30. Микросхемы памяти. Организация микросхемы памяти с произвольной выборкой. Временная диаграмма цикла записи.

31. Общая структура микросхемы памяти с произвольной выборкой. Временная диаграмма цикла чтения.

Ячейки памяти составляют двумерный массив, т.е. матрицу и те из них, что находятся на одной строке условно называются строкой, а те, что друг под другом - условно столбцом и образуют зону хранения.

Функция выборки обеспечивается дешифраторами.

Усилители записи/чтения необходимы для преобразования уровня сигнала в понятный для других устройств вид.

Регистр адреса содержит адрес ячейки к которой нужно получить доступ, при этом часть регистра – это адрес строки а вторая часть – адрес столбца.

Уго микросхемы памяти.

Разрядность памяти – разрядность ячейки памяти, т.е. разрядность минимальной адресуемой единицы памяти..

Слово памяти – адресуемая единица.

Количество слов = 2^n входов.

Цикл чтения/записи ПП запоминающего ус-ва.

Память имеет 3 режима работы: запись чтение и хранение.

Временные диаграмы чтения записи:

Для построения ЗУ произвольной емкости применяют:

- Увеличение разрядности микросхем

- Увеличение адресности ЗУ

32.Реализация фал на микросхемах памяти.

Функции алгебры логики можно также реализовать с помощью ячеек памяти. Для этого мы создаем таблицу истиности для нашей функции и записываем ее в память, после чего просто работаем с этим элементом.

= F(x0,x1,x2,x3)

Таким образом получается свойство, что с помощью одной микросхемы можно реализовать 2^n логических схем.

33.Запоминающая ячейка статического типа, устройство и принцип работы.

Элементарной ячейкой статического ОЗУ с произвольной выборкой является триггер на транзисторах Т1-Т4 (рис. 3.7) с ключами Т5-Т8 для доступа к шине данных. Причем Т1-Т2 - это нагрузки, а Т3-Т4 - нормально закрытые элементы.

Рис. 4.7. Ячейка статического ОЗУ.

Сопротивление элементов Т1-Т2 легко регулируется в процессе изготовления транзистора путем подгонки порогового напряжения при легировании поликремниевого затвора методом ионной имплантации. Количество транзисторов (6 или 8) на ячейку зависит от логической организации памяти микропроцессорной системы.

Статические ОЗУ требуют для своего построения большой площади кристалла, поэтому их ёмкость относительно невелика. Статические ОЗУ применяются для построения микроконтроллерных схем из-за простоты построения принципиальной схемы и возможности работать на сколь угодно низких частотах, вплоть до постоянного тока. Кроме того статические ОЗУ применяются для построения КЭШ-памяти в универсальных компьютерах из-за высокого быстродействия статического ОЗУ.

34. Запоминающая ячейка динамического типа, устройство и принцип работы.

Запоминающая ячейка Динамического типа.

Cn – бумажного типа и находится в транзисторе.

Конденсатора на самом деле нет.

Это паразитная емкость, возникшая из параллельной емкости транзистора.

Полевой транзистор может хранить заряд емкости.

Значение хранится некоторое время и требует периодического восстановления информации - регенерация.

Обычно ячейки памяти динамического типа объединяют динамическую матрицу,

Что при любом обращении ячейки, находящейся в строке, выполняется цикл регенерации для всех ячеек в этой строке.