Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Ответы ФОИЭ.docx
Скачиваний:
239
Добавлен:
23.09.2018
Размер:
16.51 Mб
Скачать

19) Транзисторные усилители. Передаточная характеристика каскада усиления с оэ, режимы (классы) работы усилителя.

Усилителями называется устройства, в которых сравнительно маломощный входной сигнал управляет передачей значительно большей мощности из источника питания в нагрузку. Набольшее распространение получили усилители, построенные на полупроводниковых усилительных элементах (биполярные и полевые транзисторы).

Усилитель обладает способностью усиливать как переменные, так и постоянные или медленно меняющие величины.

Классы усиления.

Чтобы различать динамику изменений режимов работы транзистора вводится понятие класса усиления.

Режим работы усилителя определяется положением рабочей точки на характеристике прямой передачи по току усилительного прибора, такого как биполярный или полевой транзистор, электронная лампа.

Достаточно часто режим работы усилителя называется классом работы. Выбор рабочей точки может значительно влиять на основные характеристики усилителя, такие как коэффициент усиления, нелинейные искажения и к.п.д.

Мы рассмотри основные классы усиления.

При определении класса усилителя пользуются идеализированной статической характеристикой усилительного прибора. При этом реальная проходная характеристика заменяется кусочно-линейной аппроксимацией, как это показано на рисунке:

В зависимости от положения рабочей точки на характеристике прямой передачи усилительного прибора и формирования тока коллектора (анода, стока) различают следующие виды аналоговых (токовых) режимов:

Класс А. - рабочая точка выбирается в середине линейного участка статической характеристики.

При работе в данном классе усиления транзистор все время находится в активном режиме. Режим характеризуется тем, что ИРТ (ИРТ - рабочая точка походу), определяемая смещением, находится в середине линейного участка входной характеристики, а, следовательно, и в середине нагрузочной характеристики, так, что амплитудные значения сигналов не выходят за те пределы нагрузочной прямой, где изменения тока коллектора пропорциональны изменениям тока базы.

При работе в классе А:

  • угол отсечки θ = 180°,

  • КПД невысокий: η = (25…30)%,

  • коэффициент гармоник: Kг = 1%(малые нелинейные искажения).

УК (Усилительный каскад) такого класса применяются в основном в качестве маломощных предварительных каскадов, но иногда и в качестве оконечных.

Класс Б. — рабочая точка выбирается в начале линейного участка статической характеристики

Этот класс характеризуется тем, что ИРТ находится в начале входной характеристики Ток нагрузки протекает по коллекторной цепи транзистора только в течение одного полупериода входного сигнала, а в течение второго полупериода транзистор закрыт, так как его рабочая точка будет находится в зоне отсечки.

При работе в классе B:

  • угол отсечки θ = 90°,

  • КПД значительно выше чем в классе Аη = (65…70)%,

  • коэффициент гармоник: Kг ≤ 10%(большой уровень нелинейных искажений).

Существенный недостаток – большой уровень нелинейных искажений, что вызвано повышенной нелинейностью усиления транзистора, когда он находится вблизи режима отсечки. Режим класса В обычно используют в мощных усилителях.

Класс С — рабочая точка выбирается ниже начала линейного участка статической характеристики

В классе усиления С транзистор большую часть периода изменения напряжения входного сигнала находится в режиме отсечки, а в активном режиме – меньшую часть

При работе в классе С:

  • угол отсечки θ < 90°,

  • КПД высокий: η = (75…85)%,

  • коэффициент гармоник: Kг ≥ 10%(очень высокий уровень нелинейных искажений).

Этот класс часто используется в выходных каскадах мощных резонансных усилителей (например, в радиопередатчиках) с повышенным КПД.

Класс Д (Ключевой режим) . ( может не спросить)

Характеризуется наличием только двух уровней

выходного напряжения (максимальное и нулевое), то есть транзистор

работает в ключевом режиме –– либо полностью открыт, либо полно-

стью закрыт. Подобные усилители широко применяются в импульс-

ной технике, отличаются высоким КПД и малыми нелинейными ис-

кажениям.

Рис.1

Свойства транзистора как усилителя тока описываются уравнением: Iк=h21Э×Iб, где h21Э>10. Из этого уравнения видно, что регулируя сравнительно небольшой ток базы, можно управлять значительным током нагрузки, расположенной в коллекторе транзистора. Максимальный ток коллектора, который можно получить в схеме с коллекторной нагрузкой, равен:

Iк max≈Uпит/Rк .

Максимальному току коллектора соответствует максимальный ток базы Iб max. Дальнейшее увеличение тока базы не приведет к увеличению тока кол-лектора, т.к. транзистор полностью открыт, падение напряжения на нем близко к нулю и он не определяет ток коллектора. Принято говорить, что он находится в состоянии насыщения. Это состояние характеризуется коэффициентом насыщения.

Коэффициент насыщения характеризует превышение реального базового тока над требуемым. Он равен отношению Iб/Iб max. Его величина всегда больше единицы. Чем сильнее будет насыщен транзистор, тем меньше будет напряжение коллектор–эмиттер и тем меньше будут тепловые потери в транзисторе.

Для объяснения ключевого режима работы используют выходные характеристики, которые представлены на рис. 1. А и В - возможные рабочие точки. В точке А транзистор выключен в точке В транзистор включен (ключ замкнут). Чтобы получить точку В, необходимо обеспечить соответствующий ток базы.

В точке А:

Uкэ=Uп-Rк×Iко; Iк=Iко.

В точке В:

Uкэ»0,1В; Iк=(Uп-Uкэ)/Rк.

В расчетах обычно пренебрегают величинами Iко»0, Uбэ»0,6В и Uкэ»0,1В. Диаграмма работы транзистора в ключевом режиме представлена на рис. 27. Обычно в открытом состоянии транзистора ток Iк задан. Требуемый ток базы Iб=Iк/h21Э обеспечивается базовой цепью

Iб =(Uб-Uбэ)/Rб.

Uбэ»0,6В, тогда

Rб=(Uб-0,6)/Iб;

Iк=(Uп-Uкэ)/Rк; Uкэ»0,1В.

Т. к. h21Э может меняться от значений Iк, от температуры, от времени, то ток базы Iб приходится задавать с запасом. При расчете Iб исходят из величины h21Эmin/(1,5...2). Число 1,5... 2 - это коэффициент насыщения.

Работу транзистора в точках А и В принято характеризовать следующими терминами:

точка А - состояние отсечки (отсечен ток коллектора);

точка В - состояние насыщения (транзистор открыт полностью).

Переход из состояния в состояние происходит скачком.