74. Поглощение света дисперсными системами. Уравнение Бугера-Ламберта-Бера для истинных растворов. Чему равны оптическая плотность, мутность и светопропускание растворов?

Inp=I₀e^-εcl- для истинных растворов; ln(I₀/Iпр)=2.3lg(I₀/I_n)=εCl; lg(I₀/I_n)=Д-оптическая плотность; светопропускание-Т=(Iпр/I₀)100%/

75. Фиктивная абсорбция света в коллоидных системах.

-поглощение света в коллоидных и ультрадисперсных системах(обязательно рассеяние света).

Фиктивная абсорбция света для золей: Iпр=I₀e^-(K+ε)Cl

76. Причины и механизмы возникновения заряда на поверхности частиц.

Причиной является возникновение соприкасающихся фаз, благодаря избытку поверхностной энергии. Стремление к уменьшению свободной энергии вызовет определенную ориентацию молекул, ионов и е в поверхностном слое вследствие чего произойдет пространственное разделение зарядов и возникновение ДЭС. Механизмы возникновения: 1)эмиссия е с поверхности Ме( Ме→Ме⁺+е) 2)за счет поверхностных диссоциаций молекул (а)SiO₂+H₂O→H₂SiO₃ (песок) б) AgI ПИ:Ag⁺ ПО:I ^-) 3)в результате адсорбции( образование ионностабилизированных мицелл

( а) б) ) 4)если вещества составляющие фазы системы не способны обмениваться зарядами, то ДЭС образовывается благодаря ориентации полярных молекул( трибоэлектрический эффект- эбонитовая палочка) (FePO₄, NaHPO₄, Fe(NO₃)₃) Пример:

77. Связь электрического потенциала с поверхностным натяжением. Вывод уравнения Липмана, его анализ.

В ывод основан на том, что поверхность раздела фаз- это плоский конденсатор; при увеличении поверхности на dS заряд увеличивается на dq. dF^S=σdS+φdq(1) T=const интегрируем (1) F^S=σS+φq(2) дифференцируем (2) dF^S=σdS+Sdσ+φdq+qdφ(3) приравниваем (1) и (3) Sdσ+qdφ=0; dσ/dφ=-q/S=-q уравнение Липмана. Анализ: если знак потенциала и заряда совпадает, то при увеличении заряда на поверхности происходит уменьшение поверхностного натяжения, а система становится более устойчивой.

Полная плотность заряда: q^S=ZFГ=ZcNaГ.

78. Электрокинетические явления, их классификация по причинно-следственной связи и по объектам исследования.

Электроосмос- явление перемещения жидкости в капилляре под действие электрического тока.

Жидкость движется к -. Обратное явление осмоса потенциал течение, те

явление возникновения разности потенциалов при прокачке жидкости через

пористые тела или мембраны.

Э лектрофорез-явление перемещения частиц дисперсной фазы во внешнем электрическом поле.

Если движущиеся частицы малы, то это ионная проводимость.

Обратный ему процесс- потенциал оседания(седиментация)-явление

возникновения разности потенциалов.

Классификация:

7 9. Строение двойного электрического слоя(дэс). Количественная модель Гуи-Чепмена.

1. Теория Гельмгольца-Перена. ДЭС кА плоский конденсатор. φ₀ - +

Q^S=(ε_a/ δ) φ₀-(εε₀/δ)φ₀ - +

2. Теория Гуи-Чепмена. В реальных условиях распределение δ

на границе раздела фаз определяется соотношением сил электростатического притяжения ионов и теплового движения ионов(стремящихся к равномерному распределению). Тепловое движение ионов ДЭС- диффузное(размытое)строение. Модель основана на: 1)поверхность представляет собой однородно заряженную поверхность неопределенных размеров. 2) ионы диффузионной части представляют собой точечные заряды, которые подходят к поверхности сколь угодно близко. Распределение ионов в пространстве по закону Больцмана.3)работа переноса иона из объема в ДЭС имеет электростатический характер 4) растворитель влияет на ДЭС по средствам диэлектрической постоянной, которая будет одинакова по всему объему диффузионной части. Теория основана на подвижности ионов. ДЭС может достигать до 10^-4м

конц ПИ падает С С+ уравнение для концентрации ионов:

- + Сх=С_∞е^-Wx/RT= С_∞е^{-ZГφ /RT}

- + + X С_∞- концентрация ионов в растворе

- + + + φ_x- потенциал на расстоянии x от границы

- + + + + + С- раздела фаз.

Зависимость  от расстояния:  с х . _х=₀ е^-х , где =1/х, _х= ₀/е- расстояние на котором потенциал  в е раз.эта величина наз. эффективной толщиной дэс, она соотв расстоянию между обкладками конденсатора одна из которых явл. пов-ть а др электрически эквив-на диффузной части дэс 1/= k √Т / √∑сz²=k√T/ √I; I – ионная сила растворов,  - диэлектрическая постоянная.