Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Скачиваний:
70
Добавлен:
05.06.2015
Размер:
110.08 Кб
Скачать

30

7. Барьерная и диффузионная емкости в диоде

7.1. Барьерная емкость р-п перехода

;

.

(7.1)

(7.2)

7.2. Диффузионные емкости базы и эмиттера

.

a)

.

. (7.3а)

б)

среднее время пролета дырок через базу.

. (7.3.б)

Аналогично вычисляется диффузионная емкость эмиттера:

a)

.

б)

.

При : . При : .

7.3. Эквивалентная схема диода

Основные результаты

1. Диод обладает барьерной и диффузионной емкостями, подключенными параллельно ОПЗ.

2. Барьерная емкость связана с изменением заряда ионов в ОПЗ при изменении напряжения и ширины перехода. Барьерная емкость нелинейна — обратно пропорциональна ширине ОПЗ, зависящей от напряжения.

3. Диффузионная емкость связана с накоплением избыточных носителей заряда в базе и эмиттере. Диффузионная емкость нелинейна —пропорциональна току через диод.

4. В диодах с толстой базой диффузионная емкость пропорциональна времени жизни избыточных носителей заряда, диодах с тоонкой базой – времени пролета неосновных носителей через базу.

Соседние файлы в папке 01.diodes