Добавил:

korayakov Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.

Вуз:

Национальный исследовательский университет «МИЭТ»

Предмет:

Физика полупроводников и полупроводниковых приборов

Файл:

Курсовые / Курсовое пректирование / КП_2 / КП_2.doc

Скачиваний:

Добавлен:

17.04.2013

Размер:

471.04 Кб

Скачать

☆

<<< < Предыдущая 12 / 22

4. Барьерные емкости р-п переходов

= 3,6.10^-7 Ф/см. = 4,4.10^-8 Ф/см.

= 3,610^-71,610^-7 = 58 фФ. = 6,510^-86,010^-7 = 39 фФ.

5. Коэффициент передачи эмиттерного тока.

. (9)

5.1. Эффективность эмиттера.

Эффективность эмиттера определяется соотношеним [3]

. (10)

Число Гуммеля в базе [3] .

. , где 4.10¹⁷см^-3.

Зависимость описывается соотношением [3]:

1300 см²/Вс, 85 см²/Вс, = 310¹⁵ см^-3, = 10¹⁹ см^-3,  = 0,115.

= 570 см²/Вс.

0,026  570 = 15 см²/с;

4,310¹¹ см^-4с.

Эффективное число Гуммеля в эмиттере [3] .

. .

Зависимость описывается соотношением [3]:

где 50 см²/Вс, =10¹⁹ см^-3. Во всем эмиттере . Поэтому

50 см²/Вс ; 0,026  50 = 1,3 см²/с.

8.10¹³ см^-4с.

, поэтому из (10): = 1- 5,4.10^-3= 0,9946.

5.2. Коэффициент переноса.

Коэффициент переноса определяется соотношением [3]

. (11)

Для бездрейфового транзистора время пролета электронов через базу

8,5 пс.

С учетом дрейфа

, (12)

где фактор поля в базе (ускоряющее поле).

Из (12): T 7,3 пс << .

Из (11): .

Из (9):

= 1 — 5,44.10^-3 = 0,9946.

6. Коэффициент усиления базового тока:

= 184.

7. Диффузионная емкость эмиттерного перехода

, (13)

где дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода [2]

. (14)

= 260 Ом.

Из (3):

28 фФ.

Сводка промежуточных результатов

№	Параметр	Значение
1	Диффузионная длина примеси в базе	L_b = 0,278 мкм
2	Диффузионная длина примеси в эмиттере	L_e= 0,127 мкм
3	Градиент концентрации примеси в переходе Э-Б	= 5,18.10²³ см^-4
4	Градиент концентрации примеси в переходе К-Б	= 1,42.10²² см^-4
5	Контактная разность потенциалов перехода Э-Б	0,98 В
6	Контактная разность потенциалов перехода К-Б	0,85 В
7	Равновесная ширина перехода Э-Б	0,054 мкм
8	Ширина перехода Э-Б в рабочем режиме	0,03 мкм
9	Равновесная ширина перехода К-Б	0,17 мкм
10	Ширина перехода К-Б в рабочем режиме	0,25 мкм
11	Концентрация примеси в базе на границе с переходом Э-Б	6,2.10¹⁷см^-3
12	Концентрация примеси в базе на границе с переходом К-Б	3,83.10¹⁷см^-3
13	Толщина базы	= 0,16 мк
14	Толщина эмиттера = 0,24 мкм	= 0,24 мкм
15	Средняя концентрация примеси в базе	4.10¹⁷см^-3
16	Среднее значение коэффициента диффузии электронов в базе	15 см²/с
17	Число Гуммеля в базе	4,310¹¹ см^-4с
18	Эффективная концентрация примеси в эмиттере	см^-3
19	Среднее значение коэффициента диффузии дырок в эмиттере	1,3 см²/с
20	Эффективное число Гуммеля в эмиттере	810¹³ см^-4с
21	Среднее время диффузии электронов через базу	пс
22	Эффективность эмиттера	= 0,9946
23	Фактор поля в базе
24	Среднее время пролета электронов через базу	= 7,3 пс
25	Дифференциальное сопротивление перехода Э-Б	260 Ом
26	Коэффициент переноса	0,9999635

Сводка конечных результатов

№	Параметр	Результат
1	Топологический чертеж транзисторной структуры	Рис.
2	Малосигнальная эквивалентная схема	Рис.
3	Коэффициент передачи эмиттерного тока
4	Коэффициент усиления базового тока	184
5	Барьерная емкость перехода ЭБ в рабочем режиме	= 58 фФ
6	Барьерная емкость перехода КБ в рабочем режиме	= 39 ф
7	Диффузионная емкость эмиттерного перехода	= 28 фФ
8	Маршрутная карта изготовления транзистора	Табл. 1

<<< < Предыдущая 12 / 22