Лабраб / 1 / методички / ИЗУЧЕНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ВАХ МДП ТРАНЗИСТОРА

- 11 -

при напряжении на затворе -3 Вольта. Снимается зависимости IС от напряжения VСИ.

Рис. 6 Снятие выходных вольт-амперных характеристик транзистора.

Результаты заносятся в таблицу:

Измерения повторяются для напряжений на затворе -4 и -5 В.

По полученным данным строится график зависимости IС=f(VСИ) при напряжениях на затворе -3, -4, -5 В. Как известно, выходная характеристика МДП транзистора имеет крутой и пологий участки, на каждом из этих участков необходимо снять по 7 - 8 точек, всего на трех характеристиках получится 45 - 50 точек.

По выражению (14) определить параметр "lambda".

- 12 -

Рис. 7. Определение параметра "lambda" по выходным характеристикам

РАСЧЕТ ВХОДНЫХ И ВЫХОДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ТРАНЗИСТОРА С ПОМОЩЬЮ PSPICE.

В расчете используются параметры транзистора, определенные по измерениям. В модель транзистора подставляются только те параметры, которые определялись в данной работе (Vto, kp, lambda), остальные параметры в описание модели не вставляются, при этом PSPICE берет их значения по умолчанию. Следует кодировать схему, в которой независимые источники подключены непосредственно к выводам транзистора (см. рис. 8), это обусловлено тем, что при построении графиков в PSPICE независимой переменной всегда являются напряжения или токи независимых источников (или время).

- 13 -

Рис. 8. Расчетная схема для PSPICE.

ТРЕБОВАНИЯ К ОТЧЕТУ ПО ВЫПОЛНЯЕМОЙ РАБОТЕ.

Отчет по лабораторной работе должен содержать:

цель лабораторной работы;

схемы измерений характеристик схемы;

таблицы экспериментальных данных и графики;

описание схемы на входном языке программы PSPICE;

расчет параметров модели транзистора и их значения;

распечатки заданий для программы PSPICE;

распечатки графиков входной и выходной характеристик, рассчитанных с помощью программы PSPICE.

5.КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ.

1.Принцип работы МДП-транзистора;

2.Типы МДП-транзисторов;

3.Нарисовать входные и выходные характеристики для всех типов МДП-транзисторов и показать их различия;

4.Как по данным лабораторной работы определить тип исследовавшегося МДП-транзистора?

6.РЕКОМЕНДУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА

1.И.П. Степаненко, Основы теории транзисторов и транзисторных схем.

2.Разевиг В.Д. Применение программ PCAD и PSPICE для схемотехнического моделирования на ПЭВМ., М., Радио и связь, 1992.

- 14 -

Учебное издание.

Изучение статических вольт-амперных характеристик МДП транзистора и определение параметров его модели для схемотехнических расчетов.

Составители:

Петросянц Константин Орестович Рябов Никита Иванович Харитонов Игорь Анатольевич

Редактор С.П. Клышинская Технический редактор О.Г. Завьялова

Московский государственный институт электроники и математики. 109028 Москва, Б. Трехсвятительский пер. 3/12

Отдел оперативной полиграфии Московского государственного института электроники и математики 113054 Москва, ул. М. Пионерская, 12