- •А. П. Маругин
- •1. Основные элементы силовых электронных устройств
- •1.1. Силовые электронные ключи
- •1.2. Силовые диоды
- •1.2.1. Статические характеристики диода
- •1.2.2. Динамические характеристики диода
- •1.2.3. Защита силовых диодов
- •1.2.4. Основные типы силовых диодов
- •1.3. Силовые транзисторы
- •1.3.1. Основные классы силовых транзисторов
- •1.3.2. Статические режимы работы транзисторов
- •1.3.3. Динамические режимы работы силовых транзисторов
- •1.3.4. Обеспечение безопасной работы транзисторов
- •1.4. Тиристоры
- •1.4.1. Принцип действия тиристора
- •1.4.2. Статические вольт-амперные характеристики тиристора
- •1.4.3. Динамические характеристики тиристора
- •1.4.4. Типы тиристоров
- •1.4.5. Запираемые тиристоры
- •2. Схемы управления электронными ключами
- •2.1. Общие сведения о схемах управления
- •2.2. Формирователи импульсов управления
- •2.3. Драйверы управления мощными транзисторами
- •3. Пассивные компоненты и охладители силовых электронных приборов
- •3.1. Электромагнитные компоненты
- •3.1.1. Гистерезис
- •3.1.2. Потери в магнитопроводе
- •3.1.3. Сопротивление магнитному потоку
- •3.1.4. Современные магнитные материалы
- •3.1.5. Потери в обмотках
- •3.2. Конденсаторы для силовой электроники
- •3.2.1. Конденсаторы семейства мку
- •3.2.2. Алюминиевые электролитические конденсаторы
- •3.2.3. Танталовые конденсаторы
- •3.2.4. Пленочные конденсаторы
- •3.2.5. Керамические конденсаторы
- •3.3. Теплоотвод в силовых электронных приборах
- •3.3.1. Тепловые режимы работы силовых электронных ключей
- •3.3.2. Охлаждение силовых электронных ключей
- •4. Принципы управления силовыми электронными ключами
- •4.1. Общие сведения
- •4.2. Фазовое управление
- •4.3. Импульсная модуляция
- •4.4. Микропроцессорные системы управления
- •5. Преобразователи и регуляторы напряжения
- •5.1. Основные виды устройств преобразовательной техники. Основные виды устройств силовой электроники символически изображены на рис. 5.1.
- •5.2. Трехфазные выпрямители
- •5.3. Эквивалентные многофазные схемы
- •5.4. Управляемые выпрямители
- •5.5. Особенности работы полууправляемого выпрямителя
- •5.6. Коммутационные процессы в выпрямителях
- •6. Импульсные преобразователи и регуляторы напряжения
- •6.1. Импульсный регулятор напряжения
- •6.1.1. Импульсный регулятор с шим
- •6.1.2. Импульсный ключевой регулятор
- •6.2. Импульсные регуляторы на основе дросселя
- •6.2.2. Преобразователь с повышением напряжения
- •6.2.3. Инвертирующий преобразователь
- •6.3. Другие разновидности преобразователей
- •7. Инверторы преобразователей частоты
- •7.1. Общие сведения
- •7.2. Инверторы напряжения
- •7.2.1. Автономные однофазные инверторы
- •7.2.2. Однофазные полумостовые инверторы напряжения
- •7.3. Трёхфазные автономные инверторы
- •8. Широтно-импульсная модуляция в преобразователях
- •8.1. Общие сведения
- •8.2. Традиционные методы шим в автономных инверторах
- •8.2.1. Инверторы напряжения
- •8.2.2. Трехфазный инвертор напряжения
- •8.3. Инверторы тока
- •8.4. Модуляция пространственного вектора
- •8.5. Модуляция в преобразователях переменного и постоянного тока
- •8.5.1. Инвертирование
- •8.5.2. Выпрямление
- •9. Преобразователи с сетевой коммутацией
- •10. Преобразователи частоты
- •10.1. Преобразователь с непосредственной связью
- •10.2. Преобразователи с промежуточным звеном
- •10.3.1. Двухтрансформаторная схема
- •10.3.3. Схема каскадных преобразователей
- •11. Резонансные преобразователи
- •11.2. Преобразователи с резонансным контуром
- •11.2.1. Преобразователи с последовательным соединением элементов резонансного контура и нагрузки
- •11.2.2. Преобразователи с параллельным соединением нагрузки
- •11.3. Инверторы с параллельно-последовательным резонансным контуром
- •11.4. Преобразователи класса е
- •11.5. Инверторы с коммутацией в нуле напряжения
- •12. Нормативы на показатели качества электрической энергии
- •12.1. Общие сведения
- •12.2. Коэффициент мощности и кпд выпрямителей
- •12.3. Улучшение коэффициента мощности управляемых выпрямителей
- •12.4. Корректор коэффициента мощности
- •13. Регуляторы переменного напряжения
- •13.1. Регуляторы напряжения переменного тока на тиристорах
- •13.2. Регуляторы напряжения переменного тока на транзисторах
- •Вопросы для самоконтроля
- •14. Новые методы управления люминесцентными лампами
- •Вопросы для самоконтроля
- •Заключение
- •Библиографический список
- •620144, Г. Екатеринбург, Куйбышева ,30
Вопросы для самоконтроля
1. Определите зависимость действующего значения выходного напряжения от коэффициента заполнения при ШИМ входного напряжения регулятора, выполненного по схеме на рис. 13.4, а при активной нагрузке.
