МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИя РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Пермский государственный технический университет

Кафедра АТ

Лабораторная работа № 2

Исследование полупроводниковых триодов.

Выполнил: ст. гр.АТПП-04

Павлов Д.Н.

Проверил: Андреев Е.Г.

Пермь 2006г.

Цель работы:

Получение опытным путём входных и выходных статических характеристик для схем с ОЭ и ОБ. Нахождение по входным и выходным характеристикам малосигнальных параметров транзистора.

Инструментарий:

На стойке: измерительный прибор вольтметр В-22; источник питания.

Лабораторный стенд для изучения транзисторов, транзистор МП26Б или аналогичный, соединительные провода.

I_k=F(U_к-э)/I_б=const.

Uк-э, В	Ik, мкА
	Iб=0	Iб=0,05	Iб=0,1	Iб=0,15	Iб=0,2
0	0,32	5,4	5,6	5,8	5,9
0,5	82	1996	3840	5970	4030
2	92	2171	4280	6370	8560
4	102	2304	4640	6780	9050
6	113	2419	4950	7170	9535
8	124	2515	5200	7480	9970
10	144	2607	5460	7810	10380
12	163	2685	5650	8070	10720
14	179	2721	5880	8300	11050
16	205	2752	5996	8520	11340

I_б=F(U_б-э)/I_кэ=const.

Uк=0 В		Uк=-5 В
Iб, мА	Uб-э, В	Iб, мА	Uб-э, В
0	0,006	0	0,046
0,05	0,079	0,05	0,159
0,1	0,102	0,1	0,185
0,15	0,115	0,15	0,201
0,2	0,127	0,2	0,213

I_k=F(U_к-э)/I_б=const.

Uк-б, В	Ik, мкА
	Iэ=0	Iэ=2	Iэ=4	Iэ=6	Iэ=8	Iэ=10
0	1,17	1191	1650	5754	7370	8880
0,5	8,26	2058	4090	6118	7873	9757
2	8,46	2064	4102	6132	7895	9780
4	8,65	2069	4110	6145	7910	9800
6	8,88	2072	4116	6154	7923	9815
8	9,16	2075	4121	6161	7931	9826
10	9,5	2077	4125	6167	7935	9830

I_э=F(U_э-б)/Iк_б=const.

Uкб=0 В		Uкб=-5 В
Iэ, мА	Uэ-б, В	Iэ, мА	Uэ-б, В
0	0,0012	0	0,0156
2	0,159	2	0,149
4	0,187	4	0,175
6	0,204	6	0,192
8	0,219	8	0,205
10	0,232	10	0,218

H-параметры:

Схема общий эмиттер:

UK=5 B

IБ= 0,15 мA

UK=4 B

IБ=0,1 мA

Схема общая база:

UK=5 B

IЭ=8 мA

UK=4 B

IЭ=6 мA

Вывод:

В лабораторной работе мы рассмотрели транзистор МП26Б со схемами включения ОЭ и ОБ.

Данный транзистор является германиевым, сплавным, с p-n-p – переходом, универсальным, низкочастотным, маломощным.

Транзисторы предназначены для усиления и переключения НЧ сигналов. В данной работе он используется для усиления НЧ сигналов.

1) Схема с ОБ имеет лучшие частотные свойства. Характеристики ОБ меньше зависят от температуры. Существует недостаток - малое входное сопротивление, большой входной ток.

2) Схема ОЭ имеет высокий коэффициент усиления по всем параметрам, но очень плохие частотные свойства, характеристики и параметры очень сильно зависят от температуры.