m12

Напряжение анода прямое и обратное…………………………..300В Ток анода (амплитудное значение)………………….….……..300 мА Ток анода (среднее значение) в выпрямительном режиме……75 мА Сопротивление в цепи сетки………………………..…0.1 – 0.5 МОм Время разогрева катода наименьшее……………………………..30 с Интервал рабочих температур окружающей среды от –50 до +85 С.

Параметры диода Д7Ж

Диод германиевый сплавной. Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Масса диода не более 2 г.

Электрические параметры:

Среднее прямое напряжение, при I пр. ср. = 300 мА………...0,5В

Средний обратный ток, при U обр. = U обр. макс не более 100 мкА Предельные эксплуатационные данные:

Обратное напряжение (амплитудное значение)

(от 213 до 293)…….……………………………………………400В

Параметры диода Д226 Диод кремниевый сплавной. Выпускается в металлостеклянном

корпусе с гибкими выводами. Масса диода не более 2 г. Электрические параметры:

Среднее прямое напряжение, при I пр. = 300 мА не более.…...1В

Средний обратный ток, при U обр. = U обр. макс и I пр. ср. = I

пр.ср.макс не более………………………………………………..50 мкА Предельные эксплуатационные данные:

Импульсное обратное напряжение..……………………………..400В

Средний прямой ток……………………………………………300 мА Частота без снижения режимов………………………………...1 кГц.

Параметры диода Д220 Диод кремниевый микросплавной. Выпускается в металло-

стеклянном корпусе с гибкими выводами. Масса диода не более 0,53 г. Электрические параметры:

Постоянное прямое напряжение, при I пр. = 50 мА, не более....1,5В Постоянный обратный ток, при U обр. = 50В, не более...1 мкА

Импульсное прямое сопротивление, при I пр. имп. = 50мА, не бо-

лее….…………………………………………………………………...75Ом

151

Общая ёмкость диода, при U обр. = 5 В,не более….…….15 пФ Время восстановления обратного сопротивления, при I пр. имп. = 30 мА, U обр. имп. = 30В, I отсч. = 400 мкА, не более.............0,5 мкс

Предельные эксплуатационные данные:

Постоянное или импульсное напряжение…….…………………50В Постоянный или средний прямой ток….……………….....50 мА Импульсный прямой ток..…………………………………....500мА.

Параметры стабилитронов Д814А и Д814Д Стабилитроны кремниевые сплавные. Выпускаются в метал-

лостеклянном корпусе с гибкими выводами. Масса стабилитрона не более 1 г.

Электрические параметры:

Напряжение стабилизации номинальное, при I ст. = 50 мА, для Д814А – 8,0В, для Д814Д – 13В

Постоянное, прямое напряжение, при I пр. = 50 мА, не более..1В

Дифференциальное сопротивление, при I ст. = 5 мА,

для Д814А……………………………………………………..…6Ом для Д814Д…..………………………………………………....18 Ом Предельные эксплуатационные данные:

Минимальный ток стабилизации..……………………….......3 мА Максимальный ток стабилизации для Д814А……………...40 мА,

для Д814Д…..………………………………………………..…24мА Рассеиваемая мощность, при температуре от 213° до

308°К……………………………………………………………...340 мВт.

Параметры транзистора КТ608А

Кремниевый, эпитаксиально-планарный n–p–n-типа. Выпускаются в металлическом, герметичном корпусе с гибкими выводами. Масса транзистора не более 2 г.

Электрические параметры:

Обратный ток коллектора не более..……………………….…10 мкА Обратный ток эмиттера не более……..…………..…….….….10 мкА Статический коэффициент усиления тока

базы при Iэ = 200 мА……………………………………………20–80

152

Напряжение коллектор – эмиттер в режиме насыщения, при Iб = 80

мА, Iк 400 мА не более………………………………………………......1В

Напряжение эмиттер – база в режиме насыщения, при токе Iб = 80

мА, Iк 400 мА не более..……..…………………………………………..2В.

Предельные эксплуатационные данные:

Ток коллектора………..………………………………………..400 мА Импульсный ток коллектора……..…………………………....800 мА Напряжение коллектор – эмиттер и напряжение коллектор – ба-

за………………………………………………………………………..…60В

Напряжение эмиттер – база …………………………………….…..4В

Импульсное……………………………………………………….….8В

температуре окружающей среды (–45 + 25) С и 0,12 Вт при температу-

ре +85 С.

Температура перехода………………………………………......120 ˚С.

Параметры транзистора КТ630А

Кремниевый планарный n–p–n-транзистор. Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами. Масса транзистора не более 2 г.