2. Какие функции выполняет в схеме на рис. 13.4, а ключ S2?
3. Начертите схему регулятора переменного тока с ШИМ, повышающего выходное напряжение.
4. Можно ли посредством схемы на рис. 13.4, а уменьшить коэффициент гармоник напряжения Кт1?
5. Какие функции в схеме на рис. 13.4, е выполняет входной реактор?
14. Новые методы управления люминесцентными лампами
Уже несколько десятков лет на работе и в быту людей сопровождают люминесцентные осветительные лампы. Преимущество их перед классическими лампами накаливания очевидны — гораздо более высокий КПД, приближенный к естественному спектральный состав света и повышенный срок службы. Однако есть у этих ламп и свои недостатки. Во-первых, для зажигания люминесцентных ламп требуется наличие дополнительных элементов — громоздкого дросселя и ненадежного стартера. Во-вторых, — мерцание с частотой питающей сети 50 Гц. В-третьих, арматура ламп требует тщательно продуманного способа крепления управляющих элементов (на мягком подвесе или с резиновыми амортизирующими прокладками), чтобы вибрация частотой 50 Гц не резонировала с корпусом и не раздражала окружающих. В-четвертых, вышедший из строя стартер вызывает фальт-старт лампы (визуально — несколько вспышек перед стабильным зажиганием). Фальт-старт резко снижает срок службы люминесцентной лампы. В-пятых, коэффициент мощности ламп дневного света очень низкий, а это значит, что лампы являются неудачной для электросети нагрузкой [11].
Перечисленные недостатки можно устранить с помощью электронного балласта. Конечно, его стоимость, по сравнению с традиционным, получается выше, но, учитывая, что срок службы усовершенствованного светильника продлевается в несколько раз, можно смело утверждать, что фактически стоимость обоих видов балластов примерно одинакова. Общая структурная схема электронного балласта показана на рис. 14.1.
Отметим сразу, что корректор коэффициента мощности в большинстве промышленных схем пока отсутствует, поскольку мощность люминесцентных ламп не превышает 100 Вт.
Рис. 14.1. Типовая схема электронного балласта
Однако коррекция должна появляться при использовании одного электронного балласта, работающего на несколько (3-4) однотипных ламп. Иногда в промышленных балластах может отсутствовать и индуктивно-емкостной помехоподавляющий фильтр. Вместо него обычно используется одиночный неполярный конденсатор небольшой емкости. Однако, поскольку требования по помехоподавлению все более ужесточаются, разработчикам в скором времени придется вводить в схемы балластов обязательные индуктивно-емкостные помехоподавляющие фильтры.
Рассмотрим простую схему электронного балласта, основанную на микросхеме 1К2151, приведенную на рис. 14.2.
Рис. 14.2. Принципиальная схема электронного балласта, выполненного на основе микросхемы 1К2151
Схема построена по полумостовому принципу. Данный балласт рассчитан на питание лампы мощностью 40 Вт от сети переменного тока 220 В 50 Гц. Напряжение сети выпрямляется диодным мостом VD1-VD4 и сглаживается конденсаторами полумоста С6 и С7. Внутренний генератор представляет собой точную копию генератора, использующегося в таймере серии Т555 (отечественный аналог КР1006ВИ1). Частота внутреннего генератора задается элементами RЗ и С2 в соответствии с формулой:
U=1,4(R3 +Rвн)С2,
где Rвн = 75 Ом.
Для указанных в схеме номиналов частота резонанса около 40 кГц.
Цепочка R2-С1 питает микросхему, цепочка VD5-СЗ — бутстрепная.
Элементы R6-С5 — цепь снаббера, предотвращающего защелкивание выходных каскадов микросхемы (выводы 5 и 7). Нам необходимо разобрать эффект защелкивания подробнее, чтобы обезопасить себя от неприятных ситуаций в схемах управляемых от драйверов.
При проектировании схем управления обычно считается, что выходной каскад управляющих драйверов, представленный на рис. 14.2, состоит из двух комплементарных полевых транзисторов VТ1 и VТ2, который усиливает ток управления затвором и имеет очень низкое выходное сопротивление. В документации на микросхемы управления всегда указывается максимальный ток, который может «выдать» на управляющий электрод данный тип микросхемы. Если при выборе резистора микросхему использовать по току не более чем на 70—80 % от максимального значения тока, то в большинстве случаев защелкивание исключается. Совсем недавно появилось второе поколение микросхем управления электронными балластами, обладающее многими сервисными и защитными функциями. Микросхемы имеют бутстрепную цепь управления затвором верхнего ключевого транзистора, защиту от сквозных токов (защитная пауза 1,2 мкс), узлы стабилизации внутреннего питания и защиту от пониженного напряжения сети. Кроме того, новое поколение микросхем 1К2157 и 1К2159 реализует: возможность установки времени прогрева накальных электродов; возможность установки скорости зажигания лампы за счет введения плавающей задающей частоты; возможность установки задержки включения силовых ключей; дополнительную защиту от не зажигания лампы и включение защитного режима в момент ее отказа; защиту при перегорании накальных электродов и контроль наличия вставленной лампы; защиту от падения сетевого напряжения; автоматический перезапуск при кратковременном пропадании сетевого напряжения;