Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Лабораторная работа 61 / 2008-05-14-21-24-konstantin-6материалы

.doc
Скачиваний:
25
Добавлен:
01.05.2014
Размер:
103.94 Кб
Скачать

Санкт-Петербургский Государственный Электротехнический Университет

кафедра микроэлектроники

отчет

по лабораторной работе №6

на тему:

«Исследование свойств конденсаторных материалов»

Выполнил студент группы 4023

Преподаватель

Санкт - Петербург

2006 г.

1. Основные понятия

Конденсаторные материалы применяются в качестве рабочего диэлектрика в конденсаторах. К основным параметрам конденсатора относятся емкость С, температурный коэффициент емкости (ТКЕ) с, тангенс угла потерь tg(). Значения этих параметров во многом обусловливаются свойствами используемого материала.

Емкость конденсатора С определяется как отношение накопленного в нем заряда Q к напряжению U, приложенному к обкладкам конденсатора, и зависит отконструкции и геометрических размеров конденсатора, а также от диэлектрической проницаемости диэлектрика. Емкость простейшего плоского конденсатора с электродами, имеющими форму квадрата,

(1) где 0 = 8.85*10-12 Ф/м – электрическая постоянная;  – относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрика; l – сторона квадрата; h – толщина диэлектрика. Из выражения видно, что для увеличения емкости конденсатора при минимальных его размерах, следует применять диэлектрики с возможно большим значением .

ТКЕ отражает отклонение емкости, обусловленное изменением температуры и, следовательно, характеризует температурную стабильность емкости конденсатора.

(2)

Дифференцирование выражения (1) дает:

(3)

Разделим выражение (3) на выражение (1):

, или С =+2М -Д

где , М и д – температурные коэффициенты диэлектрической проницаемости диэлектрика, линейного расширения металла электродов и линейного расширения диэлектрика соответственно. В случае, когда в качестве электродов используется тонкий слой металла, нанесенный непосредственно на диэлектрик, можно считать, что М = д, и ТКЕ будет С = +Д .

При включении конденсатора в цепь в нем наблюдаются потери электрической энергии, приводящие к его нагреванию. Потери энергии складываются из потерь в диэлектрике и потерь в проводящих частях конденсатора. Для описания потерь на переменном напряжении обычно используют tg(), где  – угол, дополняющий до 90 угол сдвига фаз между током и напряжением конденсатора. Этот параметр характеризует склонность конденсатора рассеивать энергию.

Различают высокочастотные и низкочастотные конденсаторные материалы. В качестве высокочастотных применяют неполярные полимеры, ионные диэлектрики и другие материалы, у которых на высоких частотах главную роль играет электронная или ионная поляризация. Такие материалы имеют низкое значение tg(). В качестве низкочастотных применяются полярные полимеры, сегнетоэлектрики и т.д. Эти материалы характеризуются повышенным значением tg(), но имеют высокую диэлектрическую проницаемость.

2. Обработка результатов

В данной работе исследуются конденсаторы из следующих материалов:

1  Неорганическое стекло; 2  Слюда; 3  Тиконд; 4  Полипропилен; 5  Сегнетокерамика.

Таблица исходных данных:

t, 0C

Образцы

1

2

3

4

5

C1, пФ

C2, пФ

C3, пФ

C4, пФ

C5, пФ

20

1551

1118

1449

20020

2700

30

1554

1118

1432

19970

5200

40

1555

1118

1425

19940

5300

45

1557

1118

1416

19920

5500

52

1558

1118

1408

19800

6300

60

1559

1119

1400

19800

10000

70

1560

1119

1394

19800

33000

75

1562

1119

1386

19700

22500

80

1562

1119

1382

19700

15000

90

1569

1119

1376

19700

11500

Здесь: C  емкость образца, пФ.

Результаты вычислений температурных коэффициентов диэлектрической проницаемости

t, 0C

Образцы

1

2

3

4

5

C, K-1

aeK ,1-

aCK ,1-

aeK ,1-

aCK ,1-

aeK ,1-

aCK ,1-

aeK ,1-

aCK ,1-

aeK ,1-

20

0.000101

0.000098

0.000112

0.000098

0.001008

0.001000

0.044168

0.046402

0.005293

0.005305

30

0.000101

0.000098

0.000112

0.000098

0.001020

0.001012

0.044693

0.044583

0.002748

0.002736

40

0.000101

0.000098

0.000112

0.000098

0.001025

0.001017

0.044912

0.044802

0.002696

0.002684

45

0.000101

0.000098

0.000112

0.000098

0.001031

0.001023

0.045198

0.045088

0.002598

0.002586

52

0.000101

0.000098

0.000112

0.000098

0.001037

0.001029

0.045455

0.045345

0.002268

0.002256

60

0.000101

0.000098

0.000112

0.000098

0.001043

0.001035

0.045714

0.045604

0.001429

0.001417

70

0.000101

0.000098

0.000112

0.000098

0.001047

0.001039

0.045911

0.045801

0.000433

0.000421

75

0.000101

0.000098

0.000112

0.000098

0.019467

0.019459

0.046176

0.046066

0.000635

0.000623

80

0.000101

0.000098

0.000112

0.000098

0.001056

0.001048

0.046310

0.046200

0.000953

0.000941

90

0.000100

0.000097

0.000112

0.000098

0.001061

0.001053

0.046512

0.046402

0.001243

0.001231

Здесь: ТКЕ: ;  = С - д;

д1 = 3*10-6 К-1;

д2 = 13,5 *10-6 К-1;

д3 = 8*10-6 К-1;

д4 = 1,1*10-4 К-1;

д5 = 12*10-6 К-1.

График температурной зависимости ae

График температурной зависимости емкости образцов

Вывод: в ходе работы были исследованы свойства конденсаторных материалов. Установлены температурные зависимости емкостей и температурных коэффициентов диэлектрической проницаемости для представленных материалов.