0 |
|
|
Uкб, В |
-5 |
-2 |
0 |
0,1 |
0,15 |
0,2 |
0,25 |
0,28 |
Входные характеристики Iб( Uбэ ) для СОЭ:
Uкэ = 0
|
Iб, мА |
0,05 |
0,1 |
0,15 |
0,2 |
0,25 |
0,35 |
0,42 |
0,5 |
1 |
1,9 |
4 |
6,5 |
11 |
|
Uбэ, В |
0,08 |
0,11 |
0,12 |
0,13 |
0,14 |
0,15 |
0,16 |
0,18 |
0,21 |
0,26 |
0,36 |
0,44 |
0,5 |
Uкэ = -5 В
|
Iб, мА |
0,05 |
0,1 |
0,15 |
0,2 |
0,25 |
0,35 |
0,42 |
|
Uбэ, В |
0,08 |
0,11 |
0,12 |
0,14 |
0,15 |
0,16 |
0,17 |
Выходные характеристики Iк( Uкэ ) для СОЭ:
Iб = 0,42 мА
|
Iк, мА |
3,2 |
6,4 |
7,5 |
7,6 |
7,9 |
8,4 |
8,8 |
9 |
9,4 |
|
|
Uкэ, В |
0,1 |
0,2 |
0,34 |
0,5 |
1 |
2,1 |
3,3 |
4,5 |
5 |
Iб = 0,42 мА
|
Iк, мА |
2 |
3,5 |
3,5 |
3,5 |
3,8 |
3,85 |
3,9 |
3,95 |
|
|
Uкэ, В |
0,1 |
0,2 |
0,34 |
0,5 |
1 |
2,1 |
3,2 |
5 |
Iб = 0,42 мА
|
Iк, мА |
0,95 |
1,2 |
1,35 |
1,4 |
1,49 |
1,5 |
1,51 |
1,52 |
1,53 |
|
|
Uкэ, В |
0,1 |
0,2 |
0,34 |
0,5 |
1 |
2 |
3,3 |
4,5 |
5 |
Вывод: в ходе лабораторной работы были исследованы биполярные транзисторы; построены входные и выходные статические характеристики для схем с ОБ и ОЭ, которые демонстрируют работу транзистора в режиме постоянного тока.