Контрольные вопросы к лабораторной работе № 1
-
Энергетические зон в кристаллических твердых телах, их образование. Металлы, диэлектрики и полупроводники с точки зрения зонной теории.
-
Типы носителей заряда в полупроводниках. Эффективная масса носителя заряда.
-
Собственный полупроводник. Электронный и дырочный полупроводники.
-
Примесный полупроводник. Доноры и акцепторы в германии и кремнии. Проводимость примесного полупроводника.
-
Распределения Ферми и Больцмана, Вырожденный и невырожденный полупроводники. Энергия (уровень) Ферми.
-
Концентрация носителей заряда в полупроводнике. Ее температурная зависимость.
-
Подвижность носителей заряда в полупроводнике. Ее температурная зависимость.
-
Удельная электропроводность (проводимость) полупроводника. Ее температурная зависимость.
-
Зависимость ширины запрещенной зоны полупроводника от температуры. Ее причины.
-
Метод определения ширины запрещенной зоны полупроводника по температурной зависимости электропроводности.
-
Построить зависимость концентрации электронов от обратной температуры в кремнии, легированном фосфором с концентрацией 1e15 см-3.
-
Построить зависимость концентрации электронов от обратной температуры в германии, легированном сурьмой с концентрацией 1e15 см-3.
-
В каком полупроводнике в области собственной проводимости увеличение концентрации носителей с температурой происходит быстрее: в кремнии, германии или арсениде галлия и почему.
-
Элементы каких групп периодической системы Менделеева являются донорами, а каких – акцепторами в элементарных полупроводниках: кремнии и германии? Приведите примеры.