Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Задания для выполнения

.pdf
Скачиваний:
11
Добавлен:
15.03.2016
Размер:
1.6 Mб
Скачать

2) принимаем Iдел = (2, …, 5) Iб0 и определяем значения сопротивления:

R1 = (Iэ0Rэ + Uбэ0) / Iдел;

(2.8)

R2 = (Eк IделR1) / (Iдел + Iб0).

(2.9)

Сопротивление в цепи коллектора

 

Rк = (Eк Uкэ0 Iэ0Rэ) / Iк0.

(2.10)

Эквивалентное сопротивление базовой цепи для переменной

составляющей входного тока

 

Rб = R1R2 / (R1+R2).

(2.11)

Значения емкости конденсаторов при частотной полосе входного сигнала в пределах fн = 100 Гц, fв = 10000 Гц:

в цепи эмиттера –

C

э

= 107 / [(1, …, 2)2 f R ];

(2.12)

 

н э

 

разделительная емкость на входе и выходе каскада –

C

р1

= C

р2

= 107 / [(1, …, 2)2 f R

каск вх

],

(2.13)

 

 

н

 

 

где Cэ, Cр1 и Cр2 – в микрофарадах.

Определение параметров усилительного каскада. Входное и выходное соп-

ротивления каскада определяем следующим образом:

Rкаск вх = Rбrвх транз / (Rб + rвх транз);

(2.14)

Rкаск вых = Rк / (1 + h22эRк).

(2.15)

Коэффициенты усиления каскада без дополнительной внешней нагрузки, а также без учета внутреннего сопротивления источника входного сигнала имеют вид:

по току –

 

KI = Iвых / Iвх ;

(2.16)

по напряжению –

 

KU = – ( Rк) / Rкаск вх;

(2.17)

по мощности –

 

 

 

 

KP = KIKU.

 

 

 

(2.18)

Полезная выходная мощность каскада

 

 

 

 

 

 

 

Pвых = 0,5 (Um вых)2 / Rк.

 

 

(2.19)

Полная мощность, расходуемая источником питания,

 

P

= I

э0

E

+ I 2

(R

+ R

) + I 2 R .

(2.20)

0

 

к

дел

1

2

 

б0

2

 

Электрический КПД усилительного каскада

 

 

 

 

 

э = (Pвых / P0) 100 %.

 

 

(2.21)

Коэффициент нестабильности

каскада

по

коллекторному

току

(желательно, чтобы он был меньше)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

S = / (1+ ),

 

 

 

(2.22)

или

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

S 1+ Rб / Rэ,

 

 

 

(2.23)

или

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

S (Rб + Rэ) / [(1+h21б) Rб + Rэ],

(2.24)

где = Rэ / (Rб + Rэ).

По окончании расчетов и графических построений формулируем выводы по полученным результатам.

2.2. Задание для расчета транзисторного усилительного каскада

Ц е л ь р а б о т ы по этому разделу: провести графоаналитическое исследование режима работы транзистора в классе усиления А и определить основные параметры транзисторного усилительного каскада в схеме с общим эмиттером при одном источнике питания Eк с автоматическим смещением и эмиттерной стабилизацией рабочего режима.

В процессе выполнения задания необходимо определить: положение рабочей точки покоя и соответствующие ей значения токов Iб0, Iк0, Iэ0 и

напряжений Uбэ0, Uкэ0; диапазон изменения входного ± Um вх и выходного ± Um

вых напряжения; значения сопротивлений резисторов R1, R2, Rэ, Rк и емкости конденсаторов Cэ, Cр1 и Cр2; параметры усилительного транзисторного каскада:

входное Rкаск вх и выходное Rкаск вых сопротивления, коэффициенты усиления по току KI, напряжению KU и мощности KP, полезную выходную мощность и мощность, затраченную источником, КПД усилительного каскада.

Тип биполярного транзистора для усилительного каскада необходимо выбрать по номеру своего варианта из табл. 2.1. Там же приведены предельно допустимые значения токов напряжений и мощности и вторичные параметры для схемы включения транзистора с общей базой (hб-параметры транзисторов).

