Материалы и элементная база РЭ / Бланки отчетов / Отчет №1
.doc
Балтийская государственная академия рыбопромыслового флота
Кафедра ТОР
Элементная база радиоэлектроники
Отчет по лабораторной работе №1
«Изучение элементной базы, топологии и конструкции гибридных и полупроводниковых интегральных микросхем»
Выполнил:
курсант гр. Р-2
Проверил:
Калининград, 20 г.
Цель работы:
-
Изучить конструкции и топологии гибридных интегральных микросхем (ГИС), зарисовать эскизы элементов.
-
Изучить топологию ИМС различной степени интеграции (МИС, СИС, БИС, СБИС). Оценить степень интеграции.
-
Описание лабораторной установки
Лабораторная установка включает в себя:
Лабораторный микроскоп.
Исследуемые интегральные микросхемы (ИМС).
-
Ход работы
-
Изучение гибридных интегральных микросхем (ГИС) различного функционального назначения
Таблица 1 – Результаты визуальных наблюдений и расчетов
|
№ |
Обозначение микросхемы |
Выполняемая функция |
Общее количество элементов |
В том числе |
Степень интеграции K |
Интегральная плотность ω |
|||
|
пленочных |
навесных |
||||||||
|
Резисторов |
Конденсаторов |
Транзисторов |
Диодов |
||||||
|
1 |
К217ТК1Б |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2 |
235МП1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
3 |
235УР2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
4 |
284КН1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
5 |
284УН1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
Расчет степени интеграции:
Расчет интегральной плотности:
Эскизы топологии элементов ИМС
Выводы:
-
Изучение интегральных микросхем (ГИС) различной степени интеграции (МИС, СИС, БИС, СБИС)
Таблица 2
|
№ |
Обозначение микросхемы |
Выполняемая функция |
Общее количество элементов |
Степень интеграции K |
|
1 |
|
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
|
3 |
|
|
|
|
Оценка степени интеграции:
Выводы: