3 Разработка подсистемы памяти
3.1
Оперативное запоминающее устройство
КР565РУ6
Микросхемы серии К565 представляют собой оперативные запоминающие устройства с произвольной выборкой динамического типа, изготавливаются по n– канальной МОП – технологии с кремниевыми затворами и двумя типами транзисторов (с индивидуальным и встроенным каналом) и предназначены для построения накопителей ОЗУ большой емкости.
В ПЗУ запоминающие элементы объединяются в двухкоординатную матрицу, образованную при пересечении совокупности входных (чисел) и выходных (разрядов) информационных шин. В местах пересечения шин могут быть включены диоды, биполярные транзисторы и МОП – транзисторы. Запоминающим элементом накопителя ПЗУ является один МОП – транзистор, выполняемый с тонким либо с толстым слоем под затвором в зависимости от того, какая информация должна храниться в данной ячейке.
Рисунок 7 – Организация масочного ПЗУ (а) и обобщенная логическая __структура (б) КР565РУ6
Рисунок 8 – Цоколевка корпуса К565РУ6
Таблица 4 – Назначение выводов К565РУ6
|
Номера контактов |
Обозначение |
Назначение |
Тип сигнала |
Состояние | |
|
англ. |
рус. | ||||
|
1-8, 19, 22, 23 |
А0 – А6 |
А0-А6 |
Адресная шина |
Вход |
1,0 |
|
9-11, 13-17 |
D0 |
Д0 |
Считывание информации |
Вх/вых. |
0,1,z |
|
12 |
DI |
|
Запись информации |
|
|
|
24 |
Ucc |
|
Напряжение питания +5В |
|
|
|
18 |
RAS |
|
Выбор адреса строк |
Вх/вых. |
0,1,z |
|
20 |
CAS |
|
Выбор адреса столбцов |
Вх/вых. |
0,1,z |
|
|
WE |
|
Сигнал запись/чтение |
|
|
Регенерация информации в динамических ячейках памяти осуществляется за 128 циклов путем обращения к каждой из 128 строк не ранее, чем через каждые 2 мс перебором адресов А(0-6). Регенерация может быть осуществлена в любом из режимов ОЗУ, однако наиболее просто ее выполнить в режиме регенерации по сигналу RAS, когда сигналCASнаходиться в неактивном высоком логическом состоянии.
Основные параметры ОЗУ:
Напряжение питания, Uсс В 4,5-5,5;
Ток потребления, мА:
Динамический ICCAV <45(27);
хранения ICCS <3,2;
Входное
напряжение, В:
высокого уровня UIN 2,4-6,0;
низкого уровня UIL -1,0…+0,8;
Выходное напряжение, В:
высокого уровня UOHприIOH= -2 мА >2,4;
низкого уровня UOL при IOL= 4 мА <0,4;
Время выборки относительно сигнала выбора адреса столбцов tCAS, нс 70.
Подробная схема подключения ОЗУ к шинам адреса и данных посредством буферного регистра и шинного формирователя будет представлена в пункте разработки уточненной схемы МП БИС, сигналы и входы с помощью которых производиться подключение микросхемы будут указаны в пункте подбора буферного регистра и шинного формирователя.
БР
ША
ОЗУ
ФШ
ШД
Рисунок 9 – Подключение ОЗУ к шинам адреса и данных