Практичне завдання

1. Ознайомитись із принциповою схемою вимірювальної установки.

2. Виміряти магнітоопір  /_о у залежності від величини напруженості магнітного поля при таких її значеннях:

І, А	0,5	1,0	1,5	2,0	2,5	3,0
H, Epc	540	1060	1670	2200	2720	3200

де І – струм через обмотки електромагніта.

3. Дослідити кутову залежність магнітоопору при кімнатній температурі. Вимірювання виконувати, змінюючи кут від 0⁰ до 210⁰ через 15⁰ при фіксованому напрямку струму через зразок і двох напрямках магнітного поля.

4. Дані вимірювань та обчислень занести в таблицю:



B

VH1

VH2

V01

V02

V0сер

VНcеp

/о

де α – кут між напрямком магнітного поля і напрямком струму; V_H1 ,V_H2 – спад напруги на потенціальних зондах зразка при двох напрямках магнітного поля; V₀₁ і V₀₂ – спад напруги на потенціальних зондах зразка без магнітного поля до ввімкнення і після вимкнення магнітного поля; – магнітна індукція.

Вимірювання V₀ і V_Н виконувати з максимально можливою точністю, не округлюючи, оскільки зміна ерс в магнітному полі мала.

5. За результатами розрахунків побудувати залежність /_о = f(α), де /_о = (V_H  - V_o)/V₀; V_Hсер = (V_H1+ V_H2)/2; V_0сер = (V₀₁+ V₀₂)/2.

6. Побудувати графік залежності /_о = f(B). На основі виразу (2) розрахувати рухливість електронів.

Контрольні запитаннЯ

1. У чому полягає фізичний зміст явиша магнітоопору в напівпровідниках?

2. За яким виразом визначають величину магнітоопору?

3. Пояснити виникнення поперечного магнітного опору в зразку з обмеженими розмірами.

4. Пояснити виникнення поперечного магнітного опору в безмежному зразку (диск Корбіно).

5. Яким є вплив геометрії зразка на величину поперечного магнітоопору? Що таке фізичний і геометричний магнітоопори?

6. Пояснити польову залежність поперечного магнітоопору у слабких магнітних полях.

7. Пояснити польову залежність поперечного магнітоопору в сильних магнітних полях у безмежному зразку і зразку обмежених розмірів.

8. Якими є критерії слабкого і сильного магнітних полів?

9. Про що свідчить відсутність поздовжнього магнітоопору при довільній орієнтації струму і магнітного поля відносно кристалографічних осей?

Література

1. Шалимова К. В. Физика полупроводников: учебное пособие [для инженерно-техн. спец..] / К. В. Шалимова – М.: Энергия, 1976. – 416 с.

2. Фистуль В.И. Введение в физику полупроводник: [учебное пособие для специальностей полупроводниковой и электронной техники] / Фистуль В.И. – М.: Высш. шк., 1975. – 296 с.

3. Шалабутов Ю.К. Введение в физику полупроводников: учебное пособие [для студ. высш. учебн. завед.] / Ю.К. Шалабутов – Л.: Наука, 1975. – 292 с.

4. Неменов Л. Л. Основы физики и техники полупроводников: учебное пособие [для специальностей полупроводниковой и электронной техники] / Л. Л. Неменов, М. С. Соминский – Л.: Наука, 1974. – 398 с.

5. Буш Г. Определение основных характеристик полупровод-ников электрическими, оптическими и магнитными методами. ( В книге “Полупроводники в науке и технике. Т.II. Полупроводниковые приборы”) / Г. Буш.,У. Винклер. – М., Л.: Изд. АН СССР, 1958. – С.569- 625.

6. Воробьев Ю.В. Методы исследования полупроводников: учебное пособие [ для студ. высш. учебн. завед.] Ю. В. Воробьев, В. Н. Добровольский, В. И. Стриха – Киев.: Вища школа, 1988. –232с.

7. Павлов Л. П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов: учебное пособие [для студ. вузов по специальности “Полупроводниковые приборы”]/ В..Л. Бонч-– М.:Высш. шк.,1987. – 239 с.

8.  Бонч-Бруевич В..Л. Физика полупроводников: учебное пособие [для студ. физических специальностей вузов]/ В..Л. Бонч-Бруевич, С. В.Калашников– М.: Наука, 1977. – 672 с.

9.  Киреев П. С. Физика полупроводников: учебное пособие [для втузов] / П. С. Киреев – М.: Высшая школа, 1975. – 590с.

Електронні процеси в напівпровідниках

Методичні рекомендації до лабораторних робіт

Укладачі: Гавалешко Наталія Миколаївна,

Ілащук Марія Іванівна

Відповідальний за випуск Мар’янчук П.Д.

Літературний редактор

3 4