Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Лр4,5 / Лр4 / pdf-формат / ЛР4-5р

.pdf
Скачиваний:
47
Добавлен:
10.02.2016
Размер:
380.6 Кб
Скачать

Министерство образования и науки, молодежи и спорта Украины

Одесская национальная морская академия

Кафедра физики и химии

Лабораторная работа № 4-5

Изучение свойств сегнетоэлектриков

УКАЗАНИЯ К ЛАБОРАТОРНОМУ ПРАКТИКУМУ

Составили: В.И. Михайленко,

А.А.Горюк,

Ф.А.Птащенко

Утверждено на заседании кафедры, протокол № 2 от 29 сентября 2011 г.

Одесса – 2011

1

Лабораторная работа № 4 5 ИЗУЧЕНИЕ СВОЙСТВ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ

1.Теоретическая часть

1.1. Диэлектрики в электрическом поле

Диэлектрики не проводят электрический ток, у них нет свободных носителей заряда (заряженных частичек, которые могли бы свободно двигаться по всему объему диэлектрика). Но у них есть связанные носители заряда, которые под действием внешнего электрического поля могут смещаться от положения равновесия.

Молекулы диэлектриков бывают полярными и неполярными. У неполярных

 

 

 

 

 

 

 

 

 

молекул при

отсутствии внешнего

 

 

 

 

 

 

 

поля дипольный момент* равняется

E 0

 

 

 

 

 

E

 

 

нулю, рис. 1а. Внешнее электрическое

 

 

 

 

 

 

pe

 

 

pe 0

 

 

 

 

 

 

 

поле смещает

положительный

и

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

отрицательный

заряд молекулы

в

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

разных направлениях, центры этих

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

зарядов расходятся на расстояние l

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(рис. 1б), то есть молекула

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

поляризуется,

приобретает

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

а б

 

Рис. 1

E 0

E

p

p

e

e

а Рис. 2 б

pe α 0 E ,

дипольный

момент

p

q l ,

 

 

e

 

направление

которого

совпадает с

направлением напряженности** поля E . Важно подчеркнуть, что поле, которое создаёт молекула при

поляризации (направленное от „+” молекулы к „–”), противоположно по направлению к внешнему полю.

Расстояние, на которое расходятся

центры зарядов и дипольный момент, который возникает в молекуле, пропорциональны напряженности внешнего поля:

(1)

2

где 0 8,85 10 12 Фм – электрическая постоянная. Коэффициент пропорциональности α называется поляризуемостью молекулы (чем больше α , тем сильнее поляризуется молекула в поле).

*) Электрическим диполем называют совокупность двух точечных одинаковых по величине, но

противоположных по знаку точечных зарядов q , находящихся на расстоянии l один от другого.

Дипольный момент p

– это вектор, который равняется произведению p

q l . Дипольный

e

e

 

момент направлен вдоль оси диполя от „–” к „+”.

**) Вектор напряжённости E – это силовая характеристика поля, т.е. чем больше E – тем сильнее электрическое поле действует на электрические заряды. Вектор E численно равняется силе, с которой поле действует на единичный заряд и направлен в сторону этой силы E FQ .

У полярных молекул даже без внешнего поля есть отличный от нуля дипольный

момент. При этом вследствие теплового хаотичного движения молекул направления их дипольных моментов ориентированы хаотически (рис. 2а). Под действием внешнего поля полярные молекулы будут поворачиваться так, чтобы их дипольные моменты совпадали с направлением напряженности поля (рис. 2б). Снова подчеркнем, что внутреннее поле молекул ( от „+” к „ ”) будет противоположным внешнему.

 

 

Итак,

молекулы

диэлектрика

при внесении

во внешнее поле E0

 

 

 

 

 

 

 

 

ориентируются или поляризуются так, что на поверхностях

 

 

 

 

 

 

 

диэлектрика (обведенных на рис. 3 пунктиром) возникают

 

 

 

 

Eінд

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

избыточные связанные заряды противоположных знаков (с

 

+

_

+

_

+

_

 

поверхностной плотностью и

). Эти заряды создают

 

+

_

 

_

+

_

 

 

 

 

 

 

_

+

E_

_

 

внутреннее индуцированное поле Eинд , противоположное

 

+

+

 

 

 

+

 

 

 

внешнему E0 .

Таким образом,

суммарное поле

внутри

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

E0

 

 

 

диэлектрика

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 3

 

 

 

 

E E0

Eінд

(2)

будет меньшим, чем внешнее (в вакууме). Диэлектрическая проницаемость показывает, во сколько раз напряженность поля в вакууме больше, чем в диэлектрике

 

 

E0

 

.

