Технология СБИС / sbis / implant / impl_faz
.htmФаза ионно-имплантированных ионовФаза ионно-имплантированных ионовВведем понятие фазы.M - масса пучка;
m - кратность ионизации атома;
mq - заряд пучка;
E - энергия пучка во время движения через вакуум.Интегрированный заряд определяет дозу имплантированных ионов:
f=Q/mqA, где , I - ток пучка ионов
Управление дозой ИИ затруднительно:- присутствием нейтральных частиц в ионном пучке;
- обменом зарядов между ионами;
- вторичной электрической эмиссией из мишени;
- эффектами обратного ионного распыления.Вторичные электроны выбиваются из мишени полями и поглощаются стенками камеры. Поэтому мишень помещают в ловушку Фарадея с приложенным напряжением порядка сотен Вольт, в результате чего большинство вторичных электронов вернется в мишень и схему интегратора заряда.
Происходит распыление материала диафрагмы и попадание его в мишень. Поэтому диафрагмы делают из материалов с низким коэффициентом распыления.
При высокой дозе может наблюдаться распыления атомов примеси из мишени. Насыщение достигается в меньшей степени из-за эффектов каналирования и тепловой диффузии ионов. Таким образом ранее имплантированные атомы перемещаться на большую глубину от поверхности.