Лабораторная работа

«Полевой транзистор»

студента 304 группы

Лозы Александра Александровича

Цель работы: ознакомиться с принципом работы полевого транзистора,определить крутизну его характеристики и внутреннее сопротивление. Для выполнения этого задания нужно снять зависимость тока стока I_c от напряжения на стоке U_ИС при постоянном напряжении на затворе U_ЗИ , а так же зависимость I_c от U_ЗИ при постоянном U_ИС .

Электрическая схема для выполнения работы:

Таблицы экспериментальных данных :

U_ЗИ =1В

UИС ,B	IC ,mA	UИС ,B	IC ,mA	UИС ,B	IC ,mA
0	0	-0.56	0,24	-1	0,312
-0,21	0,12	-0.66	0,28	-1.1	0,32
-0,3	0,16	-0.8	0,284	-2	0,36
-0,42	0,2	-0.92	0,3	-5.76	0,44

U_ЗИ =1.1В

IC ,mA	UИС ,B	IC ,mA	UИС ,B	IC ,mA	UИС ,B
0	0	0,16	-0,4	0,28	-1,7
0,08	-0,14	0,2	-0,57	0,32	-4,2
0,12	-0,27	0,24	-0,85	0,34	-6,5

U_ЗИ =1.2 В

IC ,mA	UИС ,B	IC ,mA	UИС ,B	IC ,mA	UИС ,B
0	0	0,12	-0,4	0,2	-1,77
0,04	-0,1	0,16	-0,78	0,24	-5,45
0,08	-0,23	0,2	-1,77	0,248	-6,35

U_ЗИ =0.5 B

IC ,mA	UИС ,B	IC ,mA	UИС ,B	IC ,mA	UИС ,B	IC ,mA	UИС ,B
0	0	0,36	-0,36	0,64	0,82	0,88	2,5
0,04	-0,03	0,4	-0,4	0,68	0,94	0,92	3,53
0,2	-0,19	0,48	-0,5	0,76	1,22	0,96	4,94
0,28	-0,27	0,6	-0,72	0,84	1,86	0,98	6,1

Теперь приступаем к выполнению второго задания . Для этого строим график зависимости тока стока от потенциала на затворе при постоянном напряжении на истоке.

Таблицы экспериментальных данных :

U_СИ=-1 В

UЗИ, В	IC, mA	UЗИ, В	IC, mA	UЗИ, В	IC, mA	UЗИ, В	IC, mA
0	1.1	0.47	0.76	0.89	0.43	1.2	0.18
0.16	0.99	0.6	0.68	0.99	0.35	1.3	0.12
0.26	0.92	0.7	0.6	1.1	0.26	1.5	0.04

U_СИ=-1.5 В

UЗИ, В	IC, mA	UЗИ, В	IC, mA	UЗИ, В	IC, mA	UЗИ, В	IC, mA
0	1.36	0.4	0.9	0.9	0.44	1.3	0.12
0.1	1.23	0.5	0.8	1	0.32	1.4	0.08
0.2	1.12	0.62	0.69	1.1	0.28	1.5	0.04
0.32	0.98	0.7	0.62	1.2	0.18	1.7	0

U_СИ=-2 В

UЗИ, В	IC, mA	UЗИ, В	IC, mA	UЗИ, В	IC, mA	UЗИ, В	IC, mA
0	1.48	0.4	0.96	0.8	0.54	1.2	0.2
0.13	1.28	0.5	0.86	0.9	0.42	1.4	0.08
0.2	1.2	0.6	0.75	1	0.34	1.5	0.04
0.3	1.07	0.7	0.64	1.1	0.28	1.8	0

U_СИ=-2.5 В

UЗИ, В	IC, mA	UЗИ, В	IC, mA	UЗИ, В	IC, mA	UЗИ, В	IC, mA
0	1.55	0.4	0.98	0.9	0.47	1.3	0.14
0.1	1.39	0.5	0.88	1	0.38	1.4	0.08
0.2	1.24	0.6	0.78	1.1	0.31	1.5	0.04
0.3	1.1	0.7	0.68	1.2	0.22	1.8	0

Основной вклад, вносимый в погрешности данной работы, обуславливается классом точности измерительных приборов . Другие факторы , влияющие на погрешность , несущественны, и поэтому мы их учитывать не будем . Определим погрешности измерительных приборов.

Миллиамперметр: цена деления=0.04mA , класс точности=1Þ DI_c=0.04mA

Вольтметр: цена деления=0.1В , класс точности=1Þ DU_зи=0.1В

Теперь займемся определением параметров транзистора.

Крутизна кручения: . Определяя S для каждого графика и находя среднее, получаем S=1.3. Þ

S=(1.3±0.2)

Внутреннее сопротивление: R_i= .Берем точки в заведомо линейной области и определяем внутреннее сопротивление для каждого графика. Затем , как и в прошлом задании на ходим среднее значение.

R_i=1200 ОмÞ

R_i= (1200±100) (Ом)