Электрические параметры:

Обратный ток коллектора не более…………………………...1 мкА

Напряжение насыщения коллектор – эмиттер, при Iк = 150 мА, Iб

15 мА не более…………………………………………………………..0,3В

Напряжение насыщения база-эмиттер, при Iк = 150 мА, Iб = 15

мА

не более…………………………………………………………….1,1В

Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ, при U

к = 10В, Iк = 150 мА……………………………………………40 – 120.

Предельные эксплуатационные данные:

Постоянный ток коллектора………………………………………..1 А

Постоянный ток базы…………………………………………….0,2 А

Импульсный ток коллектора……………………………………….2 А Постоянное напряжение эмиттер – база………………………........7В Постоянное напряжение коллектор – база……………………....120В Постоянное напряжение коллектор – эмиттер…………………..120В

153

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора, при к = +25˚С……………………………………………………………………0,8 Вт Температура перехода не более.………………………….........150 ˚С.

Параметры транзистора КП103М

Кремниевый, диффузионно-планарный полевой транзистор с управляющим p–n-переходом и каналом p-типа предназначен для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты, усилителей постоянного тока и в ключевых схемах. Выпускается в металлическом и пластмассовом корпусе. Масса прибора не более одного грамма.

Электрические параметры:

Ток стока при UСИ = 10В, UЗИ = 0В..…………………..….(3 – 12) мА Ток утечки затвора при UСИ = 0В, UЗИ = 10В..……..…..………..20 нА

Напряжение отсечки при UСИ = 10В, IC = 10 мкА..……..…(2,8 – 7)В

Крутизна характеристики при UСИ = 10В, UЗИ = 0В.... (1,3 – 7) мА/В Максимально допустимые параметры:

Суммарное напряжение сток – затвор..…………………….UСЗ = 17В Максимальное напряжение сток – исток….……………….UСИ = 10В Рассеиваемая мощность транзистора – РМАК. ………………120 мВт

Параметры транзистора КП301Б

Кремниевый планарный МОП-транзистор с индуцированным p- каналом предназначен для работы в приемной, усилительной и другой аппаратуре. Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами. Масса транзистора не более 0,7 г.

Электрические параметры:

Ток утечки затвора – IЗ.УТ. , при UЗИ = 30В……..……………0,3 нА Пороговый ток – IC пор. при UСИ = –6,5В, UЗИ = 6,5В………10 мкА Крутизна характеристики – S , при UСИ = 15В, IC = 5 мА....(1 – 2,6)

Пороговое напряжениеUЗИ пор, при UСИ = 15В, IC = 0,3 мА.(2,7 – 5,4)В.

154

Максимально допустимые параметры:

Постоянный ток стока – IC.max ……..…………………………..….5 мА Постоянное напряжение сток – исток – UСИ.max. …..………….…...–20В Постоянное напряжение затвор – исток – UЗИ.max. ……………….–30В

Постоянная рассеиваемая мощность транзистора– РМАК. ….200 мВт Рабочая частота – f …………………………………………….100 МГц Допустимая температураокружающей среды…..…….(–45…+70) С.

Параметры тиристора КУ101А

Тиристор кремниевый диффузионно-сплавной триодный незапираемый. Предназначен для работы в переключающих устройствах.

Электрические параметры:

Постоянное отпирающее напряжение управляющего электро-

да………….……………………………………………………...(0,25 – 10)В

Постоянный отпирающий ток управляющего электрода…(0,05 – 7,5) мА

Импульсный отпирающий ток управляющего электрода – не бо-

лее……………………………………………………………………....14 мА Ток утечки в закрытом состоянии при максимальном напряжении до………………………………………………………………….……0,5 мА Обратный ток при максимальном напряжении до….…….…..0,5 мА

Время включения, при (U ПР.З. = 25В, I ПР. = 50 мА, Т 298 К) не более..…………………………….……………………….………….....2 мкс

Время выключения, при (U ПР.З. = 25В, I ПР. = 50 мА) не более 5 мкс.

Предельные эксплуатационные данные:

Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии…..……50В Постоянное обратное напряжение………………………………..10В Постоянное обратное напряжение на управляющем электроде…2В Постоянный (средний) ток в открытом состоянии при температуре от 213 до 343 К75……..………….……………………………………75мА

Импульсный ток в открытом состоянии:

при t до 0.05 с…………………………………………………...300 мА при t до 10 с……………………………………………………..150 мА Средний - прямой ток управляющего электрода………………15 мА

155

Средняя рассеиваемая мощность при температуре от 213 до

323К……………………………………………………………….….150 мВт Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии...100В/мкс.