(3)

E

 

 

 

 

Явление возникновения в диэлектриках, помещенных во внешнее

электрическое поле, собственного внутреннего

(индуцированного) поля,

3

вызванного смещением связанных зарядов, называют поляризацией диэлектрика.

Количественной мерой величины поляризации есть поляризованость диэлектрика. Поляризованость диэлектрика численно равняется дипольному моменту единицы объема вещества:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

pe

 

 

(4)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

P

V

,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где

pe

– векторная сумма дипольных моментов всех молекул в объеме V

диэлектрика.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Единица измерения поляризованости P 1 Кл м

1 Кл , то есть размерность

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

м3

м2

 

P совпадает с размерностью поверхностной плотности зарядов (величины заряда,

 

 

 

 

 

E

 

 

приходящегося на единицу площади). Можно показать,

 

 

 

 

 

что поляризованость численно равна

поверхностной

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

плотности связанных зарядов:

 

 

 

 

+

_

+

_

+

_

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

S

 

+

_

+

_

+

_

 

 

 

 

P .

(5)

 

 

+

_

+

_

+

_

Действительно, пусть l – длина диэлектрика, S

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

l

 

 

 

 

 

 

 

 

 

площадь его боковой поверхности (рис. 4). Этот

 

 

 

Рис. 4

 

 

диэлектрик можно рассматривать как диполь длиной l и

 

 

 

 

 

зарядами

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Q S ,

 

(6)

то есть его дипольный момент

pe Q l S l V ,

где V S l – объем. Тогда поляризованость равняется P pe V .

Понятно, что в обычных диэлектриках поляризованость пропорциональна внешнему полю. Чем больше поле, тем сильнее ориентируются или растягиваются молекулы, тем большей становится поляризация. Коэффициент пропорциональности между Р и Е можно найти, например, для неполярных молекул: у них дипольный момент одной молекулы будет определяться по выражению (1), pe 0αE , а суммарный дипольный момент будет pe N pe ,

где N – количество молекул. Тогда поляризованость

 

 

4

 

 

pe

 

N

 

(7)

P

V

 

V α 0 E nα 0 E ,

 

 

где n– концентрация молекул. Величину

 

 

 

κ n α

(8)

называют диэлектрической восприимчивостью. Чем больше κ, тем больше поляризованость диэлектрика при данном значении напряженности поля. Можно показать, что диэлектрическая восприимчивость и проницаемость связаны соотношениям:

 

 

 

.

(9)

 

 

κ 1

Таким образом, связь P и E выглядит так:

 

 

 

P κE

 

.

(10)

 

 

 

 

0

 

 

 

 

Заметим, что такая пропорциональная зависимость поляризованости от напряженности электрического поля наблюдается только у обычных линейных диэлектриков.

Для описания поля в диэлектриках полезно ввести понятие вектора электрического смещения. Он дается выражением

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D 0 E

 

.

(11)

Вектор напряженности электрического поля E зависит от среды, в которой создано поле (уменьшается в раз в диэлектрике). Как видим, вектор D не зависит от среды (его диэлектрической проницаемости) и характеризует поле, созданное только свободными зарядами (и не зависит от наличия связанных зарядов при поляризации диэлектрика). Например, для поля точечного заряда

D

E

 

 

1 Q

 

Q

.

 

 

 

 

 

4 0 r2

4 r2

0

 

0

 

 

 

Видно, что в это выражение для D не входит , то есть нет различия, где измерять D – в вакууме или внутри диэлектрика.

Вектор электрического смещения связан с поляризованостью диэлектрика. Можно показать, что между векторами D , E и P справедливо соотношение:

 

 

 

 

5

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

D 0 E P или E

D P .

(12)

0

 

 

 

 

 

 

 

Это соотношение можно трактовать так: поле E внутри диэлектрика

пропорционально разности внешнего поля (в вакууме)

D и поля связанных зарядов

Р.

 

 

 

 

 

 

 

1.2. Сегнетоэлектрики

Особый интерес и практическую ценность представляют некоторые кристаллические диэлектрики, которые выделены в отдельный класс, который называют сегнетоэлектриками. Свое название они получили от первого вещества

E 0

P 0

 

E 0

 

 

 

такого типа

сегнетовой

соли

 

P 0

 

 

NaKC4 H4O6 4H2O .

