material / материаловеденье-1 / отв / Š‡€Œ… / Материаловедение ТХТ / 7. Линейные дефекты (ЛД) кристаллов, их влияние на свойства кристаллов

7. Линейные дефекты (ЛД) кристаллов, их

влияние на свойства кристаллов. Реальные

кристаллы никогда не имеют идеально

правильной кристаллической решётки.

Правильное расположение атомов в

пространстве в той или иной степени

нарушается из-за тепловых колебаний. В

кристаллах всегда имеются химические

нарушения в виде инородных примесных

атомов. Т.о, в реальных условиях крист

решётка никогда не бывает совершенной, есть

всегда дефекты. Геометрич признаки

классификации дефектов, по кот дефекты

разделяют на: 1) точечные; 2) линейные; 3)

поверхностные. Линейные дефекты имеют

размеры, в 2 направлениях близкие к

размерам атомов, а в 3 направлении –

размеры, близкие к размерам кристаллов.

Наиболее важный вид ЛД - дислокации.

Поведение дислокаций определяет важнейшие

механич св-ва: прочность и пластичность.

Проще всего ввести дислокацию в кристалл

можно путём незавершённого сдвига. РИС!!!

Сдвинем верхнюю часть кристалла до линии

АВ. АВ – граница сдвига = дислокация.

Чтобы понять, что произошло в кристалле в

рез-те незавершённого сдвига, сделаем

сечение кристалла плоскостью, ? линии

дислокации. В верхней части кристалла есть

полуплоскость, кот не имеет продолжения в

нижней части кристалла. Это

экстраплоскость. Вдоль её нижнего края ч/з

весь кристалл тянется область искажения

(несовершенства). Это и есть дислокация.

Аннигиляция – исчезновение дислокаций из-за

«встречи». Плотность дислокации – осн хар-

ка дислокационной структуры. Под ?

дислокации понимают суммарную длину

дислокаций в единице V. (см-2). В

тщательно выращенном монокристалле ?

дислокации небольшая. В поликристалле

(хорошо отожжённом) ? дефектов 105-107. В

деформированном М ? дислокации может

доходить до 1010-1012.

8. Поверхностные дефекты (ПД)

кристаллов, их влияние на свойства

кристаллов. Реальные кристаллы никогда не

имеют идеально правильной кристаллической

решётки. Правильное расположение атомов в

пространстве в той или иной степени

нарушается из-за тепловых колебаний. В

кристаллах всегда имеются химические

нарушения в виде инородных примесных

атомов. Т.о, в реальных условиях крист

решётка никогда не бывает совершенной, есть

всегда дефекты. Геометрич признаки

классификации дефектов, по кот дефекты

разделяют на: 1) точечные; 2) линейные; 3)

поверхностные. Поверхностные дефекты в 1

измерении имеют размер, сопоставимый с

размерами атома, в 2 др – размеры кристалла.

Если не принять спец мер, ? кусок М состоит

из большого числа кристаллов. Есть

поверхность, отделяющая в куске М 1

кристалл от др. Эта граница зёрен

представляет собой дефект. РИС!!! 1,2 –

зёрна; 3 – граница, в кот расположение атомов

нарушено. Влияние: т.к. границы зёрен

препятствуют перемещению дислокаций и

являются местом повышенной концентрации

примесей, то они оказывают существенное

влияние на механич св-ва М.