Добавил:
fench
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Предмет:
Файл:Лабораторный практикум / Лаборатория радиофизики / 4 - Импульсные схемы на транзисторах / Филиппов
.docФилиппов Владимир,
III курс, 311 группа.
Импульсные схемы на транзисторах.
1. Мультивибратор.
Амплитуда импульсов 12,5 вольт. Длительность заднего фронта импульса при С=1 нФ: t=5 мкс.
График зависимости периода T от ёмкости С.
Определяем коэффициент усиления по току b для каждого транзистора.
Rб=30 кОм, Rк=1,8 кОм.
а) Eк=12,7 В, Eб=9,5 В.
22,3
б) Eк=12,7 В, Eб=10,5 В.
20,2
Построим зависимость периода импульсов T от Eб при С=1000 пФ.
2. Ждущий мультивибратор.
Исследуем работу ждущего мультивибратора в режиме деления частоты и определяем зависимость коэффициента деления от амплитуды запускающего импульса.
Соседние файлы в папке 4 - Импульсные схемы на транзисторах