dsd1-10 / dsd-01=Компоненты ИС / Staroselskiy OLD / 01.diodes / 7
.doc
7. Барьерная и диффузионная емкости в диоде
7.1. Барьерная емкость р-п перехода
;
.
(7.1)
(7.2)
7.2. Диффузионные емкости базы и эмиттера
.
a)
.
. (7.3а)
б)
—
среднее время пролета дырок через базу.
. (7.3.б)
Аналогично вычисляется диффузионная емкость эмиттера:
a)
.
б)
.
При : . При : .
7.3. Эквивалентная схема диода
Основные результаты
1. Диод обладает барьерной и диффузионной емкостями, подключенными параллельно ОПЗ.
2. Барьерная емкость связана с изменением заряда ионов в ОПЗ при изменении напряжения и ширины перехода. Барьерная емкость нелинейна — обратно пропорциональна ширине ОПЗ, зависящей от напряжения.
3. Диффузионная емкость связана с накоплением избыточных носителей заряда в базе и эмиттере. Диффузионная емкость нелинейна —пропорциональна току через диод.
4. В диодах с толстой базой диффузионная емкость пропорциональна времени жизни избыточных носителей заряда, диодах с тоонкой базой – времени пролета неосновных носителей через базу.