Лабораторный практикум / Лаборатория радиофизики / 1 - Исследование параметров полупроводникового усилителя / Суровицкий

Лабораторная работа №1

Суровицкого Л.В.

« Исследование параметров полупроводникового усиления ».

Исследование зависимостей параметров усиления полупроводникового усиления.

I. Измеряем t^o транзистора

Находим сопротивление магазина,

при котором i_=0 . По графику

зависимости Rmax от t^o измеряем t^o.

Rmax=(12200.6) Ом ; T=24^oC

II. При T=24^oC измеряем i_k

Устанавливаем E_n -8 В, а напряжение между эмиттером и

коллектором 5 В.

E_n=-8.043 В

R_k=-4.01 кОм

i_k=1мА

III. Измеряем ток базы. Вычисляем статистический коэффициент

усиления транзистора по формуле: _ст=i_k / i_

i_=43 мкА; _ст=23,25

IV. Измеряем переменное U_вх. Вычисляем динамический коэффициент

усиления.

Устанавливаем частоту f=1 кГц

U_вх=3мВ; K_ус=363.

V. Определяем, при каком max U_вх, выходной сигнал ещё остаётся

Синусоидальным.

U_{вх м}=1мВ

K=115

VI. Определяем R_вх

R_г=1 кОм

Измеряя U_вых при двух положениях

резистора, и вычисляем U_вх по формуле :

R_вх= R_г/(U₁/U₂-1)

1. резистор закорочен: U₁ =110,3 мВ

2. резистор включен: U₂ =50,2 мВ

R_вх =833,3 Ом

VII. Измеряем зависимости от t^o ,строим графики для :

Из графиков видно, что с ростом температуры - _ст увеличивается,

R_вх увеличивается, а U_{вх м} и K_ус остаются постоянными.

Вывод: В ходе этой работы, я исследовал параметры полупроводникового усилителя и построил графики зависимости _ст , R_вх , K_ус , U_{вх м} от температуры.