Министерство образования РФ

Пермский государственный технический университет

Кафедра автоматики и телемеханики

Лабораторная работа №2

Исследование полупроводниковых триодов

Выполнили студенты гр. КТЭИ-04-1

Быков М.А.

Травкин И.В.

Проверил преподаватель каф. АТ Андреев Г.Е.

Пермь 2005г.

Цель работы: Получение опытным путём входных и выходных статических характеристик для схем с ОБ и ОЭ и нахождение малосигнальных параметров по полученным экспериментальным характеристикам.

Схема с ОЭ

А

VT

R

Б

А

V

E

K

E

0-25 В

Б

V

0-20 В

Таблица экспериментальных данных (выходной характеристики) схемы с общим эмиттером.

UКЭ , В	IK , mA
	IБ = 0 мА	IБ = 0,05 мА	IБ = 0,1 мА	IБ = 0,15 мА	IБ = 0,2 мА
0	0,04	0,0042	0,0023	0,0053	0,003
0,5	0,15	1	2,37	3,2	4,65
2	0,21	1,15	2,6	3,7	5,48
4	0,24	1,3	2,8	4,09	5,92
6	0,38	1,41	3,04	4,3	6,36
8	0,48	1,56	3,31	4,5	6,7
10	0,58	1,7	3,55	4,8	7,2
12	0,72	1,87	3,71	5,2	7,5

Таблица экспериментальных данных (входной характеристики) схемы с общим эмиттером.

UК =0 В		UК =-5 В
IБ мА	UБЭ В	IБ мА	UБЭ В
0	0,027	0	0,07
0,05	0,075	0,05	0,149
0,1	0,096	0,1	0,179
0,15	0,11	0,15	0,189
0,2	0,121	0,2	0,2
0,3	0,14	0,3	0,22

С

А

хема с ОБ

R

Э

А

VT

E

E

V

K

0-25 В

Э

V

0-20 В

Таблица экспериментальных данных (входной характеристики) схемы с общей базой.

UКБ , В	IK , mA
	IЭ = 0 мкА	IЭ = 2 мкА	IЭ = 4 мкА	IЭ = 6 мкА	IЭ = 8 мкА	IЭ = 10 мкА
0	0,0005	1,82	3,75	5,66	7,89	9,53
0,5	0,0045	1,89	3,88	5,79	7,75	9,67
2	0,0048	1,93	3,89	5,82	7,77	9,726
4	0,0052	1,94	3,9	5,84	7,802	9,745
6	0,0055	1,956	3,91	5,85	7,822	9,766
8	0,0058	1,97	3,927	5,87	7,84	9,784
10	0,0062	1,98	3,93	5,88	7,86	9,791
12	0,0065	1,99	3,94	5,9	7,88	9,83

Таблица экспериментальных данных (входной характеристики) схемы с общей базой.

UКБ =0 В		UКБ =5 В
IЭ мА	UЭБ В	IЭ мА	UЭБ В
0	0,0028	0	0,02
2	0,27	2	0,154
4	0,34	4	0,182
6	0,39	6	0,198
8	0,43	8	0,212
10	0,45	10	0,223
12	0,48	12	0,235

Выходная ВАХ схемы с общим эмиттером (ОЭ)

Входная ВАХ схемы с общим эмиттером (ОЭ)

Выходная ВАХ схемы с общей базой

Входная ВАХ схемы с общей базой

Расчёт h – параметров схемы с ОБ графическим методом.

h₁₁ выражает входное сопротивление при коротком замыкании на выходе цепи,

h₁₂ – коэффициент обратной связи по напряжению при холостом ходе на входе,

h₂₁ – коэффициент передачи тока в прямом направлении при коротком замыкании на выходе,

h₂₂ – выходная проводимость при холостом ходе на входе.

Расчёт h – параметров схемы с ОЭ графическим методом.

Выводы: на основе экспериментально полученных данных можно сделать следующие выводы:

1. При использовании схемы включения с ОБ усиления по току не происходит, что наглядно показывает график выходной ВАХ, а также рассчитанный параметр h₂₁ который менее единицы по величине. Схема с ОЭ же позволила усилить сигнал по току.

2. Усиление сигнала по напряжению отмечено в обеих схемах включениях

3. Схема с ОБ имеет незначительное входное и огромное выходное сопротивление, согласно параметрам h₁₁ и h₂₂, что налагает на её использование дополнительные ограничения. В отличие от ОБ схема ОЭ имеет существенное входное сопротивление –это хорошо видно из графиков входных ВАХ – в одном интервале напряжения ток в схеме с ОБ значительно превышает ток в схеме с ОЭ что свидетельствует о значительном входном сопротивлении схемы с ОЭ.

4. Из анализа графиков входных и выходных ВАХ можно сделать вывод что схема с ОЭ лучше усиливает сигнал по напряжению чем схема с ОБ, и связано это с значительно большим входным сопротивлением схемы ОЭ.