Дипломная работа / Без назв 11
.rtf
Анализ
уравнений (1.1.8)
- (1.1.1 О) позволяет
сделать вывод, что чошностъ, выделяющаяся
в диэлектрике, помещенном в переменное
электрическое
поле,
определяется
только
его
электрическими
IЛист
1;~~~~~~~~~
~О~8~.2~1~О1~О~6~.О~1~о.~П~З
~1~1
r
Ng
докум.
Подпись IДата
кэрактеристиками
8
И tgb
и
параметрами поля: напряженностью и
частотой.
Выделяющаяся
мощность не зависит от теплопроводности
материала, юторая
у
диэлектриков, как правило, имеет низкие
значения. Эта .хобенностъ является
существенным преимуществом диэлектрического
эагрева, позволяющим значительно
ускорить процесс нагрева материала по
л-авнению с другими традиционными
видами нагрева.
1.2
Установки
диэлектрического нагрева
у
становки
диэлектрического нагрева подразделяют
на два вида: сооствснно установки
диэлектрического нагрева, работающие
на высокой =встоте (ВЧ-установки - частота
20
кГц
- 100
кГц),
и установки сверх высокочастотного
нагрева (СВЧ-нагрев-частота 1000
мГц
И
выше).
Последнис применяются при нагреве
диэлектриков со сравнительно малым
тоэффициентом потерь, нагреве пищевых
продуктов.
Выбор
рабочих параметров установки определяется
рядом физических гэойсгв нагреваемого
материала. Одним из условий равномерного
нагрева по !C~~{\'
объему
однородного материала является
превышение глубины ::::!:Х'никновения
электромагнитной волны в материал под
его толщиной. - луоина проникновения
(см) определяет расстояние, на котором
~~яженность электрического поля
ослабевает в е
раз
относительно ее 3I:2чения на поверхности:
~=9,55·1011
/~tgg
(1.2.1)
Большинство
материалов, нагреваемых в поле
конденсаторов, неоднородно по .::а:ей
структуре.
для
материала
слоистой стуктуры, в котором каждый
слой r:
Iичается
от другого значением относительной
диэлектрической