Скачиваний:
14
Добавлен:
01.05.2014
Размер:
232.45 Кб
Скачать

Санкт-Петербургский Государственный Электротехнический Университет

Кафедра физических основ микроэлектроники.

Лабораторная работа №2

"Исследование электрических свойств

полупроводниковых материалов".

Преподаватель: Кальнин А.А.

Студент: Виноградов К.Ю.

Группа: 6361

Санкт-Петербург

15.7.2019

Описание установки.

Исследование темпиратурной зависимости сопротивления полупроводников производится на установке, состоящей из термостата с образцами полупроводниковых материалов и омметра, подключаемого поочередно к каждому из образцов.

Проведение исследований.

Подключая к омметру поочередно образцы полупроводниковых материалов, измерить их сопротивление при комнатной температуре. Вынести переключатель ступеней нагрева термостата в крайнее левое положение и включить термостат. Измерить сопротивление образцов полупроводников при температурах, соответствующих установившемуся режиму на каждой температурной ступени термостата. Контроль выхода термостата в установившийся режим производить по показанием омметра

Протокол измерений.

1. Кремний

см

2. Германий

см

3. Карбид кремния

см

4. Антимонид индия

см

таблица 1

R, ом

t0,C

Si

Ge

SiC

YnS

19

111,6

884,6

8010

2974

29

118,04

1255

5470

2369

35

120

989,9

4680

2160

40

122,8

1010

4120

2000

50

134,5

1064,4

3580

1823

58

138,6

1120,6

2993

1676

68

141,77

1080

2510

1500

75

145,09

1030

2160

1380

90

147,58

1000

1730

1280

95

145,86

987

1510

1240

100

150,26

852,4

1340

1160

105

158,7

714,4

1150

1110

110

153,5

796

1240

1130

115

160,19

660

1040

1070

120

164,2

625,4

946

1050

125

166,4

522

834

1010

130

170,1

4334

747

999

135

173,54

387,4

637,2

940

140

176,9

3326

560,5

920

145

179,2

280,4

449

914

150

183

2362

246

896

Обработка результатов:

1. Рассчитываем удельное сопротивление материалов по формуле , где R - сопротивление образца, S - площадь поперечного сечения, l - длина образца.

Вычисляем удельную проводимость как .

Результаты измерений заносим в таблицы 2.1,2.2,2.3,2.4.

таблица 2.1

Исследуемый

материал

T,K

R, Ом

Si

292

0,0034

111,6

7,4·10-4

0,134408·105

7,20

302

0,0033

118,04

7,86·10-4

0,127·105

7,4

308

0,0032

120

8·10-4

0,123·105

7,13

313

0,0031

122,8

8,1·10-4

0,122·105

7,107

323

0,003

134,5

8,96·10-4

0,111·105

7,016

331

0,00302

138,6

9,24·10-4

0,108·105

6,98

341

0,0029

141,77

9,45·10-4

0,105·105

6,96

348

0,0028

145,09

9,67·10-4

0,103·105

6,94

363

0,0027

147,58

9,83·10-4

0,101·105

6,92

368

0,00271

145,86

9,724·10-4

0,102·105

6,93

373

0,00268

150,26

10,01·10-4

0,099·105

6,90

383

0,00261

158,7

10,58·10-4

0,094·105

6,85

378

0,00264

153,5

10,23·10-4

0,0977·105

6,88

Исследуемый

материал

T,K

R, Ом

Si

388

0,00257

160,19

10,67·10-4

0,0936·105

6,84

393

0,00254

164,2

10,94·10-4

0,091·105

6,81

398

0,00251

166,4

11,093·10-4

0,0901·105

6,80

403

0,00248

170,1

11,34·10-4

0,088·105

6,78

408

0,00245

173,54

11,56·10-4

0,086·105

6,76

413

0,00242

176,9

11,79·10-4

0,084·105

6,74

418

0,00231

179,2

11,94·10-4

0,083·105

6,72

423

0,00236

183

12,2·10-4

0,081·105

6,70

таблица 2.2

Исследуемый

материал

T,K

R, Ом

Ge

292

0,0034

884,6

58,9·10-4

0,001·105

5,133

302

0,0033

1255

83,66·10-4

0,0012·105

4,78

308

0,0032

989,9

65,99·10-4

0,0015·105

5,02

313

0,0031

1010

67,33·10-4

0,0014·105

5

323

0,003

1064,4

70,95·10-4

0,0014·105

4,94

331

0,00302

1120,6

74,66·10-4

0,0013·105

4,89

341

0,0029

1080

72·10-4

0,0013·105

4,93

348

0,0028

1030

68,6·10-4

0,0014·105

4,98

363

0,0027

1000

66,6·10-4

0,0015·105

5,01

368

0,00271

987

65,8·10-4

0,0015·105

5,02

373

0,00268

852,4

56,82·10-4

0,0017·105

5,17

388

0,00257

660

47,62·10-4

0,0019·105

5,34

393

0,00254

385,4

51,06·10-4

0,0018·105

5,23

398

0,00251

522

34,8·10-4

0,0019·105

5,66

403

0,00248

433,4

28,86·10-4

0,003·105

5,84

408

0,00245

387,4

25,80·10-4

0,008·105

5,95

413

0,00242

3326

18,69·10-4

0,005·105

6,28

418

0,00231

280,4

18,61·10-4

0,006·105

6,45

423

0,00236

236,2

таблица 2.3

Исследуемый

материал

T,K

R, Ом

SiC

292

0,0034

8010

0,96110

1,04

0,04

302

0,0033

5470

0,6564

1,52

0,42

313

0,0031

4680

0,5616

1,78

0,57

323

0,003

4120

0,4944

2,02

0,70

333

0,003

3580

0,4296

2,32

0,84

343

0,0029

2993

0,3728

2,56

0,97

353

0,0028

2510

0,3253

2,80

1,10

363

0,0027

1730

0,2764

2,99

1,23

373

0,0026

1340

0,2349

3,18

1,36

таблица 2.4

Исследуемый

материал

T,K

R, Ом

YnSb

292

0,0034

2974

0,01487

67,2

4,2

302

0,0033

2369

0,0118

84,4

4,43

313

0,0031

2160

0,0108

92,5

4,52

323

0,003

2000

0,0100

100

4,60

333

0,003

1823

0,0092

108,3

4,68

343

0,0029

1676

0,0084

116,9

4,75

353

0,0028

1500

0,0076

125,1

4,82

363

0,0027

1280

0,0068

133,2

4,89

373

0,0026

1160

0,0060

141,7

4,94

Соседние файлы в папке Лабораторная работа №2