- •Организация кп
- •I. Расчет электрических характеристик кремниевого интегрального п-канального мдп транзистора
- •Задание
- •Исходные данные
- •Варианты исходных данных (экт-44)
- •Варианты исходных данных (экт-45)
- •Варианты исходных данных (экт-46)
- •Курсовой прект по физике полупроводниковых приборов (часть 2)
- •Задание
- •Факультативно:
- •Исходные данные
- •1. Структура и топология прибора
- •2. Примесный профиль
- •Варианты исходных данных (экт-44)
- •Варианты исходных данных (экт-45)
- •Варианты исходных данных (экт-46)
Варианты исходных данных (экт-46)
|
№ |
L |
W |
d |
NП |
n |
NSS |
N+ |
xj |
Студент |
|
6-1 |
2 |
20 |
0,1 |
1.1016 |
500 |
3.1010 |
1020 |
0,3 |
Андрюхин С.М. |
|
6-2 |
4 |
10 |
0,05 |
2.1015 |
700 |
5.1010 |
1020 |
0,6 |
Болотов И.Н. |
|
6-3 |
2 |
50 |
0,03 |
5.1015 |
800 |
7.1010 |
1020 |
1 |
Бухлин А.В. |
|
6-4 |
3 |
10 |
0,07 |
3.1015 |
400 |
4.1010 |
1020 |
0,5 |
Васильев П.В. |
|
6-5 |
2 |
30 |
0,04 |
4.1015 |
500 |
6.1010 |
1020 |
0,5 |
Жуков А.А. |
|
6-6 |
3 |
40 |
0,1 |
2.1015 |
750 |
1.1011 |
1020 |
0,3 |
Иванов Р.И. |
|
6-7 |
3 |
60 |
0,05 |
2.1015 |
600 |
3.1010 |
1020 |
0,6 |
Кацоев В.В. |
|
6-8 |
2 |
30 |
0,07 |
3.1015 |
500 |
7.1010 |
1020 |
0,5 |
Кацоев Л.В. |
|
6-9 |
3 |
70 |
0,05 |
1.1016 |
600 |
5.1010 |
1020 |
0,3 |
Кириков А.И. |
|
6-10 |
2 |
20 |
0,08 |
4.1015 |
750 |
6.1010 |
1020 |
0,6 |
Косарев И.Г. |
|
6-11 |
3 |
30 |
0,04 |
1.1016 |
400 |
3.1010 |
1020 |
0,3 |
Кузнецов С.Н. |
|
6-12 |
2 |
60 |
0,1 |
6.1015 |
500 |
7.1010 |
1020 |
0,6 |
Подшивалина А.С. |
|
6-13 |
3 |
20 |
0,03 |
3.1016 |
600 |
6.1010 |
1020 |
0,4 |
Строганов А.А. |
|
6-14 |
2 |
10 |
0,06 |
2.1015 |
400 |
5.1010 |
1020 |
0,5 |
|
|
6-15 |
3 |
50 |
0,04 |
1.1016 |
750 |
3.1010 |
1020 |
0,8 |
|
|
6-16 |
2 |
30 |
0,08 |
3.1015 |
500 |
7.1010 |
1020 |
0,3 |
|
|
6-17 |
3 |
20 |
0,05 |
8.1015 |
600 |
5.1010 |
1020 |
0,6 |
|
|
6-18 |
2 |
20 |
0,04 |
4.1015 |
550 |
3.1010 |
1020 |
0,5 |
|
Курсовой прект по физике полупроводниковых приборов (часть 2)
I. РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ КРЕМНИЕВОГО ИНТЕГРАЛЬНОГО БИПОЛЯРНОГО п-р-п ТРАНЗИСТОРА
ЛИТЕРАТУРА
1. Старосельский В.И. Физика р-п переходов и полупроводниковых диодов. М.: МИЭТ, 1993.
2. Старосельский В.И. Физика биполярных транзисторов. Бездрейфовые транзисторы. М.: МИЭТ, 1989.
3. Старосельский В.И., Сквира А.В. Физика биполярных транзисторов. Интегральные транзисторные структуры. М.: МИЭТ, 1991.
4. Баринов В.В., Онацко В., Шишина Л.Ю. Основы топологического проектирования ИМС. — под ред. В.Онацко. М.: МИЭТ, 1994.
