Технология СБИС / sbis / s_kontr / okisl / okisl_3
.htmВОПРОС loc=""+location; inv=loc.indexOf("?")+1; for (var i=inv+2; i19) { msk=Math.pow(2,rnc); p_str=".htm?"+typ+"+"+tch+"+"+msk+"+"+prav; location="../difuz/difuz_"+rnc+p_str } else location="okisl_"+rnc+p_str } else { if (tch>4) { location="../end"+p_str } else location="okisl_"+rnc+p_str } } При каких условиях метод роста тонких окислов является наиболее перспективным?
Варианты ответов: Пониженное давление, температура 700-900 градусов Цельсия
Повышенное давление, температура 700-900 градусов Цельсия
Пониженное давление, температура 900-1000 градусов Цельсия
Выберите номер правильного ответа 1 2 3