
- •1 Общие сведения об импульсных методах обработки материалов. Принципиальная схема эги установки.
- •6. Поведение материала при импульсном нагружении. Влияние скорости деформации на пластичность.
- •7.Измерение параметров силового поля. Пьезоэлектрический датчик.
- •8.Измерение параметров силового поля. Крешерный и мембранный датчики.
- •9.Общие сведения об эги вытяжке. Примеры схем выполнения.
- •11.Общие сведения об эги формовке. Формовка в открытую матрицу.
- •31. Особенности проектирования технологической оснастки для эгиш.
7.Измерение параметров силового поля. Пьезоэлектрический датчик.
Для выполнения технических расчётов- определения величины энергии, запасаемой батареей конденсатора эгиустановки необх.узнать параметры импульсного давления действующего на заготовку, а так же его распределение по деформированной поверхности. Точность измерения параметров в быстропротекающих процессах ,которые относятся к этому является сложной техничес. задачей. Это вызвано тем что амплитуда давления нах-ся в пределах от 10-ков-100-тен МПА. Продолжительность импульсного давления колеблется от 10-ков-100-тен микросекунд,при времени его нарастания 1-10 мсек. Универсальных датчиков для измерения дан. параметров давления не существует. На практике применяют ёмкостные, механические ,пьезоэлектрические ,термо – электро -полупроводниковый и др. Наиболее применяемый для измерения параметров давления пьезоэлектрические датчики, для определения поля давления механические датчики. Для определения поля давления используются мех. датчики к которым относятся крешерные и мембранные датчики.
8.Измерение параметров силового поля. Крешерный и мембранный датчики.
Для
выполнения технических расчётов-
определения величины энергии, запасаемой
батареей конденсатора эгиустановки
необх.узнать параметры импульсного
давления действующего на заготовку, а
так же его распределение по деформированной
поверхности. Точность измерения
параметров в быстропротекающих процессах
,которые относятся к этому является
сложной техничес. задачей. Это вызвано
тем что амплитуда давления нах-ся в
пределах от 10-ков-100-тен МПА. Продолжительность
импульсного давления колеблется от
10-ков-100-тен микросекунд,при времени его
нарастания 1-10 мсек. Универсальных
датчиков для измерения дан. параметров
давления не существует. На практике
применяют ёмкостные, механические
,пьезоэлектрические ,термо – электро
-полупроводниковый и др. Наиболее
применяемый для измерения параметров
давления пьезоэлектрические датчики,
для определения поля давления механические
датчики. Для определения поля давления
используются мех. датчики к которым
относятся крешерные и мембранные
датчики.
Рис(1)Схема
измерения давления с помощью крешерного
датчика.
1-зар.камера,
2-корпус датчика, 3-стальные закалённые пуансоны, 4-стальные закалённые шарики, 5-крешерная пластина, выполненная из пластичного металла, например меди, 6-основание.
Рис(2)Эпюра распределения поля давления.
Давление Q ,возникающее выходной соседней разрядной камере действует на пуансон ,затем на шарики ,которые образуют на крешерной пластине сферические отпечатки .Диаметр отпечатков измеряемый на инструменте-микроскопе ориентировочно принимается пропорционально величине давления. В результате можно построить эпюру распределения давления по выходному сечению ,а зная амплитуду давления, измерения например пьезо-электрическим датчиком в к.л. точке при механ. же условиях можно определить ориентировочно величине давления в кажд. точке выходного сечения.
Рис(3)Схема определения поля давления с помощью мембранного датчика. 1-разрядная камера, 2-корпус, 3-листовая заготовка, выполненная на мембране. Приблизительно приним., что величина давления пропорциональна прогибу мембраны (h прогиба).