Характерная

 

 

 

 

 

 

 

 

особенность

 

сегнетоэлектриков

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

состоит в том, что у них в

 

 

 

 

 

 

 

 

определенном

 

температурном

 

 

 

 

 

 

 

 

интервале

резко

 

возрастает

 

 

 

 

 

 

 

 

диэлектрическая проницаемость

(

а

 

 

 

б

 

 

 

Рис. 5

 

 

 

 

может достигать величин 103 104 ). У

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

сегнетоэлектриков

 

зависимость

поляризованости от

напряженности

электрического поля

нелинейная,

а

P

PH

 

диэлектрическая проницаемость ε и диэлектрическая

 

восприимчивость

зависят

от

 

напряженности

 

 

 

 

 

а

 

 

 

внешнего поля.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Такие свойства сегнетоэлектриков обусловлены

 

 

 

 

 

 

 

 

 

их специфическим микроскопическим строением. У

 

 

 

E

сегнетоэлектриков существуют области, в которых

D

 

 

дипольные

моменты

отдельных

молекул

 

 

 

ориентированы

 

одинаково.

Такие

области

 

 

 

 

называются доменами (рис. 5), их размеры порядка

б

 

 

 

10 1 10 3 мм. А такая самопроизвольная ориентация

 

 

 

 

молекул внутри доменов называется спонтанной

 

 

 

 

поляризацией.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

E

 

При отсутствии внешнего электрического поля

 

 

 

домены ориентированы хаотически, их дипольные

 

 

 

 

моменты компенсируют друг друга и средняя

в

 

 

 

поляризованость диэлектрика равняется нулю

(рис.

 

 

 

5а). Если кристалл сегнетоэлектрика внести во

 

 

 

 

 

 

 

 

внешнее

 

поле,

происходит

 

переориентация

 

EH

 

дипольных моментов доменов в направлении поля и

 

E

весь кристалл становится поляризованным (рис. 5б).

Рис. 6

6

Рассмотрим подробно, как поляризованость, диэлектрическая проницаемость и вектор электрического смещения у сегнетоэлектриков зависят от напряженности внешнего электрического поля. При росте напряженности поля до некоторой величины EH поляризованость быстро возрастает и достигает состояния насыщения PH (рис 6а), когда уже все дипольные моменты доменов переориентировались вдоль поля. После этого рост поляризации прекращается.

Аналогично меняется и вектор электрического смещения D с тем лишь различием, что при полях, больших за EH , вектор D не остается постоянным, а медленно линейно возрастает (рис. 6б), поскольку из выражения (12) вытекает, что

D ~ E .

Как было указано выше, диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектриков не является постоянной, а зависит от напряженности поля (рис. 6в). Вид этой зависимости можно найти из выражений (11) и (12):

D 0 E 0 E P 1

P

,

(13)

0 E

 

 

 

т е. сначала очень быстро возрастает при резком росте поляризованости, а потом

уменьшается к

единице,

когда поляризованость

достигает

значения

PH , а

отношение

 

P

 

стремится к нулю.

 

 

 

 

 

 

 

 

0 E

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Для сегнетоэлектриков характерное явление диэлектрического гистерезиса,

которое состоит в отставании изменений вектора поляризации

P от изменений

P

 

 

 

1

вектора напряженности электрического поля E , рис. 7.

PЗ

 

 

 

Если неполяризованный сегнетоэлектрик поместить в

2

 

 

электрическое поле и увеличивать напряженность

 

 

 

 

 

поля E , то вызванная этим

полем

поляризация

3

 

 

 

6

возрастает

по

кривой

0 1,

которая

называется

EК

0

 

E

основной кривой поляризации сегнетоэлектрика. В

 

 

 

 

 

 

 

 

точке 1 поляризованость достигает значения

4

5

 

 

насыщения

PH . При уменьшении поля Е

 

 

 

 

 

поляризованость уменьшается не по кривой 1 0, а по

 

 

 

 

 

кривой 1 2. Это происходит поэтому, что

 

 

 

 

 

преобладающая

ориентация

доменов

в

одном

Рис. 7

направлении не исчезнет. Если поле совсем убрать (точка 2), то у сегнетоэлектрика сохраняется остаточная поляризованость PЗ . Чтобы

7

ее устранить, надо приложить в обратном направлении поле некоторой напряженности EК , которую называют коэрцитивной силой. При дальнейших изменениях напряженности поля кривая P(E) замыкается, образуя петлю гистерезиса. Площадь петли гистерезиса пропорциональна электрической энергии, которая превращается в тепловую за один цикл при возвращении дипольных моментов доменов в исходное положение.

Указанные свойства сегнетоэлектриковнаблюдаются только при температурах, меньших за некоторую TK , которая

 

называется точкой Кюри. При повышении

 

температуры

к

TK в

сегнетоэлектрике

 

происходит фазовый переход (меняется

 

кристаллическая решётка сегнетоэлектрика),

 

домены разрушаются, исчезает спонтанная

TK

T поляризация

 

и

сегнетоэлектрик

Рис. 8

превращается

в

обычный

полярный

 

диэлектрик.

