лабы / по диодам / лаба №1 - диоды / министерство образование российской федерации
.docМИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЕ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Пермский государственный технический университет
Кафедра автоматики и телемеханики
Лабораторная работа № 1
Исследование полупроводниковых диодов
Выполнил: ст. гр. АТ-00-1
Хельман К.Ю.
Проверил: доцент кафедры АТ Заневский Э.С.
Пермь 2001
Цель работы: экспериментальные исследования статических и динамических характеристик и параметров диода.
Схема включения диода
ВАХ плоскостного диода
|
прямая ветвь |
|||||||
U, В |
0 |
0,446 |
0,486 |
0,572 |
0,613 |
0,673 |
0,714 |
0,753 |
I, mА |
0 |
0,05 |
0,1 |
0,5 |
1 |
3 |
6 |
11 |
|
обратная ветвь |
||||||
U, В |
0 |
2 |
4 |
6 |
8 |
10 |
12 |
I, mА |
0 |
0,0010 |
0,0015 |
0,0020 |
0,0024 |
0,0028 |
0,0031 |
ВАХ точечного диода
|
прямая ветвь |
|||||||
U, В |
0 |
0,017 |
0,059 |
0,159 |
0,193 |
0,250 |
0,294 |
0,342 |
I, mА |
0 |
0,05 |
0,10 |
0,50 |
1,00 |
3 |
6 |
11 |
|
обратная ветвь |
||||||
U, В |
0 |
2 |
4 |
6 |
8 |
10 |
12 |
I, mА |
0 |
0,0047 |
0,0052 |
0,0058 |
0,0062 |
0,0068 |
0,0072 |
ВАХ кремниевого стабилитрона
|
прямая ветвь |
|||||||
U, В |
0 |
0,303 |
0,408 |
0,553 |
0,584 |
0,623 |
0,646 |
0,666 |
I, mА |
0 |
0,05 |
0,1 |
0,5 |
1 |
3 |
6 |
11 |
|
обратная ветвь |
|||||||||||||
U, В |
0 |
0,5 |
1 |
1,1 |
1,2 |
1,3 |
1,5 |
2 |
2,1 |
2,2 |
2,3 |
2,4 |
2,5 |
2,97 |
I, mА |
0 |
0,0301 |
0,0904 |
0,11 |
0,13 |
0,16 |
0,243 |
0,814 |
1,08 |
1,41 |
1,83 |
2,38 |
3,09 |
9,3 |
Прямое статическое сопротивление плоскостного диода:
-
в точке максимального тока:
-
на пологом участке характеристики:
Обратное статическое сопротивление плоскостного диода:
Дифференциальное сопротивление плоскостного диода:
-
на восходящем участке характеристики:
-
на пологом участке характеристики:
Прямое статическое сопротивление точечного диода:
-
в точке максимального тока:
-
на пологом участке характеристики:
Обратное статическое сопротивление точечного диода:
Дифференциальное сопротивление точечного диода:
-
на восходящем участке характеристики:
-
на пологом участке характеристики:
Дифференциальное сопротивление кремниевого стабилитрона:
-
на восходящем участке характеристики прямой ветви:
-
на пологом участке характеристики прямой ветви:
Дифференциальное сопротивление обратной ветви ВАХ кремниевого стабилитрона в области пробоя:
Вывод: плоскостной диод изготовлен из кремния, а точечный из германия, следовательно, открывающее напряжение у плоскостного диода больше чем у точечного, что ясно видно из графика. Стабилитрон отличается от плоскостного и точечного диодов тем, что его рабочим участком является обратная ветвь в области пробоя. Напряжение пробоя является напряжением стабилизации. Поэтому стабилитроны и используются для стабилизации переменного напряжения и для ограничения напряжения.