- •Даутов о.Ш. Электромагнитная совместимость
- •Лекция 2
- •2 Моделирование возникновения, распространения и воздействия помех на основе уравнений электродинамики
- •2.1. Уравнения электромагнитного поля.
- •Лекция 3
- •2.2. Уравнения поля в дифференциальной форме.
- •Лекция 4
- •2.3. Материальные уравнения
- •Лекция 5
- •2.4. Комплексная форма уравнений поля.
- •2.5 Единственность решений уравнений поля
- •2.6 Плоская электромагнитная волна в однородной среде.
- •Лекция 6
- •3. Возникновение и распространение помех в конструкциях
- •3.1 Задержка и искажение сигнала в схемах с сосредоточенными элементами и в коротких линиях связи
- •Лекция 7
- •3.2. Распространение помех в регулярных направляющих системах
- •Лекция 8
- •3.3. Расчет помех рассогласования в длинной линии при произвольной нагрузке
- •Ток в линии представлен слагаемыми
- •Эта волна вызывает появление первой отраженной волны Us0 (р, ), так что суммарное напряжение и ток удовлетворяют условию:
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 9
- •3.4. Расчет поля помехи по известному распределению источников
- •Контрольные вопросы.
- •Лекция 10
- •3.5. Перекрестные помехи по электрическому полю в коротких многопроводных линиях связи
- •Коэффициенты сij в этом уравнении являются взаимными емкостями между проводниками. Связь с емкостными коэффициентами очевидна:
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 11.
- •3.6. Перекрестные помехи за счет магнитных связей в многопроводных линиях
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 12
- •3.7. Перекрестные помехи в длинных линиях связи
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 13
- •4. Физические методы обеспечения электромагнитной совместимости.
- •4.1. Экранирование электростатических полей
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 14
- •4.2. Экранирование магнитостатических полей.
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 15
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 16
- •4.4. Применение объемного интегрального уравнения к расчету плоского экрана
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 17
- •4.5. Расчет многослойных экранов при экранировании плоской волны
- •Отношение комплексной амплитуды отраженной волны к комплексной амплитуде падающей волны назовем коэффициентом отражения:
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 18
- •4.6. Экранирование локального источника многослойным экраном
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 19
- •4.7. Фильтры
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 20
- •Заключение
- •Контрольные вопросы
Контрольные вопросы.
1. При каких условиях может быть непосредственно рассчитано поле помехи по известным его источникам?
2. Каким образом вводятся скалярный и векторный потенциалы при расчете поля ?
3. Сужает ли множество возможных решений уравнений поля введение условия калибровки Лоренца?
4. Какой вид принимают уравнения для потенциалов поля при выполнении условий калибровки?
5. Какое решение выбирается для поля локального источника из общего решения уравнения для потенциала поля?
6. Какой вид имеет представление поля с помощью запаздывающих потенциалов?
7. За счет чего выполняются условия излучения в решении уравнений поля, полученном с помощью электродинамических потенциалов?
8. Каким соотношением связаны токи и заряды?
Лекция 10
3.5. Перекрестные помехи по электрическому полю в коротких многопроводных линиях связи
Многопроводниковые линии связи широко применяются в современной электронной аппаратуре во всевозможных вариантах. Например в виде пластиковых плоских гибких шин, армированных несколькими десятками проводников круглого или квадратного сечения, которые на значительном расстоянии соседствуют друг с другом, образуя рассмотренную нами ранее регулярную многопроводную направляющую систему. Часть проводников используется как сигнальные, а остальные могут быть заземлены и использоваться как электростатические экраны, разделяя пары сигнальных проводников, образующих линии связи.
Рис. 10.1. Фрагмент многопроводной линии связи.
Пластиковая оболочка не играет существенной роли для формирования электрических свойств. Более того, чем ближе ее диэлектрическая проницаемость к 1, тем меньше задержка распространения сигнала. Для простоты вначале будем считать межэлектродное пространство однородным.
Рассмотрим короткие линии связи с представленной на рис.10.1. геометрией сечения. Как было установлено в такой системе электрическое и магнитное поле поперечно и потенциально. При передаче сигнала на проводниках возникают потенциалы 1, 2,…N и наводятся погонные заряды 1, 2,…N. Кроме того вдоль проводников текут токи I1, I2,…IN и возникает магнитное поле. Перекрестные помехи могут проникать из одной линии в другую за счет электрического и магнитного взаимодействия. Для расчета проникновения поля помехи за счет связи по электрическому полю используется обычная методика решения задач электростатики. В системе из N проводящих тел между потенциалами и разрядами существует линейная связь. Если поместить на j-ый проводник единичный заряд, то на всех проводниках индуцируется плотность заряда rSi, так что
(10.1)
Потенциал, наводимый на каждом i-ом проводнике за счет заряда qi на j-ом проводнике можно предсказать теперь в виде суммы потенциалов от отдельных проводников:
, (10.2)
где - расстояние от точки на поверхности Si, на котором рассчитывается потенциал, до точки интегрирования на поверхности Sm. Общий потенциал на i-ом проводнике складывается из потенциалов, создаваемых всеми зарядами:
, (10.3)
где коэффициенты ij, называемые потенциальными коэффициентами, зависят только от геометрии системы:
. (10.4)
Используя принцип взаимности можно установить свойство симметрии коэффициентов {}:
ij = ji. (10.5)
Связь между зарядами и потенциалами (10.3) можно обратить и выразить заряды через потенциалы:
. (10.6)
Коэффициенты обратной матрицы сij также симметричны
сij = сji. (10.7)
и называются емкостными коэффициентами. Для того чтобы объяснить смысл этих коэффициентов придадим уравнению (10.6) несколько иной вид:
qi = ci1 (i - 1) + ci2 (i - 2) +… ciii +… + ciN (i - N) . (10.8)