- •Розділ 1. Основи кристалографії
- •1.1. Будова речовини
- •1.2. Трансляційна симетрія кристалів. Кристалічна ґратка
- •1.3. Класифікація кристалічних структур
- •1.4. Кристалографічні позначення
- •1.5. Обернена ґратка
- •1.6. Дифракція хвиль та частинок у кристалі
- •1.7. Класифікація кристалів за типами зв’язку
- •1.8. Некристалічні тверді тіла та рідкі кристали
- •1.9. Дефекти у кристалах
- •1.9.1. Точкові дефекти
- •1.9.2. Лінійні дефекти
- •1.9.3. Поверхневі та об’ємні дефекти
1.9.3. Поверхневі та об’ємні дефекти
Вільні поверхні. Кристалічна ґратка, за означенням, нескінчена, а тому й ідеальний кристал – безмежний. Довільний атом, що знаходиться у ньому, знаходиться під врівноваженою дією сил з боку інших атомів цього кристалу. Реальні кристали мають скінчені розміри. Вони обмежені зовнішніми поверхнями, наявність яких уже є порушенням трансляційної симетрії. Тому їх вважають дефектом кристалічної ґратки під назвою вільна поверхня.
Атом, розташований на поверхні кристалу, знаходиться у інших умовах, ніж атоми внутрішніх шарів, оскільки його “сусіди” розміщені тільки по один бік цієї поверхні. Це приводить до спотворення типу упаковки поверхневих атомів – зміни відстаней між ними (порівняно з тим, що має місце всередині кристала). При цьому можуть порушуватись і змінюватись на специфічні зв’язки, характерні для об’єму кристала.
Межі розділу. Реальні кристали часто не є монокристалами, а мають мозаїчну структуру, тобто складаються з блоків правильної структури. Розміри блоків – 10-6 ... 10-4 см, значення кутів між їх осями – від декількох секунд, до декількох хвилин. Оскільки ґратки у сусідніх блоках орієнтовані по-різному, то у перехідних областях виникають дислокації. Межі розділу блоків є носіями надлишкової вільної енергії. Це обумовлює підвищену швидкість протікання хімічних реакцій, поліморфних (із зміною типу кристалічної ґратки) перетворень, дифузії і т. п. Вони є ефективними центрами розсіяння вільних носіїв струму, а, отже, впливають на електропровідність матеріалу.
Дефекти упаковки. Довільне відхилення від нормальної, притаманної даному типу кристалу послідовності у розташуванні атомних площин (наприклад, замість нормальної послідовності атомних площин АВСАВСАВСА, внаслідок якоїсь причини можлива наступна їх упаковка – АВСАСАВСАВ), також є спотворенням ґратки яке називається дефектом упаковки.
Об’ємні дефекти. Під цією назвою об’єднуються різного роду порожнини всередині кристалу, виділення мікроутворень, включення і т.п.