Т а б л и ц а 2.1

Выбор типа биполярного транзистора

Последня

 

 

 

 

 

Предельные значения

Тип

 

h-параметры

 

параметров

я цифра

 

 

транзис-

 

 

 

 

транзистора

номера

 

 

 

 

тора

h11б,

 

 

h22б,

Uкэ доп,

Iк доп,

Pдоп,

варианта

h12б

h21б

 

Ом

См

В

мА

мВт

 

 

 

 

1

КТ340В

30

2 10-3

-0,96

1 10-6

15

50

200

2

КТ358А

30

1 10-3

-0,93

1 10-6

15

45

150

3

КТ325А

35

1 10-3

-0,97

1 10-6

15

45

150

4

КТ201А

50

1 10-3

-0,96

1 10-6

20

20

150

5

КТ3102Г

50

0,5 10-3

-0,998

1 10-6

20

8,5

250

6

КТ603В

32

1 10-3

-0,96

1 10-6

15

45

150

7

КТ315Ж

20

5 10-3

-0,974

2 10-6

15

45

150

8

КТ603Е

20

1 10-3

-0,98

2 10-6

10

8

50

9

КТ325Б

25

2 10-3

-0,987

1 10-6

15

45

150

0

КТ368Б

25

3 10-3

-0,985

2 10-6

15

25

225

Т а б л и ц а 2.2

Выбор напряжения источника питания

Предпос-

 

 

Напряжение Eк для транзистора, В

 

 

ледняя

КТ340В

КТ358А

КТ325А

КТ201А

3102КТ Г

КТ603В

315КТ Ж

КТ603Е

КТ325Б

КТ368Б

варианта

цифра

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

номера

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

14

11

12

9

18

13

14

7

11

9

1

12

13

14

8

16

11

12

8

13

12

2

13

12

11

7

14

14

13

9

12

14

3

9

 

9

9

7,2

15

9

12,2

 

7,2

9

11

4

10

 

10

10

7,5

15,5

10

12,5

 

7,5

10

10

5

10,5

 

10,5

10,5

7,7

16,5

10,5

13,2

 

7,7

10,5

10,5

6

11

 

11,5

11,5

8,2

17

11,5

13,5

 

8,2

11,5

12,5

7

11,5

 

12,5

12,5

8,5

17,5

12

13,7

 

8,5

12,5

13

8

12,5

 

13,5

13

8,7

18,5

12,5

14,2

 

8,7

13,5

13,5

9

14,5

 

14

13,5

9,5

19

13,5

14,5

 

9,5

14

14

Семейство

статических

выходных

и входных

вольт-амперных

характеристик транзисторов приведены в прил. 5. Напряжение источника питания Eк выбирается из табл. 2.2.

Полученные расчетные значения сопротивлений и емкостей необходимо уточнить в соответствии с рядом номинальных значений выпускаемых промышленностью резисторов и конденсаторов (см. прил. 4).

2.3. Пример расчета

Записываем исходные данные для расчета (табл. 2.3), изображаем схему усилительного каскада (см. рис. 2.1) и объясняем назначение каждого элемента схемы.

Для определения параметров рабочего режима приводим входные и выходные характеристики транзистора МП41 (см. рис. 2.2 и 2.3).

Ограничиваем рабочую область на выходных характеристиках в соответствии с заданными допустимыми значениями Uкэ доп = 15,5 В; Iк доп = 45 мА; Pдоп = 150 мВт (см. рис. 2.3).

Т а б ли ц а 2.3 Исходные данные для расчета транзисторного усилительного каскада

Последня

 

 

 

 

 

 

Предельные

 

я

Тип

 

h-параметры

 

значения параметров

Eк,

цифра

транзи-

 

 

 

 

 

транзистора

 

 

 

 

 

В

номера

стора

h11б,

h12б

h21б

 

h22б,

Uкэ доп,

Iк доп,

Pдоп,

 

 

варианта

 

Ом

 

См

В

мА

мВт

 

 

 

 

 

 

МП41Б

35

1 10-3

-0,97

1 10-6

15,5

45

150

12

Строим нагрузочную характеристику АВ, проходящую через точку Uкэ = Eк = 12 В на оси напряжения, в соответствии с заданием и точку А,

лежащую на изгибе выходной характеристики (для тока базы Iб = 1,4 мА) в

обозначенной рабочей области (см. рис. 2.3). Точку В выбираем на пересечении нагрузочной и выходной характеристик при Iб = 0,4 мА, так как этим значением тока базы можно ограничить линейный участок на входных характеристиках транзистора (см. рис. 2.2), чтобы обеспечить минимальные нелинейные искажения сигналов для класса усиления А. Положение точки рабочего режима (точки покоя) Рт выбираем на середине участка АВ. В соответствии с масштабом величин по осям характеристик заносим параметры рабочего режима по входным и выходным характеристикам в табл. 2.4.

