Скачиваний:
49
Добавлен:
01.05.2014
Размер:
109.57 Кб
Скачать

Иссл. материал

T,K

T-1

R Ом

ρ Ом*м

γ Oм/м

ln γ

Si

295

0,0033898

112,4

0,00074933

1334,51957

7,196327

310

0,0032258

115,8

0,000772

1295,33679

7,166526

315

0,0031746

118,4

0,00078933

1266,89189

7,144322

325

0,0030769

121,8

0,000812

1231,52709

7,11601

330

0,0030303

124

0,00082667

1209,67742

7,098109

335

0,0029851

126,1

0,00084067

1189,53212

7,081315

340

0,0029412

127,8

0,000852

1173,70892

7,067924

350

0,0028571

130,4

0,00086933

1150,30675

7,047784

360

0,0027778

133,7

0,00089133

1121,91473

7,022792

365

0,0027397

136,5

0,00091

1098,9011

7,002066

Ge

295

0,0033898

310

0,00206667

483,870968

6,181818

310

0,0032258

320

0,00213333

468,75

6,15007

315

0,0031746

327

0,00218

458,715596

6,12843

325

0,0030769

334

0,00222667

449,101796

6,10725

330

0,0030303

338

0,00225333

443,786982

6,095345

335

0,0029851

340

0,00226667

441,176471

6,089445

340

0,0029412

339

0,00226

442,477876

6,09239

350

0,0028571

335

0,00223333

447,761194

6,10426

360

0,0027778

324

0,00216

462,962963

6,137647

365

0,0027397

301

0,00200667

498,33887

6,21128

SiC

295

0,0033898

341

0,04092

24,4379277

3,196136

300

0,0033333

332

0,03984

25,1004016

3,222884

305

0,0032787

326

0,03912

25,5623722

3,241121

308

0,0032468

317

0,03804

26,2881178

3,269117

312,5

0,0032

311

0,03732

26,795284

3,288226

320

0,003125

307

0,03684

27,1444083

3,301171

333

0,003003

303

0,03636

27,5027503

3,314286

339

0,0029499

295

0,0354

28,2485876

3,341043

357

0,0028011

289

0,03468

28,8350634

3,361592

377

0,0026525

280

0,0336

29,7619048

3,393229

InSb

295

0,0033898

8,8

0,000044

22727,2727

4,043051

300

0,0033333

7,8

0,000039

25641,0256

4,060443

305

0,0032787

7,4

0,000037

27027,027

4,077537

308

0,0032468

6,5

0,0000325

30769,2308

4,094345

312,5

0,0032

6

0,00003

33333,3333

4,110874

320

0,003125

5,7

0,0000285

35087,7193

4,127134

333

0,003003

5,5

0,0000275

36363,6364

4,143135

339

0,0029499

5,1

0,0000255

39215,6863

4,158883

357

0,0028011

4,8

0,000024

41666,6667

4,174387

377

0,0026525

4,6

0,000024

41666,6667

4,189655

1. Расчёт удельного сопротивления:, где R – сопротивление образца, S – площадь поперечного сечения, l – длина образца

2. Температурная зависимость удельной проводимости

3. Расчёт концентрации доноров в кремнии и германии : , где е = 1,6 · 10-19 Кл, μn – подвижность электрона

материал

ρ ом*м

γ ом/м

μ м/(В*с)

N

Si

0,000749

1334,5196

0,156437

5,3317E+20

Ge

0,002067

483,87097

0,401034

7,541E+19

Санкт-Петербургский государственный

электротехнический университет

Отчёт по лабораторной работе по МЭЭТ №2.

«Исследование электрических свойств полупроводниковых материалов»

Выполнил:

Гр.:6862

Соседние файлы в папке Отчёт по лабораторной работе по МЭЭТ №2.