 

При

 

нагревании

сегнетоэлектриков диэлектрическая проницаемость с приближением к точки Кюри резко возрастает, а потом спадает (рис. 8). В большинстве сегнетоэлектриков выше точки Кюри зависимость диэлектрической проницаемости ε от температуры Т описывается законом Кюри Вейса

 

B

,

(14)

T TK

 

 

 

где В – константа, которая зависит от вещества сегнетоэлектрика.

Сегнетоэлектрики применяются в постоянных конденсаторах благодаря большим , и конденсаторах со сменной электроемкостью, управляемым напряжением.

2.ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ

2.1.Цель работы

Изучение температурной зависимости диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика.

2.2. Приборы и оборудования

Вольтметр V (Umax 150 B ) , вольтметр V0 (Umax 3 B ), термометр, реостат, нагреватель.

8

2.3. Описание экспериментальной установки. Вывод рабочей формулы

 

Электрическая схема установки показана на рис. 9.

Переменное

 

 

 

 

 

 

 

 

напряжение подается на реостат R и два

 

 

 

 

 

 

 

 

конденсатора электроемкостью СХ и С0.

 

 

 

CX

 

 

 

 

Объем между обкладками первого из них

 

 

 

 

 

 

 

~ R

 

V

 

 

 

 

заполнен

исследуемым

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

сегнетоэлектриком.

Поскольку

 

 

 

 

 

 

 

 

C0

 

 

V

0

конденсаторы включены последовательно,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

то величина заряда на каждом

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

конденсаторе будет одинаковой:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 9

 

 

 

 

Q C0U0

CXUX , (15)

где U0 и UХ – соответственно напряжения на конденсаторах C0 и CХ. Если общее напряжение, которое подается на конденсаторы и измеряется вольтметром V, обозначить через U, то из выражения (15) вытекает

CX (U U0 ) C0U0 .

(16)

В данной работе сегнетоэлектрик помещен между пластинами плоского конденсатора, ёмкость которого

CX

0S

,

(17)

d

 

 

 

где S – площадь пластины конденсатора; d – расстояние между пластинами; ε

диэлектрическая проницаемость

 

сегнетоэлектрика,

0 8,85 10 12 Ф м

электрическая постоянная. Подставив формулу (17) в (16), получим

 

C0d

 

U0

.

(18)

 

 

 

0S

 

U U0

 

 

Если пластины конденсатора имеют форму круга диаметром D, то их площадь

S D4 2 , а вычислительная формула будет иметь окончательный вид

 

4C0d

 

 

U0

k

U0

,

(19)

D2

 

 

 

 

 

U U0

U U0

 

где

 

 

 

 

4C0d

 

 

 

 

 

 

 

k

 

 

 

(20)

 

 

 

D2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

– постоянная установки.

2.4.Порядок проведения измерений

1.По указанию преподавателя реостатом R выставьте напряжение U в интервале

100 150 B .

9

2.Включите электрический нагреватель и, начиная с 90 C , через каждые 5 C

снимайте показания вольтметров V и V0. Значение напряжений U и U0, а также температуры t0 заносите в таблицу.

3.По формуле (19) вычислите значение диэлектрической проницаемости ε для заданных температур t0.

4.Постройте график зависимости f ( t ) .

5.С помощью графика определите температуру Кюри ТК.

 

 

 

 

Таблица

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C мкФ;

d мм;

D мм;

k

4C0d

 

 

 

 

 

D2

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

t, C

 

U0, B

 

U, B

 

 

U0

 

k

U0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U U0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U U0

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Контрольные вопросы

1.Какие молекулы называют полярными и неполярными? Что происходит с ними во внешнем электростатическом поле?

2.Какой дипольный момент приобретает неполярная молекула во внешнем поле? Что такое поляризуемость молекулы?

3.В чем состоит явление поляризации?

4.Почему в диэлектрике напряженность электростатического поля меньше, чем в вакууме?

5.Что такое диэлектрическая проницаемость диэлектрика?

6.Что такое поляризованость диэлектрика? В которых единицах она измеряется?

7.Как связана поляризованость с поверхностной плотностью связанных зарядов?

8.Как связана поляризованость с напряженностью электрического поля в диэлектрике? Что показывает диэлектрическая восприимчивость?

9.Как связаны диэлектрическая проницаемость и диэлектрическая восприимчивость?

10.Что такое вектор электрического смещения? Какая связь между векторами D , E и P ?

11.Какие вещества относятся к сегнетоэлектрикам? Какие у них свойства? С чем они связаны?

12.Как поляризованость, диэлектрическая проницаемость и вектор электрического смещения у сегнетоэлектриков зависят от напряженности внешнего электрического поля?

13.Объясните явление диэлектрического гистерезиса у сегнетоэлектриков.

14.Как влияет температура на свойства сегнетоэлектриков?

Соседние файлы в папке pdf-формат