Технология СБИС / sbis / metkontr / mkd_esh

Электронная спектроскопия с целью химического анализаЭлектронная спектроскопия с целью химического анализаИсследуемая поверхность облучается рентгеновским пучком, способным вызвать эмиссию вторичных электронов из внутренних оболочек атомов. Электроны с различными энергиями связи обуславливают появление раздельных пиков фотоэлектрического спектра.

В качестве источника излучения берут рентгеновскую трубку с магниевым или алюминиевым анодами. Испускаемая ими энергия квантов достаточна для проникновения только в приповерхностную область исследуемого образца. При этом глубина выхода вторичных электронов не превышает 5 нм. В качестве детекторов сигнала используются устройства, применяемые в электронной оже-спектроскопии (ЭОС).

Вообще данный метод используют как дополнение к методу ЭОС. По сравнению и ЭОС он имеет ряд преимуществ.Во-первых, можно исследовать радиационно нестойкие материалы, т. к. сечение рассеяния процессов диссоциации и десорбции рентгеновского излучения меньше, чем электронного.

Во-вторых, поверхность исследуемого материала заряжается существенно в меньшей степени.

В-третьих, можно получать информацию о химической связи, поскольку она влияет на характер расположения энергетических оболочек атомов, определяемых с высокой степенью точности (до 0.5 эВ).

Недостаток метода заключается в низком плоскостном разрешении из-за большого диаметра рентгеновского пучка (1-2 мм).