Таб ли ца 2.4 Параметры рабочего режима транзисторного усилительного каскада

Характеристики каскада

 

Входные

 

 

Выходные

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Iб0, А

0,85∙10-3

Uбэ0, В

0,305

Iк0, А

29∙10-3

Uкэ0, В

4,4

Iб max, А

1,4∙10-3

Uбэ max, В

0,26

Iк max, А

41∙10-3

Uкэ max, В

7,6

Iб min, А

0,4∙10-3

Uбэ min, В

0,355

Iк min, А

17∙10-3

Uкэ min, В

1,2

Im б, А

0,5∙10-3

Um бэ, В

0,045

Im к, А

12∙10-3

Um кэ, В

3,2

 

 

 

 

 

 

 

 

Определяем ток эмиттера

Iэ0 = Iб0+Iк0,

Iэ0 = 0,85∙10-3 + 29∙10-3 = 29,85∙10-3 А.

Строим временные диаграммы входных и выходных сигналов по току и по напряжению в одном масштабе времени на входных и выходных характеристиках транзистора (см. рис. 2.2 и 2.3). По результатам построения делаем вывод о том, что полупериоды сигналов симметричны, форма сигналов близка к синусоидальной, следовательно, нелинейные искажения будут минимальными. Если картина получается иная, отмечаем это в выводах.

Определяем h-параметры транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (ОЭ):

h11э = h11б / (1 + h21б),

h11э = 35 / (1 – 0,97) = 1167 Ом;

h12э = (h11бh22б h12бh21б h12б) / (1 + h21б),

h12э = (35∙1∙10-6 – 1∙10-3(– 0,97) – 1∙10-3) / (1 – 0,97) = 1,67∙10-4; h21э = – h21б / (1 + h21б),

h21э = – (– 0,97) / (1 – 0,97) = 32; h22э = h22б / (1 + h21б),

h22э = 1∙10-6 / (1 – 0,97) = 3,3∙10-5 См.

Входное сопротивление транзистора

rвх транз = h11э = 1167 Ом.

Коэффициент передачи тока

= h21э = 32.

iб

iвх = f(t)

Iб max

Iб0

Iб min

0

t

2,6

мА

2,2

2,0

 

Uкэ= – 5 В

 

 

1,8

 

 

1,6

 

 

 

 

А

1,4

 

 

1,2

 

 

Iб 1,0

 

Рт

 

 

0,8

 

КЭ =-5 В

 

 

0,6

 

 

0,4

 

В

 

 

0,2

 

 

 

0 0,05 0,1 0,15 0,2 0,25 0,3 0,35 В 0,45

 

Uбэ

 

0

Uбэ max

uвх

 

 

 

 

Uбэ0

 

t

Uбэ min

 

 

 

Рис. 2.2. Определение параметров рабочего режима по входным характеристикам для примера расчета

iк

50

 

 

1,4

Iк доп

 

 

 

IБ1,6 мА

 

 

мА

 

 

 

 

 

 

1,2

 

 

 

 

 

 

 

 

40

А

 

 

1,0

 

 

 

 

 

 

i вых = f (t)

35

 

 

 

0,8

Uкэ доп

 

 

 

Рт

 

 

30

 

 

0,6

 

 

 

 

Pдоп

 

IК

25

 

 

 

 

 

 

 

0,4

 

 

 

 

 

 

 

20

 

 

 

 

 

 

15

 

 

 

 

0,2

Iк max

 

 

В

 

 

 

 

 

 

 

Iк min

10

 

 

 

 

 

Iк0

 

 

 

 

 

0

 

5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

t

 

 

 

 

 

 

 

 

0 1 2 3

4 5

6 7 8

9 10 11 12

13 14 В 16

 

 

 

 

Uкэ

 

 

 

 

 

 

 

uкэ

 

 

 

U

uвых = f (t)

 

 

 

 

кэ min

 

 

 

 

 

 

Uкэ0

 

 

 

 

Uкэ max

t

Рис. 2.3. Определение параметров рабочего режима по выходным характеристикам для примера расчета

Полученные значения рассчитанных параметров заносим в табл. 2.5.

Таблица 2.5

Значения вторичных параметров транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером

h11э, Ом

h12э

h21э

h22э, См

rвх транз, Ом

 

 

 

 

 

1167

1,67∙10-4

32

3,3∙10-5

1167

Сопротивление резистора температурной стабилизации в цепи эмиттера (уточняем по номинальным значениям)

Rэ = (0,2, …, 0,3) Eк / Iэ0,

Rэ = 0,25∙12 / 29,85∙10-3 = 100,5 ≈ 100 Ом.

Принимаем

Iдел = 3,5Iб0,

Iдел = 3,5∙0,85∙10-3 = 2,975∙10-3 А.

