Литература:

1. Зебрев Г.И. Физические основы кремниевой наноэлектрники, М.: БИНОМ, 2011, с. 129-141.

2. Парменов Ю.А. Элементы твердотельной наноэлектроники. Учебное пособие. М.: МИЭТ, 2011, гл. 4,5.

3. Балашов А.Г., Крупкина Т.Ю., Лосев В.В., Старосельский В.И. Наноэлектронные устройства и их модели. Учебное пособие. М.: МИЭТ, 2011, с. 30-49.

4. Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов. Ч2, М., Техносфера, 2002, с. 269-397.

5. Taur Y., Ning T.H., Fundamentals of Modern VLSI Device, 2009, p. 148-201.

6. Sze S.M., Ng К.К., Physics of Semiconductor Devices, Wiley, 2007, p. 293-343.

7. Taur Y., Buchanan D.A., Wei Chen, Frank D.J. at al. CMOS Scaling into the Nanometer Regime, Proceedings of the IEEE, 2001, v.85, №4, pp.486-504.

Задание для срс

1.Изучить материал лекции №5 по конспекту и по литературным источникам.

2. Для подготовки к следующей лекции ознакомиться с её материалом по конспекту лекции №6.

Вопросы для самопроверки

1. Как электрическое поле в канале МОПТ зависит от координаты вдоль канала?

2. Объясните механизм образования горячих носителей в канале МОПТ.

3. Объясните, почему горячие носители приводят к деградации параметров МОПТ.

4. В чем состоят методы борьбы с горячими носителями?

5. Объясните влияние тока подложки, вызванного горячими носителями, на работу МОПТ.

6. Каковы технологические методы борьбы с горячими носителями и увеличения срока службы транзистора?