Добавил:
Upload
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Предмет:
Файл:material / материаловеденье-1 / отв / / Материаловедение ТХТ / 6. Точечные дефекты (ТД) кристаллов, их влияние на свойства кристаллов
..txt 6. Точечные дефекты (ТД) кристаллов, их
влияние на свойства кристаллов. Реальные
кристаллы никогда не имеют идеально
правильной кристаллической решётки.
Правильное расположение атомов в
пространстве в той или иной степени
нарушается из-за тепловых колебаний. В
кристаллах всегда имеются химические
нарушения в виде инородных примесных
атомов. Т.о, в реальных условиях крист
решётка никогда не бывает совершенной, есть
всегда дефекты. Геометрич признаки
классификации дефектов, по кот дефекты
разделяют на: 1) точечные; 2) линейные; 3)
поверхностные. Точечные имеют размеры,
близкие к размерам атомов. ТД образуются в
процессе кристаллизации под воздействием
тепловых, механич, электрич воздействий;
при облучении нейтронами, электронами,
рентгеновскими лучами. Типы ТД: а)
вакансии; б) межузельные атомы
(дислоцированные); в) примесные атомы.
РИС тетр!!! Вакансии и межузельные атомы
могут возникать при ? t?, выше абсолютного
0К. ? t? соответствует своя концентрация
вакансий. Из всех точечных дефектов
вакансия явл самой важной, т.к. именно они
способствуют перемещению атомов внутри
кристаллов и за это отвечают (т.е. происходит
диффузия). Т.е. присутствие вакансий
объясняет возможность диффузии –
перемещение атомов на расстояния,
превышающие средние межатомные
расстояния для данного М. Перемещение
атомов осуществляется путём обмена
местами с вакансиями. Различают
самодиффузию (перемещения атомов не
изменяют их концентрацию в отдельных
объёмах) и гетеродиффузию (перемещения
атомов сопровождаются изменением
концентрации; хар-на для сплавов с высоким
содержанием примесей). Влияние: Все виды
ТД приводят к локальным изменениям
межатомных расстояний и ==> искажают крист
решётку. При этом ? сопротивление решётки
дальнейшему смещению атомов, что
способствует упрочнению кристаллов и ? их
электросопротивление. ТД влияют в
определённой мере на физич св-ва. В
технически чистых М ТД ? электрич
сопротивление. На механич св-ва ТД влияют
мало.
влияние на свойства кристаллов. Реальные
кристаллы никогда не имеют идеально
правильной кристаллической решётки.
Правильное расположение атомов в
пространстве в той или иной степени
нарушается из-за тепловых колебаний. В
кристаллах всегда имеются химические
нарушения в виде инородных примесных
атомов. Т.о, в реальных условиях крист
решётка никогда не бывает совершенной, есть
всегда дефекты. Геометрич признаки
классификации дефектов, по кот дефекты
разделяют на: 1) точечные; 2) линейные; 3)
поверхностные. Точечные имеют размеры,
близкие к размерам атомов. ТД образуются в
процессе кристаллизации под воздействием
тепловых, механич, электрич воздействий;
при облучении нейтронами, электронами,
рентгеновскими лучами. Типы ТД: а)
вакансии; б) межузельные атомы
(дислоцированные); в) примесные атомы.
РИС тетр!!! Вакансии и межузельные атомы
могут возникать при ? t?, выше абсолютного
0К. ? t? соответствует своя концентрация
вакансий. Из всех точечных дефектов
вакансия явл самой важной, т.к. именно они
способствуют перемещению атомов внутри
кристаллов и за это отвечают (т.е. происходит
диффузия). Т.е. присутствие вакансий
объясняет возможность диффузии –
перемещение атомов на расстояния,
превышающие средние межатомные
расстояния для данного М. Перемещение
атомов осуществляется путём обмена
местами с вакансиями. Различают
самодиффузию (перемещения атомов не
изменяют их концентрацию в отдельных
объёмах) и гетеродиффузию (перемещения
атомов сопровождаются изменением
концентрации; хар-на для сплавов с высоким
содержанием примесей). Влияние: Все виды
ТД приводят к локальным изменениям
межатомных расстояний и ==> искажают крист
решётку. При этом ? сопротивление решётки
дальнейшему смещению атомов, что
способствует упрочнению кристаллов и ? их
электросопротивление. ТД влияют в
определённой мере на физич св-ва. В
технически чистых М ТД ? электрич
сопротивление. На механич св-ва ТД влияют
мало.
Соседние файлы в папке Материаловедение ТХТ