Скачиваний:
23
Добавлен:
12.12.2013
Размер:
52.74 Кб
Скачать

ПЕРМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ

ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

Кафедра Автоматики и телемеханики.

Лабораторная работа № 1

Исследование полупроводниковых диодов.

Выполнил:

Студент группы АТПП-04

Павлов Д.Н.

Проверил:

Преподаватель каф. АТ

Андреев Г.Я

Пермь 2006г.

Цель работы: экспериментальные исследования статических и динамических характеристик и параметров диода.

Схема включения диода

ВАХ плоскостного диода

прямая ветвь

U, В

0

0,64

0,68

0,71

0,72

0,74

0,75

I, mА

0

2

4

6

8

10

12

обратная ветвь

U, мВ

0

2

4

6

8

10

12

I, mкА

0

0,17

0,36

0,59

0,78

0,99

1,18

ВАХ стабилитрона

прямая ветвь

U, В

0

0,694

0,714

0,724

0,732

0,739

0,742

I, mА

0

2

4

6

8

10

12

обратная ветвь

U, В

1

2,4

4,4

4,7

5,16

5,43

5,53

5,58

5,63

5,65

I, mкА

0,08

1,35

358

1000

3000

8000

13000

18000

23000

28000

Прямое статическое сопротивление плоскостного диода.

В точке максимального тока:

На пологом участке характеристики:

Обратное статическое сопротивление плоскостного диода.

Дифференциальное сопротивление плоскостного диода.

На восходящем участке:

На пологом участке:

Дифференциальное сопротивление стабилитрона.

На восходящем участке характеристики прямой ветви

На пологом участке характеристики прямой ветви:

Вывод: плоскостной диод изготовлен из кремния,его открывающее напряжение больше чем у точечного.Стабилитрон отличается от плоскостного и точечного диодов тем, что его рабочим участком является обратная ветвь в области пробоя. Напряжение пробоя является напряжением стабилизации. Поэтому стабилитроны и используются для стабилизации переменного напряжения и для ограничения напряжения.

Соседние файлы в папке Лабы по электроники АТПП-04-2006г