Сопротивление делителя напряжения (уточняем по ряду номинальных значений)

R1 = (Iэ0Rэ + Uбэ0) / Iдел,

R1 = (29,85∙10-3∙100 + 0,305) / 2,975∙10-3 = 1110,9 ≈ 1100 Ом;

R2 = (Eк IделR1) / (Iдел + Iб0);

R2 = (12 – 2,975∙10-3∙1100) / ( 2,975∙10-3 + 0,852,975∙10-3) = 2273 ≈ 2200 Ом.

Сопротивление в цепи коллектора (уточняем по ряду номинальных значений)

Rк = (Eк Uкэ0 Iэ0Rэ) / Iк0,

Rк = (12 – 4,4 – 29,85∙10-3∙100,5) / 29∙10-3 = 159,138 ≈ 160 Ом.

Эквивалентное сопротивление базовой цепи для переменной составляющей входного тока

Rб = R1R2 / (R1+R2),

Rб = 1100∙2200 / (1100 + 2200) = 742,2 Ом.

Значение емкости конденсатора в цепи эмиттера (уточняем по ряду номинальных значений)

Cэ = 107 / [(1,5)2fнRэ],

Cэ = 107 / (1,5∙ 2 ∙100∙100) = 106,2 ≈ 110 мкФ.

Входное сопротивление усилительного каскада

Rкаск вх = Rбrвх транз / (Rб + rвх транз),

Rкаск вх = 742,2∙1167 / (742,2 + 1167) = 453,7 Ом.

Разделительная емкость на входе и выходе усилительного каскада (уточняем по ряду номинальных значений)

Cр1 = Cр2 = 107 / [(1, …, 2)2fнRкаск вх],

Cр1 = Cр2 = 107 / (1,5∙2 ∙100∙453,7) = 23,4 ≈ 22 мкФ.

Данные расчета заносим в табл. 2.6.

Таблица 2.6

Параметры элементов схемы усилительного каскада

Тип

Cр1,

R1,

R2,

Rэ,

Cэ,

Rк,

Cр2,

транзистора

мкФ

Ом

Ом

Ом

мкФ

Ом

мкФ

 

МП41Б

22

1100

2200

100

110

160

22

 

 

 

 

 

 

 

 

Определяем параметры усилительного каскада. Выходное сопротивление усилительного каскада

Rкаск вых = Rк / (1 + h22эRк),

Rкаск вых = 160 / (1 + 3,3∙10-5∙160) = 159,1 Ом.

Коэффициенты усиления каскада без дополнительной внешней нагрузки, а также без учета внутреннего сопротивления источника входного сигнала:

по току –

KI = Iвых / Iвх ,

KI = 32;

по напряжению –

KU = – (Rк) / Rкаск вх,

KU = – 32∙160 / 453,7 = – 10,89;

по мощности –

KP = KIKU,

KP = 32∙(– 10,89) ≈ – 349.

Полезная выходная мощность каскада

Pвых = 0,5 (Um вых)2 / Rк,

Pвых = 0,5∙(3,2)2 / 160 = 0,032 Вт.

Полная мощность, расходуемая источником питания,

 

 

P = I

 

E +

I 2

(R + R ) +

I 2

R ,

 

 

 

 

0

э0 к

дел

1 2

 

б0

2

 

 

P = 29,85∙10-3∙12 + (2, 975∙10-3)2 (1100 + 2200) + 0,85∙10-3∙2200 = 2,22 Вт.

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Электрический КПД усилительного каскада

 

 

 

 

 

 

 

э = (Pвых / P0) 100 %,

 

 

 

 

 

 

э = (0,032 / 2,22)100 = 14,4 %.

 

 

Полученные значения заносим в табл. 2.7.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Таблица 2.7

 

 

Параметры усилительного каскада

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Rкаск вх,

Rкаск вых,

KI

 

KU

 

KP

 

Pвых, Вт

P0, Вт

э, %

Ом

Ом

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

453,6

159,1

32

 

– 10,89

 

– 349

 

0,032

2,22

14,4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Коэффициент нестабильности каскада по коллекторному току

S 1 + Rб / Rэ,

S 1 + 2221,8 / 100,5 = 23,1.

В ходе выполнения задания определены параметры всех элементов схемы транзисторного усилительного каскада в режиме усиления класса А. При низком КПД (около 14 %) транзисторного усилительного каскада – минимальные нелинейные искажения и достаточные коэффициенты усиления.

Задание №5

3. СИНТЕЗ ЛОГИЧЕСКИХ СХЕМ

3.1. Общие теоретические сведения

Среди огромного разнообразия электротехнических устройств есть и такие, которые используют не аналоговую форму сигнала (как в выпрямителях, усилителях и т. д.), а цифровую.

Логические (цифровые) схемы составляют основу устройств цифровой (дискретной) обработки информации – вычислительных машин, цифровых измерительных приборов и устройств автоматики. Связи между этими схемами