Государственный комитет Российской Федерации по высшему образованию
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет.
Кафедра Радиотехнической электроники.
Отчёт по лабораторной работе № 4.
«Исследование процесса преобразования энергии электронного потока в ламповых усилителях»
Работу выполнил
студент гр 0221
Голиков А.Н.
Преподаватель:
Меос В.А.
Санкт-Петербург
2002 г.
Цель работы: изучение режимов преобразования энергии модулированного электронного потока; определение основных параметров, характеризующих эти режимы; изучение особенностей работы лампы с колебательным контуром в анодной цепи.
Параметры исследуемого прибора: Пентод 6Ж8
Эксплуатационные параметры.
250 В |
Рабочая точка |
||
2,8 Вт |
-3 В |
||
100 В |
31 мА |
||
0,8 Вт |
0,80,2 мА |
Схема измерительной установки:
Измерение параметров колебательного контура.
Эквивалентное сопротивление колебательного контура на резонансной частоте f0 определяется в режиме колебаний 1-го рода по формуле , где Rk – резистор в катодной цепи пентода.
По полученным данным – URk~ = 1,4В ; UH~=24B, тогда Rэ=6685 Ом.
Исследование режимов преобразования энергии
Режим |
UH~ |
UC1~ |
IAo |
IC2o |
UC1o |
UC2 |
EA |
Недонапряж. |
30В |
5В |
1,4мА |
0,46мА |
-6В |
120В |
200В |
Недонапряж. |
45В |
6В |
1,8мА |
0,6мА |
-6В |
120В |
200В |
Критический |
140В |
8В |
2мА |
0,75мА |
-6В |
120В |
200В |
Перенапряж. |
200В |
9В |
2,1мА |
1мА |
-6В |
120В |
200В |
Перенапряж. |
180В |
11В |
2,4мА |
1,5мА |
-6В |
120В |
200В |
Зависимости UH~ , IAo , IC2o от UC1~ приведены на графике.
При исследовании различных режимов преобразования энергии интерес представляют энергетические параметры этих процессов. В квазистатическом приближении, колебательная мощность может быть определена по формуле
, в приближении, что можно записать что
.
КПД преобразования определяется как отношение колебательной мощности к средней мощности электронного потока прошедшего через промежуток взаимодействия – P0.
. Мощность рассеяния на аноде определяется как разность средней и колебательной мощностей.
Выводы:
Для достижения максимального значения анодного тока при относительно небольших токах экранной сетки выгодно использовать критический режим, а для более полного использования преимуществ этого режима в качестве анодной нагрузки лучше выбирать колебательный контур.
Выходная мощность максимальна при работе в перенапряжённом режиме, но в этом режиме велики искажения и есть опасность такой хуйни, как перегрев экранной сетки, т.к. появляется значительный сеточной ток в режиме возврата.