3.2. Описание лабораторной установки

Лабораторный стенд содержит базовые части схем исследования полевых транзисторов, источники питания и измерительные приборы.

Источники питания имеют общую шину отсчета потенциалов (схемная земля). Потенциальные шины источников питания относительно схемной земли имеют потенциалы, В: +10; +20; –10; –20. Эти шины соединены с соответствующими гнездами на лицевой панели стенда.

Сборка испытательной схемы заключается в подсоединении к соответствующей базовой части схемы измерительных приборов и потенциальных шин источников питания в соответствии с рис. 16, 17, 18.

При проведении испытаний на схему подаются регулируемые значения напряжений U_зи и U_си. На схемах по рисункам 16, 17, 18 регулирование этих напряжений осуществляется с помощью потенциометров R1 и R2.

Для защиты транзисторов от пробоя под действием электростатического заряда затворы и стоки полевых транзисторов соединены через резисторы с общей шиной источников питания (на схемах не показаны). Общая шина через резистор также соединена с клеммой «земля» на лицевой панели стенда.

PA

R2

R1

E₁ (–10B)

E₂ (–20B)

mA

V

V

PV2

PV1

VT

Рис. 16

R2

R1

+

–

+

–

E₁ (–10B)

E₂ (–20B)

mA

PA

V

PV2

VT

V

PV1

Рис. 17

E₁ (+10B)

E₂ (–10B)

V

R1

VT

PV2

–

V

PV2

+

–

mA

PA

R2

E₃ (+10B)

Рис. 18

3.3. Рабочее задание

1. Изучить первый раздел данного лабораторного практикума.

Исследовать семейства проходных и выходных ВАХ полевых транзисторов. Семейства ВАХ строятся для нескольких значений их параметров. Параметром семейства проходных (выходных) ВАХ является напряжение U_СИ (U_ЗИ). Собрать схему по рис.16 для исследования транзистора с управляющим p-n-переходом. Измерить напряжение отсечки приU_СИ = E₂. Заполнить таблицы экспериментальных данных для семейств проходных и выходных статических ВАХ и построить графики этих функций.

2. Собрать схему по рис.17 для исследования МДП-транзистора с индуцированным каналом. Измерить , составить таблицы данных экспериментального исследования семейств проходных и выходных статических ВАХ и построить графики этих функций.

3. Собрать схему по рис.18 для исследования МДП-транзистора со встроенным каналом. Определить , заполнить таблицы данных экспериментального исследования семейств выходных и проходныхстатических ВАХ, построить графики этих функций.

4. По данным пп. 2, 3, 4 найти дифференциальные параметры транзисторов в выбранных режимах их работы. Оценить значения величины при выбранных значенияхU_ЗИ.

3.4. Вопросы к защите лабораторной работы

1. Какие разновидности полевых транзисторов вы знаете?

2. В чём заключается особенность принципа действия полевых транзисторов?

3. Каковы характеристики и параметры полевых транзисторов?

4. Каковы структура и принцип действия полевого транзистора с управляющим р–п-переходом?

5. Каковы различия в структуре и свойствах полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом и с барьером Шотки?

6. На каких физических явлениях основан принцип действия транзисторов МДП - типа?

7. Каковы структура и принцип действия МДП-транзистора с индуцированным каналом?

8. Каковы структура и принцип действия МДП-транзистора со встроенным каналом?

9. Какова связь форм графиков статических ВАХ транзистора с физическими процессами, происходящими в нём в случаях:

1. транзистора с управляющим p-n-переходом;

2. МДП-транзистора со встроенным каналом;

3. МДП-транзистора с индуцированным каналом.

10. Каковы основные достоинства и недостатки полевых транзисторов по сравнению с биполярными?

11. Какова малосигнальная электрическая модель (эквивалентная схема) полевого транзистора?