Параметры фоторезистора ФСК-6 Фоторезистор изготавливается на основе сульфида кадмия. Пло-

щадь фоточувствительного слоя – 150 мм2 . Выпускаются в пластмассовых корпусах. Масса не более 5 г.

Технические параметры при температуре 20 ºC:

Общий световой ток при освещенности – 200 лк, не менее ..1,5 мА Темновой ток – не более………………………………….…….15 мкА

Темновое сопротивление – не менее……………………….....,3 МОм Отношение темнового сопротивления к световому – не менее…100

отн. ед.

Область спектральной чувствительности….………......0,2 – 0,9 мкм. Предельные эксплуатационные данные Рабочее напряжение..……………………………..……………….50В

Мощность рассеяния……………………………..…………...125 мВт Минимальная наработка……………………….….…………..10000 ч

Диапазон рабочей температуры окружающей среды.....60…+85 C.

Параметры фотодиода ФД-27К Фотодиод кремниевый планарный. Фоточувствительный элемент

квадратный, размером 1,9 1,9 мм. Выпускается в металлостеклянном корпусе. Удлиненный вывод – плюсовой. Масса не более 1 г.

Электрические и фотоэлектрические параметры при температуре

25 C:

Интегральная токовая чувствительность – не менее.7,5 10 3 мкА/лк Темновой ток – не более…...…………………………………….1 мкА Постоянная времени при включении или выключении – не бо-

лее……………………………………………………………………...10 мкс Область спектральной чувствительности….……….........4 – 1,1 мкм. Предельные эксплуатационные данные Рабочее напряжение………………………………………………..20В

Освещенность рабочая………………..……………………….2000 лк Диапазон рабочей температуры окружающей среды…….–60+85 C .

156

Параметры светоизлучающего диода АЛ307А Светоизлучающий диод арсенид-галлиевый-алюминиевый в пласт-

массовом корпусе красного цвета свечения. Предназначен для визуальной индикации. Масса диода не более 0,25 г.

Электрические и световые параметры:

Сила света при I ПР. = 10 мА не менее..……………………0,15 мкл

Постоянное прямое напряжение, при I ПР. = 10 мА не более ….2 В.

Предельные эксплуатационные данные Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 343К……20 мА

Обратное напряжение..…………………………………………..….2В

Температура окружающей среды..……………………….213…343К.

Параметры оптрона АОД101Б

Оптрон, состоящий из излучающего диода на основе арсенид- галлий-алюминия и кремниевого фотодиода, в металлическом корпусе. Предназначен для гальванической развязки электрических цепей, между которыми осуществляется информационная связь. Масса прибора не более 1,1 г.

Электрические параметры:

Коэффициент передачи тока, при I ПР. = 10 мА – не менее…..1,5 %

Входное напряжение, при I ПР. = 10 мА – не более.……………1,5В

Время нарастания и спада выходного импульса, при импульсе входного тока 20 мА, не более.…..…………………………………..500 нс Емкость между входом и выходом не более.……………………2 пФ Постоянный обратный ток фотодиода при максимальном обратном напряжении – не более..……………………………………………..8 мкА.

Предельные эксплуатационные данные:

Обратное напряжение на фотодиоде при температуре окружающей среды от 213 до 343 К..…………………………………………………100В

Импульсное обратное напряжение на фотодиоде при длительности импульса – не более 100 нс и скважности не менее двух....…………120В Постоянный или средний входной ток при температуре окружаю-

щей среды от 213 до 343 К……………..………………………….…20 мА Входной импульсный ток при длительности импульса – не более

100 мкс.……………………………………………………………......100 мА Напряжение между входом и выходом..………………………...100В Обратное входное напряжение..………………………………….3,5В Температура окружающей среды..………………………..213…343К.

157

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ.…………………………………………………………………3

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 1 Термоэлектронная эмиссия и прохождение тока в вакууме…………… .6

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 2 Измерение характеристик и параметров

вторичной электронной эмиссии……….………………………………...24

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 3 Исследование процессов развития газового разряда

в ионных приборах………………………………………………………..38

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 4 Исследование статических и динамических характеристик

полупроводниковых диодов и стабилитронов.…………………………… 51

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 5 Исследование статических характеристик

и параметров биполярных транзисторов………….……………..............79

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 6 Исследование статических характеристик и параметров

полевых транзисторов…………...……………………………..…….........98

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 7 Исследование статических и динамических характеристик

триодного тиристора……….………………………………..…………...112

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 8 Исследование статических характеристик

и параметров оптоэлектронных приборов…………..………………….127

ПРИЛОЖЕНИЕ…………………………………………………..............149 СПИСК ЛИТЕРАТУРЫ………………………………………………….158

159